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东芝内存业务竞标成为政治角力场?如何再起日专家纷提建言;韩国3D NAND闪存三季度有望占全球一半市场

集微网  · 公众号  · 硬件  · 2017-05-06 07:32

正文

1.东芝内存业务竞标成为政治角力场?

2.索罗斯基金出手 Violin Memory完成出售业务;

3.国产手机厂商集体提价 存储芯片迎来涨价潮;

4.英特尔发布采用3D NAND技术的数据中心级固态盘;

5.韩国3D NAND闪存三季度有望占全球一半市场;

6.东芝如何再起 日专家纷提建言


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1.东芝内存业务竞标成为政治角力场?


现在的日本舆论一面倒地偏向拯救一家传奇性的本土企业,怪的是很少有人提及该如何拯救东芝的内存业务...


东芝(Toshiba)令人垂涎的内存业务第二轮竞价即将在几周内展开,但其程序的不透明,暴露了日本政治人物、官僚体系、企业领导人以及金融圈之间的利益分歧;许多观察家将这种持续加深的分歧,归咎于正折磨着日本半导体产业的不满情绪。 而且,该竞标程序已经成为一个高度政治化的焦点,这也是为什么日本媒体对该事件如此关注。


不过在指出东芝内存业务竞标程序的漏洞之前,我们得看清楚在这场赌局上有哪些玩家:在第一轮竞标时,东芝将出价者范围缩小为仅四家厂商──WD (Western Digital)、Broadcom、SK Hynix以及鸿海(Hon Hai)。


就在两个星期以前,投资业者KKR以及两家日本官方支持机构──Innovation Network Corp. of Japan (INCJ)以及日本开发银行(Development Bank of Japan,DBJ)──的联合提案浮上台面,据了解是准备参与第二轮竞标。 WD是东芝NAND闪存业务的美国合作伙伴,该公司也坦承已经与日本政府支持的投资者洽谈连手参与第二轮竞标的可能性。


几个日本产业界消息来源指出,最终这场竞标的胜利者不会是最高出价者,而是要看能最对那些政客、官僚以及东芝高层的胃口──如果是这样,他们到底想要什么?



谁对竞标东芝内存业务有兴趣?

(来源:Takashi Yunogai、日本当地媒体、EETimes综合整理)


一方面,日本的政治人物们渴望拯救水深火热中的东芝,拉抬日本的国家声望;日本的官僚则一直坚信由上而下的产业政策──尽管自「Japan, Inc.」走下坡,这种策略的成效有好有坏,他们仍想恢复日本电子产业的往日荣光。


在另一方面,东芝的管理高层将出售其最有价值的芯片业务部门,视为自救的唯一解决方案,也能避免从东京证券交易所(Tokyo Stock Exchange)下市的风险;他们想要尽快摆脱内存业务,如此就能填补东芝收支平衡表上的大洞──因为其美国核能业务Westinghouse Electric Co.的严重亏损;这家东芝旗下的公司已于3月申请美国的破产保护。


在此同时,日本的银行家们则直截了当地表示对竞标东芝内存业务兴趣缺缺,因为该业务正在缩水。 INCJ在今年稍早就多次重申,他们没有意愿透过投资东芝的内存业务来拯救东芝,或许透露了些许端倪;INCJ的投资是由日本经济产业省(MEITI)监督。


而就算你不了解日本的政治,你也能察觉到东芝决定出售赚钱的内存业务,其思考逻辑是有缺陷的;其中最大的一个,是东芝坚持不能从东京证交所下市--这件事究竟哪里不好? 更令人震惊的,则是日本政客与官僚看来「默契十足」,尽管东芝在过去几年爆出商誉问题,他们从来没对该公司严苛质疑过。


东芝的不良决策范围广阔,包括2015年金额达13亿美元的假帐丑闻,还有在美国核能业务成本巨额超支之后,减列63亿美元的支出,然后在未取得会计师事务所PwC的背书情况下,延迟了两倍的时间提交财报;而东芝在不久前也宣布要换掉PwC,表示这能解决全年度营利陷入僵局的问题并维持上市。



东芝社长纲川智(Satoshi Tsunakawa)在公司官网上宣示将重新取得投资大众信任

(来源:东芝)


要拯救东芝一定得抛弃内存业务?


