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砸89亿美元,三星西安3D NAND大扩产;斥资20亿美元,美光扩产广岛DRAM厂;Flash荣景可续 DRAM恐转疲;

集微网  · 公众号  · 硬件  · 2017-05-30 07:24

正文

1.砸89亿美元,三星西安3D NAND大扩产;

2.斥资20亿美元,美光扩产广岛DRAM厂;

3.内存:Flash荣景可续 DRAM恐转疲;

4.西部数据或加入日本政府KKR团队竞购东芝芯片



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1.砸89亿美元,三星西安3D NAND大扩产;


集微网消息,韩国三星电子周一表示,由于行业处于繁荣阶段,正在考虑扩大其中国制造基地的存储器芯片产能。


  三星发言人称,正在考虑扩大西安工厂的产能,但具体细节还未确定,包括可能的投资规模以及新增产能将用于生产哪些产品。


        消息人士说:「三星与当地政府正进行协商最后阶段。 很可能在9月动工。 」三星西安厂现有第一产线是在2014年兴建,月产12万片NAND内存晶圆,若加上规划中的第二产线,产量将达20万片。


  三星电子是全球最大的存储器芯片生产商,已经在西安工厂投资70亿美元生产3D NAND存储器芯片。这种芯片用于智能手机、个人电脑和数据服务器等电子设备上的高端数据存储产品。


    三星原本已于西安厂投资70亿美元生产NAND,现在计划让位于南韩京畿道平泽市的全新NAND芯片厂自6月启动营运,月产能可达20万片。


     三星陆厂将生产较低端芯片,多数供应中国手机市场,而韩厂将专注于生产高端芯片。


  由于用户对消费电子产品处理能力的需求不断增长,以及随着技术越来越复杂,投资的生产收益下降,预计三星等存储器芯片公司将在2017年录得创纪录的营收和利润。市场研究公司IHS预计,今年的存储器行业收入将跃升32%至创纪录的1,040亿美元。


  业界高管和分析师表示,3D NAND供应商2017年全年可能难以满足客户的订单。


  三星及其同业相应地增加了3D NAND投资。 虽然三星迄今没有给出具体目标,但在4月份表示,资本支出今年将大幅上升,部分原因是其计划提高3D NAND产能。


    内存业表示,三星提高资本支出增产3D NAND Flash,预估投产时间落为2019年,与大陆内存厂产出的时间相近,是否会引发市场供需陷入供过于求,目前还难断定。


    群联电子董事长潘健成表示,3D NAND制程难度高,且需求相当强劲,主要制造大厂均表示未来三年的产能仍无法供应,因此预料三星增产3D NAND芯片,应是看好在3D NAND芯片取得较佳机会。


    潘健成认为,至少二年内,NAND芯片会一直缺货,而且今年第3季将是史上最缺货的一季。


    此外,三星资本支出集中增产3D NAND Flash,目前虽未有增产DRAM计划,但对DRAM厂而言,仍将处于供需平衡阶段。 业者也预期,目前各家都有节制的增产,透过技术升级达到增加产出,未见投资新厂,但后续得密切观察三星在内存的产能挪移。


    南亚科估计,今年DRAM也是处于缺货的一年,下半年以第3季缺货程度最高,缺口估有1%~2%,预料进入传统备货旺季,DRAM价格会再看涨。



2.斥资20亿美元,美光扩产广岛DRAM厂;


集微网消息,据日经新闻报导,美光科技计划未来二至三年斥资20亿美元,在位在日本广岛的工厂量产主要应用在智能手机、数据中心和自驾车的新世代DRAM。


报导指出,美光已在这座厂房内增设无尘室,并准备研发13nm芯片的制程技术。 该公司已买下多台订价数十亿日圆的尖端芯片制造设备进行研发,预料在DRAM芯片开始量产后,还会添购更多设备。 这座工厂原属于尔必达,2013年随着尔必达一起并入美光旗下。


目前在全球DRAM制造商居第三的美光正加紧研发,以赶上业界龙头南韩三星电子的脚步。 和美光目前采用的16nm制程技术相比,13nm芯片装配在单一晶圆上的数量更多,生产效益预料可提升逾20%。



3.内存:Flash荣景可续 DRAM恐转疲;


集微网消息,据海外媒体报道,内存市况热络,其中Flash缺货情况比DRAM更为紧俏,业界预期,Flash荣景可能延续到年底,甚至是明年,而目前看来,DRAM可能到第3季就会开始显现部分疲态。


内存业界指出,各家原厂3D NAND Flash逐步开出,但预期今年内供需失衡的情况仍难以完全改善,所以整体市况仍偏向乐观。


至于DRAM方面,业界评估,价格涨势已逐渐到达临界点,渠道商也已建立一定的库存,因此或许后续第3季的价格就会开始盘整。


不过南亚科估计,今年DRAM也是处于缺货的一年,下半年以第3季缺货程度最高,缺口估有1%~2%,预料进入传统备货旺季,DRAM价格会再看涨。



4.西部数据或加入日本政府KKR团队竞购东芝芯片



    集微网消息,日本朝日新闻报道,西部数据正与INCJ、美国私募基金KKR为主的美日联盟积极协商,希望双方结盟共同竞标东芝半导体。 由于INCJ具有日本官方背景,如果双方携手,西部数据打算撤销日前向国际商业仲裁法庭(ICC)提出的要求,即停止出售东芝内存一案。


对此,东芝与INCJ、KKR及日本经济产业省正在研议。 原本西部数据反对东芝出售旗下半导体业务,认为竞标将损及西部数据利益,并希望能排除其他竞标厂商,优先取得独家竞标权。 业界解读,西部数据可能担心与东芝对立时间过长,恐怕对日后半导体制造产生不良影响。


INCJ为主的美日联盟,主要出资者为美国私募基金KKR,此外,还有日本政策投资银行。 外电指出,西部数据提出的方案,是与INCJ的美日联盟结盟合作,多方携手成立新公司,以日圆2兆元买下东芝半导体。


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