关于半导体“黄光区”的75个问题及答案，Litho人必看：
51、光刻部的主要机台是什幺? 它们的作用是什幺?
答：光刻部的主要机台是: TRACK（涂胶显影机）, Sanner（扫描曝光机）。
答：Track 把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片,而曝光机就是一台最高级的照相机. 光罩上的电路图形就是'人物'. 通过对准,对焦,打开快门, 让一定量的光照过光罩, 其图像呈现在芯片的光刻胶上, 曝光后的芯片被送回Track 的显影槽, 被显影液浸泡, 曝光的光刻胶被洗掉, 图形就显现出来了。
答：蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受,会有部份值反射掉,此反射之量,称为反射功率。
答：它是指某个产品,它的最小'CD' 的大小为0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高, 每个芯片上可做的芯片数量越多, 难度也越大.它是代表工艺水平的重要参数。
55、从点18工艺到点13 工艺到点零9. 难度在哪里?
答：难度在光刻部, 因为图形越来越小, 曝光机分辨率有限。
答：NA是曝光机的透镜的数值孔径;是光罩对透镜张开的角度的正玹值. 最大是1; 先进的曝光机的NA 在0.5 ---0.85之间。
答：分辨率=k1*Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波长;NA是曝光机的透镜的数值孔径; k1是标志工艺水准的参数。
答：减短曝光的光波长, 选择新的光源; 把透镜做大,提高NA。
答：因为白光中包含365nm成份会使光阻曝光,所以采用黄光; 就象洗像的暗房采用暗红光照明。
答：芯片（Wafer）被送进Overlay 机台中. 先确定Wafer的位置从而找到Overlay MARK. 这个MARK 是一个方块 IN 方块的结构.大方块是前层, 小方块是当层;通过小方块是否在大方块中心来确定Overlay的好坏。
答：光罩上图形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一块（这一块就叫一个Field）,激光工作台把WAFER 移动一个Field的位置，再曝一次光，再移动再曝光。直到覆盖整片WAFER。所以，一片WAFER 上有约100左右Field。
63、Track和Scanner内主要使用什幺手段传递Wafer
答：机器人手臂（robot）, Scanner 的ROBOT 有真空（VACCUM）来吸住WAFER. TRACK的ROBOT 设计独特, 用边缘HOLD WAFER。
64、可否用肉眼直接观察测量Scanner曝光光源输出的光？
65、为什幺黄光区内只有Scanner应用Foundation（底座）
答：Scanner曝光对稳定性有极高要求（减震）。
答：从80’S 至今可分4阶段:它是由曝光光源波长划分的;高压水银灯的G-line（438nm）, I-line（365nm）; excimer laser KrF（248nm）, ArF laser（193nm）。
答：芯片（Wafer）被送进CD SEM 中. 电子束扫过光阻图形（Pattern）.有光阻的地方和无光阻的地方产生的二次电子数量不同; 处理此信号可的图像.对图像进行测量得CD。
答：DOF 也叫Depth Of Focus, 与照相中所说的景深相似. 光罩上图形会在透镜的另一侧的某个平面成像, 我们称之为像平面（Image Plan）, 只有将像平面与光阻平面重合（In Focus）才能印出清晰图形. 当离开一段距离后, 图像模糊. 这一可清晰成像的距离叫DOF。
69、曝光显影后产生的光阻图形（Pattern）的作用是什幺？
答：曝光显影后产生的光阻图形有两个作用：一是作刻蚀的模板，未盖有光阻的地方与刻蚀气体反应，被吃掉．去除光阻后，就会有电路图形留在芯片上．另一作用是充当例子注入的模板。
答：光阻种类有很多．可根据它所适用的曝光波长分为I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻。
答：Scanner 是一个集机，光，电为一体的高精密机器；为控制iverlay<40nm,在曝光过程中，光罩和Wafer的运动要保持很高的同步性．在250nm/秒的扫描曝光时，两者同步位置<10nm．相当于两架时速1000公里／小时的波音747飞机前后飞行，相距小于10微米。
答：光罩是一块石英玻璃，它的一面镀有一层铬膜（不透光）．在制造光罩时，用电子束或激光在铬膜上写上电路图形（把部分铬膜刻掉，透光）．在距铬膜5mm 的地方覆盖一极薄的透明膜（叫pellicle），保护铬膜不受外界污染。
答：光阻层的厚度与光阻种类有关．I-line光阻最厚。
答：光阻厚度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋转速度有关，越快越薄，与光阻粘稠度有关。