现在的日本舆论一面倒地偏向拯救一家传奇性的本土企业,怪的是很少有人提及该如何拯救东芝的内存业务,就算他们将该业务称之为日本半导体产业之光。


毕竟,如果东芝的闪存业务成功出售,拿到的钱--估计为180亿美元到270亿美元--最后将会收进母公司的口袋,而不是被卖掉的NAND闪存业务本身;该业务部门的工程师一起被售出之后,也不会看到任何一分「卖身」钱。


到目前为止,可悲的是在日本全国对东芝的讨论中,缺乏来自传统上沉默寡言的日本工程社群之声音...



如果有谁会认真思考对东芝内存业务最好的未来,应该会是那些花了好几年时间开发技术并将之推上市场的工程师们;就算他们通常并非决策者,难道不应该有人问问他们想要什么? 说不定他们就有实际的想法,能帮助东芝的闪存业务在全球市场上继续生存。



东芝2016财务年度第一季到第三季(共九个月)的财报数字

(来源:东芝)


为此EE Times记者向日本微细加工研究所(Fine Processing Institute)所长汤之上隆(Takashi Yunogami)讨教对东芝内存业务之未来的看法;汤之上曾任职日立(Hitachi),为干式蚀刻(dry etching)技术专家,并曾撰写多本关于日本半导体产业的书籍, 目前担任数所日本大学的客座讲师以及日本芯片公司的顾问。


问:在东芝内存业务的四家竞标者(WD、Broadcom、SK Hynix与鸿海)中,你认为谁最合适?


汤之上:我只能告诉你哪一家对东芝的内存芯片工程师来说是最糟的选择,那就是由WD、KKR、INCJ与日本开发银行(DBJ)组成的联盟;我还听说日本政府正在征求来自日本企业的投资,到目前为止,只有富士通(Fujitsu)与Fuji Film是唯二两家愿意拿出一点资金的厂商。 这对东芝的芯片业务会是灾难性的选择。


问:为何是灾难性的?


汤之上:像是那样的大型联盟,往往会遵循一个以内部共识为基础的决策程序;但内存芯片业务需要的是快速、大胆而且果断的投资策略,甚至在市场周期走下坡时也是如此。 这是为什么三星(Samsung)的DRAM业务能够在市场胜出;一个包含太多厂商的大型投资联盟,永远无法取得成功。


问:如果以你的看法这是最糟的选择,那最好的会是哪个?


汤之上:用消去法,我个人偏向鸿海;我认为鸿海董事长郭台铭最有气势──准备好在东芝的内存业务赌一把。


鸿海对东芝内存业务的出价是270亿美元,是竞标者中最高的,伴随而来的还有夏普(Sharp)与苹果(Apple)各27亿美元的投资。


日本对技术出口的管制


问:鸿海与SK Hynix的竞标看来对日本官僚与政治人物们没有太多吸引力,他们不喜欢看到日本的技术被中国或是韩国人使用获控制,是这样吗?


汤之上:他们是以外汇外贸法(Foreign Exchange and Foreign Trade Act;日本简称为「外为法」)为借口,不让本土技术出走;但这是没有意义的。


问:根据我的了解,「外为法」有点像是美国的外国人投资审议委员会(CFIUS),日本政府虽然口头上表示国际贸易应该是自由的,但考虑到国家、民众与环境安全,对边境做一些控制与协调也是有必要;所以你为何认为「外为法」是没有意义的?


汤之上:很多关于3D NAND技术的机密以及IP,中国早就已经有了;东芝并非唯一开发3D NAND技术的厂商。



长江存储科技准备在武汉兴建内存厂

(来源:汤之上隆)


现在拥有中国武汉新芯(XMC)的紫光集团(Tsinghua Unigroup),投资了一家名为长江存储科技(YRST)的内存厂,即将于武汉建厂;该厂将利用Spansion的Mirror-Bit技术(一开始是为NOR闪存而开发,后来三星将之用于开发NAND闪存),而武汉新芯也已经投入32层3D NAND的试产。


许多半导体业者是在相互纠缠的交叉授权协议网络下运作,因此日本的「外为法」对于防堵先进技术根本发挥不了作用,因为那些技术早就已经在韩国与中国进行开发。


问:那么你对Broadcom/Silver Lake这个竞标者的看法是?


