全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）将于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：11号馆D14）。
届时，将聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时，罗姆工程师还将在现场举办的“宽禁带半导体器件—氮化镓及碳化硅论坛”以及“电动汽车论坛”等同期论坛上发表演讲，分享罗姆最新的功率电子技术成果。
罗姆拥有世界先进的碳化硅为核心的功率元器件技术，以及充分发挥其性能的控制IC和模块技术，在提供电源解决方案的同时，为工业设备和汽车领域的节能化、小型化做出贡献。在本次PCIM Asia展会上，针对日益增长的中国市场需求，罗姆将重点展示以下产品和解决方案：
罗姆在碳化硅功率元器件和模块的开发领域处于先进地位，并推出了EcoSiC™品牌。其中，先进的
第4代SiC MOSFET
技术实现了业界领先的低导通电阻，充分地减少了开关损耗，并支持15V和18V的栅极-源极电压，有助于在包括汽车逆变器和各种开关电源在内的各种应用中实现显著的小型化和低功耗。
在本次展会上，罗姆将在首次推出其适用于车载牵引逆变器的新型二合一SiC功率模块“
TRCDRIVE pack™
”。该系列产品为小型封装，内置第4代SiC MOSFET，实现了业界超高功率密度，助力xEV逆变器小型化发展。除此之外，罗姆还将展示生产工艺向8英寸SiC晶圆工艺的转换，并探讨有关SiC产品的未来发展方向。
TRCDRIVE pack™和EcoSiC™ 是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。在本次PCIM Asia展会上，罗姆会通过多个评估套件展示
EcoGaN™
系列150V和650V级的GaN HEMT。
Power Stage IC
“BM3G0xxMUV-LB”（包含内置650V GaN HEMT和栅极驱动器）能够实现集成度更高、体积更小的PFC和QR（准谐振）反激转换器。这些器件能为各种需要高功率密度和效率的电子系统提供更佳解决方案。罗姆还将展示多种EcoGaN™系列产品的相关电路板及其在工业解决方案中的贡献。
EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
一直以来，罗姆不仅在产品研发上投入力量，还积极与行业伙伴建立战略关系，联合推动技术创新，旨在解决社会面临的问题。除了以上丰富的产品及解决方案展示以外，届时还将展示众多合作伙伴的应用案例，不容错过！在现场更有来自罗姆的专业销售和经验丰富的技术人员助阵，互动交流。欢迎登陆罗姆官网，查看更多展会详情：
https://www.rohm.com.cn/pcim
时 间：
2024年8月28日（周三）～30日（周五）09:30～17:00（仅30日16:00结束）
会 场：深圳国际会展中心（宝安新馆）11号馆
展位号：D14
地 址：深圳市宝安区福海街道和平社区展城路1号
论坛名称：宽禁带半导体器件—氮化镓及碳化硅论坛
地点：11号馆A40展台
时间：8月28日（周三）10:50～11:10
主题：罗姆氮化镓解决方案赋能高效能源转换
论坛名称：电动汽车论坛
地点：11号馆H40展台
时间：8月29日（周四）11:10～11:30
主题：罗姆新型SiC模块驱动xEV未来出行
展会期间，罗姆将同步举办线上直播，为未能到场的朋友们带来方便的看展通道。现场资深工程师将为您详细讲解参展产品，更有精美礼品等您领取。
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