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Intel新AI芯片发布:2019年向用户开放
5月23日,在美国旧金山现场,英特尔举办第一届AI开发者大会AIDC 2018,英特尔AI总帅、人工智能事业部(AIPG)总负责人Naveen Rao在现场进行演讲。
会上,Naveen Rao介绍了新款云端AI芯片NNP“代号Spring Crest”,这款产品的功耗将小于210瓦,比上一代产品3-4倍性能提升,2019年下半年向用户开放。此外,英特尔还在现场展示了酷炫的AI作曲、AI渲染3D狮子等应用。
英特尔的云端AI芯片项目命名为“英特尔Nervana神经网络处理器”(Nervana Neural Network Processors,NNP),主打机器学习训练。去年,英特尔展示了这块Nervana深度学习专用芯片NNP的设计架构,项目代号Lake Crest。
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我国科学家发现首个可弯曲无机半导体材料
5月24日消息,最近,中国科学院上海硅酸盐研究所研究员史迅、陈立东与德国科学家合作,发现首个可弯曲无机半导体材料α-Ag2S(硫化亚银)。这种典型的半导体在室温中具有非常反常的与金属类似的力学性能,尤其是拥有良好的延展性和可弯曲性,有望在柔性电子中获得广泛应用。目前,相关研究成果已在国际著名学术期刊《自然材料学》发表。
近年来,柔性电子引起全世界的广泛关注并得到迅速发展,被认为有可能带来一场电子技术革命。它是将有机/无机材料电子器件制作在柔性衬底上的新兴电子技术,以其独特的可变形性以及高效、低成本制造工艺,在信息、能源、医疗、国防等领域,具有广泛应用前景。
4.谷歌联合LG推出全新OLED显示屏
5月23日,据Phone Arena报道,谷歌和LG Display在洛杉矶Display Week 2018展会上联合推出面向VR/AR设备的全新OLED显示屏。这款屏幕尺寸为4.3英寸,分辨率达到了3840×4800,像素密度达到了1443PPI,拥有120Hz的刷新率,
是目前分辨率最高的OLED显示屏。
作为对比,HTC Vive的单眼有效分辨率为1200×1080,双眼合并分辨率为2160×1200,画面刷新率为90Hz。总而言之,谷歌和LG Display推出的这块OLED显示屏远远超过了HTC Vive。
值得一提的是,当这块显示屏与移动设备一起使用并使用移动芯片组供电时,刷新率可能会降至75Hz。
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三星EUV技术蓄势待发,7nm下半年投产
5月24日消息,三星周三发布新闻稿宣布,全球第一个采用极紫外光(EUV)微影设备的7nm LPP(Low Power Plus)制程,已准备好于2018下半年投产。三星的目标很明确,就是成为未来先进运算与物联网芯片生产技术的领导者,并进而分食台积电的晶圆代工订单。
调研机构IC Insights周二发布报告指出,三星首季半导体资本支出67.2亿美元,稍高于前三季水平,显示三星发展半导体仍紧踩油门不放。三星半导体部门过去四季累计资本支出高达266亿美元。
尽管外界看好台积电在7nm制程竞赛仍居领先地位,但三星将是第一个在7nm制程导入EUV微影技术并成功量产的晶圆代工厂,为下一世代制程反超前台积电奠定基础。三星在新闻稿同时预告5nm、4nm与3nm制程的开发计划。 整体来看,IC Insights预估全球半导体业2018年资本支出将成长14%,较三月的预估值多出6个百点,且将首度超过一千亿美元大关。
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阻击联发科 高通骁龙710发布
5月24日消息,自今年MWC上高通宣布骁龙700系列后,该系列的首款移动平台骁龙710终于千呼万唤始出来。
骁龙710一定程度上承接了800旗舰系列的配置和架构,更加聚焦于中高端机型,强化AI功能,这与联发科P60发布时的思路和定位如出一辙。骁龙710采用三星10纳米工艺打造,是全新骁龙700系列产品组合中的首款移动平台。作为一款介于600和800系列中间的产品,700系列的特点在于提供了一些过去仅在骁龙顶级平台即800中所支持的技术与特性,其中AI功能进一步强化。
骁龙710搭载了高通的多核人工智能引擎AI Engine,相比于海思和联发科的独立AI硬件单元,高通仍然坚持在AI方面的异构计算模式,CPU、GPU、DSP协同工作。
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全球独立晶片首家 群联E12晶片获认证
5月24日消息,NAND控制芯片龙头厂群联电子宣布,自家最新固态硬盘(SSD)控制芯片PS5012-E12刚刚获PCIe LOGO认证,为全球独立芯片厂首颗基于28纳米制程自有PHY技术通过PCIe协会严格数位测试及类比电气特性之规范的SSD控制芯片。
目前市场上顶极SSD控制芯片PS5012-E12是基于群联累积多年PCIe规格多项自主技术研发实力之成果。由于掌握PHY层等级自有技术,PS5012-E12通过PCIe严格规范之数位及类比电气特性测试,于近期取得PCIe LOGO认证,其采用的是台积电的28纳米制程,搭载3D NAND Flash,主要介面为Gen3x4 NVMe,传输速度将高达连续读取3200 MB/s及连续写入3000 MB/s,4KB随机读取(IOPs)速度达60万次。
相较于业界同等级芯片高出近1倍之多,位居目前业界之冠,其最大容量可高达8TB,并得以支援Thunderbolt 3可携式外接固态硬盘。