汤之上:理论上来说,这个竞标者取得批准的障碍应该最低,因为Broadcom并非东芝闪存业务的竞争对手(因此没有反垄断的顾虑),而且该公司并非中国业者(也不需要担心技术出口管制),背后还有Silver Lake这个金主。


但为何Broadcom需要NAND闪存技术? 这家公司收购东芝内存打算做什么? 这些都不清楚。 缺乏Broadcom背后动机信息,使得其收购提案看来前途不妙,而且我没看到该公司有任何日本政府支持的投资伙伴。


被忽略的工程师声音


问:不久前路透社(Ruters)报导,Broadcom也正在与INCJ、DBJ洽谈合作竞标,他们可能会与WD抢夺日本政府的支持;而现在我还听说你最近曾与一些在东芝四日市(Yokkaichi)据点的工程师见面,他们有什么看法?


汤之上:虽然有人在质疑以180亿美元收购东芝的NAND闪存业务是太贵还是太便宜,东芝的内存工程师们说他们根本不在乎,因为那些钱不会投资在NAND业务本身,与他们完全无关。


问:他们对此感到愤怒吗? 或是感觉灰心?


汤之上:这是当然,他们很愤怒;NAND闪存业务是东芝集团的支柱之一,那些工程师没有做任何错事,他们努力工作并对公司的营收做出贡献,但他们却要被卖给未知的新老板。 有一位年轻工程师才刚加入东芝半导体部门两年,他对我说:「我原本想着我进入了一家成长性很好的公司,但现在我被告知只是为一家制造电梯的公司工作。 」


问:你有看到很多东芝的员工因此离职吗?


汤之上:我听说在东芝的总公司,有很多人开始找新工作;在内存业务部门,我预期会有许多竞争对手如武汉新芯、三星等等,会以高薪来挖角NAND闪存工程师。 东芝已经发生了大规模的人才流失情形,包括有一些资深东芝工程师已经前往武汉新芯任职。


eettaiwan



2.索罗斯基金出手 Violin Memory完成出售业务;


全快闪存储器储存阵列与设备供应商Violin Memory于日前向美国证券管理委员会提交宣誓书,除了解释2016年12月宣布的破产事件,并透露已于4月24日完成重组工作,以及与索罗斯基金管理公司(Soros Fund Management)旗下私人投资基金Quantum Partners有关的出售流程。

根据eWeek报导,Violin将保留知识产权、客户群和专业团队,Quantum Partners则接手公司业务。Violin于2013年9月上市,募集资金1.62亿美元,但股价从未达到预期水准,1年前股票变成壁纸。

尽管近年Violin陷营运泥沼,但产品开发仍在进行,其最新的全快闪存储器产品阵列,包括快闪存储器储存平台7650和7450,已于2016年9月推出。此外,Violin公布对整个FSP系列的新白金级别客户服务内容,Violin还发表一个在云环境下运作的Concerto in the Cloud软件产品,是Violin操作系统的虚拟化实例,可以部署在公共、私有或混合云上。

Violin新任首席执行长兼总裁Ebrahim Abbasi表示,索罗斯购并Violin,认识到Violin的世界级客户,包括财富500大企业(Fortune 500)的价值以及其团队表现出的创新传统和奉献精神。

Violin是全快闪存储器阵列市场的先驱者之一,然而自2005年成立以来,世界上几乎每个存储器公司都透过增强旗下快闪存储器阵列选项,加入市场战局。

Violin的NAND flash和动态RAM储存阵列专为需要快速处理和分析大型数据集的环境而设计,2011年,Violin是第一家提供NAND flash阵列作为第一线储存的企业之一,当时第一线储存仍然是硬碟的领域。 后来存储器产业的发展远超过此,而Violin不得不高速行驶才能回到这条快车道上。

Violin的早期客户之一惠普(HP)直到与Violin合作才发展储存业务,Violin利用与惠普的大合约,在2012年获得巨额收入,推升销售额从1,140万美元跃升至5,390万美元。

不过,荣景在惠普于2010年购并另一家新一代储存厂商3PAR之后宣告终结,虽然3PAR并不是一个大型NAND flash竞争者,但失去核心客户让Violin开始走下坡。不过Violin的产品设法立足于市场并幸存下来。

