本篇文章将对传输线的阻抗和阻抗不连续导致的反射进行一个根本的分析。
·传输线阻抗
传输线：
把信号以
电磁波
的形式从一端传到另一端的
一对导体
。如
P
CB
走线，双绞线，同轴电缆等。
信号线由信号路径
+
返回路径（不一定是地，这种说法不严谨）组成。
无损传输线模型如下：
当有跳变信号加到传输线上时，相当于在传输路径和返回路径之间加入了电磁波
…
…
信号在传输线上的传输和导体结构，材质，介质等都有关系，信号所感受的阻抗不一样。
传输线特征阻抗等于
注意：特征阻抗即传输线处处阻抗都是Z
0，并不是叠加的效果，即传输线各个位置的阻抗是连续的。
影响特征阻抗的因素
1、
线宽：线宽越宽，单位电感越小，单位电容越大，特征阻抗则越小。
2、
介电常数：介电常数越大，单位电感不变，单位电容越大，特征阻抗则越小。
3、
介质厚度：介质厚度变大，导体间互感减小，单位电感变大，单位电容变小，特征阻抗变大。
4、
铜箔厚度：铜箔厚度变大时，单位电感减小，由于
边缘场
的影响，单位电容变大，特征阻抗变小。
用
Polar SI9000
计算传输线特征阻抗值
要注意阻抗的加工的偏差。
·信号反射
信号反射：
信号遇到传输线阻抗不连续处会发生反射
是什么产生了反射？为什么信号遇到阻抗不连续就会反射？
在阻抗不连续的交界处，无论是从区域一还是从区域二看进去，电压和电流都是相同的，如果电压不连续，那么在此处就会存在无限大的电场，如果电流不连续就会出现无限大的磁场，而同时又要满足欧姆定律，这是不可能的；因此就产生了反射电压和电流，他的唯一目的就是吸收输入信号和传输信号之间不匹配的电压和电流。
(
基尔霍夫定律
)
因此有：
Vin+Vr=Vtran
Iin-Ir=Itran
又有欧姆定律得
Z1= Vin/Iin
Z1=Vr/Ir
Z2=Vtran/Itran
综上：
Vr/Vin=(Z2-Z1)/(Z2+Z1)=
ρ
这就是
反射系数
。
反射电压
&
反射波形
推导公式得出反射电压：
Vr=Vin*
ρ
传输电压：
Vtran=2*Z2/(Z2+Z1)
请看如下拓扑：
初始电压为
1.65V
再看如下拓扑：
在
R5
处发生了反射，计算反射电压为
Vr=1.65V*(150-50)/(150+50)=0.825V
我们在
R1
处观察反射波形：
看如下拓扑：
初始电压为
3V
再看如下拓扑：
我们对各个位置的电压进行分析:
R5
的反射电压为：
Vr=3V*(150-50)/(150+50)=1.5V
；
VR5=
？
VR5=Vin+Vr=3V+1.5V=
4.5V
;
而反射回去的电压依然是
1.5V
；
VrR1=1.5V*(5-50)/(5+50)=-1.227V
，对于
R5
来说，
VrR1
又是入射电压
;
R5
的第二次反射电压为
Vr2R5=-1.227*(150-50)/(150+50)=-0.613V
，真实电压为
-1.227+
（
-0.613
）
=
-1.84V
经过原端一次、末端两次反射后
VR5=4.5V+(-1.84V)=2.66V
要分清阻抗不连续处的反射电压与真实电压。
R5
的波形
知道了反射电压的计算，再来看反射波形是什么样的？
首先，波形是随着传输线的时延传播和反射的；
其次，波形的反射是整个波形的反射；
第三，边沿的上升时间不变，是整体上升沿在这个时间内进行“拉伸”或“压缩”。
了解了信号反射的特点后，那么信号波形的好坏到底和什么有关呢？
来看一个拓扑结构：
初始波形
R5
与
R12
波形如下：
把
TL11
阻抗改为
100Ohm,
波形如下：
把
TL11
阻抗改为
60Ohm,
波形如下：
反射波形的幅度与反射系数有关，反射系数越大，反射波形幅度越大，波形质量越差。
接着看：
把不连续处的传输线时延由
3ns
改为
1ns
3ns
时
R5
与
R12
波形如下：
1ns
时
R5
与
R12
波形如下：
0.6ns
时
R5
与
R12
波形如下：
7
来看一下
TL11
传输时延的扫描结果：
0.1ns~1.6ns
从上述扫描波形中可以看到如下几点：
1
、不连续传输线时延越大，反射的波形电压幅值就越大，但是会达到饱和值（根据反射系数计算出来的值即为饱和值）；
2
、不连续处的传输线时延为
0.5Tr
时，为达到反射边沿饱和的临界点；
3
、连续处的传输线时延为
Tr/6
时，基本可以忽略反射的影响。
再看下面的情况，还是这个拓扑结构：
芯片输出端默认用的是典型值的上升时间（本例中为
0.6ns
），我们改为
fast model
（
0.4ns
），看一下波形
:
改为
slow model
（
1ns
），波形如下
:
可以看到，信号边沿的陡峭程度对于信号在遇到阻抗不连续时，也很重要，边沿越缓，波形越好；上升时间小的话，信号更容易达到饱和，因此反射幅值更差，同时上升时间小，那么信号中含有的高频分量就越多，高频分量在反射回去后可能会叠加到其他的信号上，造成噪声干扰（如
DDR
的地址线）。
所以在芯片正常工作的情况下，尽可能的选择边沿较缓，驱动能力较低的信号波形，从根源上解决了信号完整性和EMI问题。
小结：信号反射与那些因素有关：
1、
反射系数
2、
不连续传输线的长度
3、
信号的边沿陡峭程度
·芯片的接收
芯片是怎么接收的？
先看一下信号在传输线上的波形：
传输线当中的波形，
R5
波形如下：
U2
呢？
U2
的高电平不是
VR5
了，发生了反射
芯片末端为高阻抗，即反射系数近似等于
