美国对华半导体政策自
2016
年以来由合作转向全面遏制，已从“抑它”和“强己”两个维度构建了对华半导体制裁政策体系。
奥巴马第二任期后期（
2016
年
-2017
年初）美国开始警惕并限制中国半导体产业的崛起，并采取一定限制性措施。特朗普第一任期（
2017
年
-2021
年初），美国对华半导体态度显著恶化，采用“大棒”和“全面脱钩”策略，综合运用定向制裁、高额关税、出口管制、清单制裁、投资审查等多种制裁手段，全方位、高强度打压中国半导体产业。拜登任期（
2021
年
-2025
年初），美国延续对华半导体竞争态势，采取“胡萝卜加大棒”和“小院高墙”策略，调整制定更为精准的制裁政策，并格外重视通过产业联盟和财政补贴两大方式维护和强化美国本土半导体产业链的主导地位，同时进一步打压中国半导体产业尤其是先进制程的发展
。
特朗普二次上台后预计对华半导体制裁细分政策存在调整变数，但整体制裁力度预计会再升级。
综合特朗普第一任期政策与其竞选期间言论，预计特朗普第二任期美国对华半导体制裁力度或更趋强硬，如加强对华出口管制、扩大制裁清单、收紧投资限制等。同时，特朗普政府较拜登政府或在关税、产业联盟和财政补贴三方面施政风格差异大，如或将偏向单边行动、强调利用关税手段而非产业联盟手段迫使盟友限制对华半导体合作并在美建厂、延缓《芯片法案》为代表的财政补贴政策手段落地。
近年我国半导体产业在政策呵护和产业自强之下国产化率不断提升，但仍存大量瓶颈亟待突破。
2014
年至
2016
年国家先后出台《国家集成电路产业发展推进纲要》、《中国制造
2025
》等纲领性文件，明确半导体产业关键地位。
2020
年《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》发布，从财税、投融资等八个领域全方位、系统性优化产业发展政策环境。近年来，国家聚焦前沿技术领域，致力于推动集成电路等战略性新兴产业技术在新兴领域的应用和创新，着力提升半导体等前沿领域的核心竞争力。在外部压力下，国内企业积极应对，中国半导体产业自主率逐年攀升，中低端和传统封装材料，去胶、清洗及刻蚀设备等环节国产化率已超
50%
。但产业整体国产化率不高，尤其电子特气、掩模版、高端光刻胶等关键材料和高端材料，量测、光刻等细分领域和中高端制程设备仍依赖进口，国产替代空间广阔，国内
EDA/IP
厂商虽积极布局，但与海外龙头企业差距明显，相关企业存在较大发展空间。
未来中国半导体产业突围需政企协同发力。
强化战略引领与顶层设计，利用体制优势优化产业治理与资源配置，推动技术攻坚与产业协同，鼓励原创性、颠覆性科技成果转化，培育耐心资本，拓展国际合作有助于从政策层面应对外部长期挑战。产业与企业端需稳固成熟制程，培育差异化竞争优势，加快技术创新和自主可控，深化产业链协同与跨界合作，把握投资并购机遇，积极拓展国际合作。政府与企业相辅相成，共同推动中国半导体产业在困境中砥砺前行，实现可持续发展。
风险提示：
全球半导体产业增长不及预期、美国半导体制裁进一步加剧、海外半导体技术进步速度加快、国产替代进度不及预期。