Violin在创立以来的前10年从投资者方取得1.86亿美元,其中包括拥有该公司14%股份的东芝(Toshiba)、Juniper Networks和SAP风险投资公司。DIGITIMES



3.国产手机厂商集体提价 存储芯片迎来涨价潮;


赵思茵


近日,小米、魅族、乐视等多家手机厂商相继宣布为其手机产品调价,涨幅从几十元到近千元不等。其中,华为最近推出的P10手机与前代机型P9相比涨了近千元。


而在此期间,存储芯片也迎来了一波“涨价潮”。根据研调机构WSTS及IC Insight统计,今年第1季DRAM(动态随机存储器)报价较去年第4季上涨26%,更较去年同期成长45%,至于NAND Flash(资料储存型闪存)报价首季报价季增8%,年增率也高达4成之多。而手机内存中,普通的8G DDR4内存从200元直接翻了一倍到目前的400元以上,DDR3内存的价格也跟着水涨船高,将近翻了一番。


易观媒介入口分析师赵子明对《中国经营报》记者表示:“主要还是产能不足,出货量跟不上需求导致存储芯片价格上涨。”


手机价格水涨船高


全球内存和闪存芯片市场的大幅涨价,手机、电脑等产品的价格也是水涨船高。近日,华为推出P10手机,最低售价3788元,不仅相比前代华为P9最低2899元涨了近千元,更比顶级旗舰Mate9的3399元还要高出400元。


“一是因为汇率问题而引起的手机成本上升,二是由于内存颗粒售价大幅上涨,P10是直接4G+64G起步的,而此前Mate9是4G+32G起步,内存大了,售价自然贵了。”华为消费者业务CEO余承东如此解释说。


想要趁存储芯片涨价之机提升手机售价的还有魅族、乐视、小米等多家手机厂商。2017年初,这几家公司都曾宣布因元件价格上涨而公开上调价格。即便是以高利润著称的苹果,也在一季度财报会议上感慨:“存储芯片价格变动影响了该公司业绩。”


飙涨的内存价格虽然让不少手机厂商“怨声载道”,却也拯救了不少曾经业绩亏损的内存企业。


今年初,创了日本制造企业历史上最大亏损额纪录的东芝公司,提出要出售存储芯片业务后便吸引了富士康、博通、苹果、SK海力士、美光科技、西部数据等十余家企业的目光。其中,鸿海富士康更是开出了3万亿日元(270亿元人民币)的高额竞购价格。


即便是去年饱受Note7手机爆炸负面影响的三星电子,也因内存价格暴涨,在2017年开局交出了一份亮眼的成绩单。


据三星电子4月27日公布的2017年一季度财报显示,其当期50.55万亿韩元的销售额同比微增1.54%,但9.9万亿韩元的营业利润却同比大增48.27%。在这其中,第一季度芯片业务的营业利润达到6.31万亿韩元,占到三星电子整体营业利润的近64%。IT和移动通信业务在2017年一季度实现营业利润2.07万亿韩元,在三星内部排名第二,但比去年同期下滑约47%。


可以说,内存芯片业务不仅没有让三星的业绩在Note爆炸事件中受到影响,反而创下了9.9万亿韩元的三星电子单季营业利润的第二高峰。


因内存涨价赚得盆满钵满的企业可不止三星一家。SK海力士股价今年已经累计上涨了大约49%,有望创下自2009年以来的最大涨幅。与此同时,该公司今年第一季度净利润约116亿元人民币(营收约384亿元人民币),环比增长17%,同比则暴涨了324%。


而去年同期净亏损9700万美元的美光科技有限公司,在2017财年Q2季也因为存储芯片价格上涨,取得了营收46.5亿美元、毛利率36.7%、净利润8.94亿美元的成绩。


内存涨价何时休?


对于不断上涨的内存价格,易观媒介入口分析师赵子明对《中国经营报》记者称:“主要还是产能不足,出货量跟不上需求导致存储芯片价格上涨。”市场研究公司IHS预计,明年NAND闪存芯片行业收入将同比增长5.9%至357亿美元,高于今年的5.7%增速。


近期的华为“P10闪存门”更是凸显了存储芯片产能紧张的问题。在华为公布的信息中,P10款手机将使用UFS2.1闪存,能达到800MB/s的读写速度。但随着2017年上半年新手机的不断发布,华为从供应商拿到的UFS2.1规格闪存开始减少。为了保证供应,华为不得不采用了多种规格闪存共用,而这也成为 “闪存门”爆发的根本原因。


“目前国内手机几乎都在上DDR4,需求量大,但受限于供应链产能,内存价格一涨再涨。”赵子明进一步推测道,“涨势可能不会持续太久,但价格应该会保持高位。上涨态势可能会保持到2018年乃至2019年。”


而市场调研机构TrendForce旗下部门集邦科技的报告也显示,存储芯片供不应求的状况越来越严重。2017年第一季度全球PC内存的合约价可能会环比暴涨接近40%,而且第二季度仍将继续上涨。


在目前的存储芯片市场中,三星、镁光、海力士、东芝和闪迪5家外资企业占据了90%以上的市场份额。集邦科技指出,虽然内存厂商已经开始着手扩充产能,但都非常保守。其中,三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂商皆以提高新制程比例增加产出为主,并未大幅扩张新产能。


“至少要到今年下半年才会对市场产生真正影响。”赵子明续称。数据显示,海力士第一季度的内存芯片出货量只增长了5%,而NAND闪存芯片出货量同比下降了15%。


对于内存厂商的做法,赵子明并不意外。在他看来, 虽然海力士的内存出货量只提升5%,闪存出货量下降,但两者的平均价格分别增长了24%和15%,涨价可以平抑因出货量下降带来的损失。


“在所有的电子零部件产品中,内存和闪存芯片的价格波动十分剧烈,有上涨的时候,也有狂跌的时候。这已经成为行业惯例。在早年个人电脑时代,内存价格一天一变。”赵子明解释称,“内存厂商不是菜农,看得很清楚。”


即便是占了全球移动DRAM内存市场64.5%份额的三星电子,也对外表态,今年第二季度芯片仍将保持较高售价,紧张的供应也将持续。 中国经营报



4.英特尔发布采用3D NAND技术的数据中心级固态盘;



集微网消息,今天,英特尔发布了英特尔® 固态盘DC P4500系列及英特尔® 固态盘DC P4600系列两款全新的采用3D NAND技术的数据中心级固态盘,加强了其扩大3D NAND供应的承诺。


作为英特尔® 固态盘数据中心产品家族的最新补充,这两款产品主要为云存储解决方案所设计,可应用于软件定义存储及融合式基础设施。英特尔® 固态盘DC P4500系列专门针对数据读取进行优化,能让数据中心从服务器中获得更多价值并存储更多数据。而针对混合型工作负载所设计的英特尔® 固态盘DC P4600系列则可以加速缓存,并使每台服务器可运行的工作负载量实现提升。


基于英特尔3阶单元(TLC)3D NAND的英特尔® 固态盘DC P4500系列及英特尔® 固态盘DC P4600系列具备业界领先的存储密度,同时使用英特尔全新开发的控制器、独特的固件创新,并采用PCIe/NVMe标准。全新的数据中心级固态盘将实现性能、容量、可管理性及可靠性的结合,并为数据中心提供颠覆性的价值。以上独特的技术优势将在加速向软件定义存储迁移的同时加强有效扩展性,提升数据中心的效率,并在提高服务水平的同时降低总体拥有成本。初期,英特尔® 固态盘DC P4500系列与英特尔® 固态盘DC P4600系列将发布容量分别为1TB、2TB、4TB的半高半长的插卡式及U.2接口2.5寸形态的产品。


此外,英特尔在中国大连也在扩建Fab68工厂以扩大3D NAND的供给,进而满足最终用户的存储需求。2015年10月,英特尔宣布投资建设大连Fab68工厂并转产3D NAND。


您可访问www.intel.com/ssd以阅读更多关于英特尔3D NAND、英特尔® 固态盘数据中心家族,以及全新的英特尔® 固态盘DC P4500系列与英特尔® 固态盘DC P4600系列的内容。


5.韩国3D NAND闪存三季度有望占全球一半市场;



SK海力士将于三季度最先推出72层的3D NAND







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