1.韩媒：高通不在三星投片7纳米SoC，竟是因担心被“抄袭”
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NOR Flash市场反弹，武汉新芯有望切入5G基站供应链
3.三星成功量产1Gb eMRAM内存，极端高温有1亿次擦写寿命
4.华勤代工的首款三星手机下线：骁龙439，百元机定位
5.业内预计全球5G用户年底达1000万，中国超300万
6.耐威科技北京8寸MEMS国际代工线首台设备搬入
1.韩媒：高通不在三星投片7纳米SoC，竟是因担心被“抄袭”
高通近日发表旗舰级芯片骁龙865，并选择由台积电负责生产代工，高通的说法是基于代工厂产能和技术考量，但韩媒Business Korea报道指出，三星7纳米没有吃到旗舰芯片骁龙865订单，只分配到中端765、765G订单，真正原因是高通担心三星“抄袭”芯片技术。
该报道指出，苹果和华为海思的情况也类似，他们把芯片交给台积电代工，就是为了保持自家技术的优势，不让三星Exynos芯片超前。各厂家忧心订单若全给三星，将影响自身竞争力。
另据报道称，为抢攻芯片代工市场，三星电子打算降价，力求提高市占率。据台湾集邦科技公司预测，三星芯片代工业务，今年第四季营收有望年增19.3%，但仍难以拉近和台积电的差距。
2.NOR Flash市场反弹，武汉新芯有望切入5G基站供应链
NOR Flash在经过去年的低谷后，今年市场快速回温。目前NOR Flash原厂及代理商去库存已至低位，产能较为吃紧，整个NOR Flash市场行情正在反弹，涨价趋势较为明显。
在国内NOR Flash原厂中，武汉新芯期宣布推出基于50nm Floating Gate工艺的SPI NOR Flash产品系列XM25QWxxC，为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。
据悉，国产NOR Flash厂商正在加速研发5G基站产品，预计明年国产512Mbit的NOR Flash将会实质的突破。目前，武汉新芯也在加速研发推进，有望在明年实现对国内5G基站大客户的批量供货，打破只有美系和台系能供应大容量NOR Flash的市场格局。
3.三星成功量产1Gb eMRAM内存，极端高温有1亿次擦写寿命
今年3月份，三星宣布全球第一家商业化规模量产eMRAM（嵌入式磁阻内存），基于28nm FD-SOI成熟工艺，可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。
在前期成功量产8Mb eMRAM内存之后，三星最近已经开始生产1Gb容量的eMRAM内存，依然是基于28nm FD-SOI工艺，其最新良率已经达到了90%，使得eMRAM内存实用性大大提升。
这款eMRAM内存在105°C高温下依然能够擦写1亿次，85°C高温下寿命高达100亿次。如果是日常使用环境，那么eMRAM内存的擦写次数高达1万亿次，已经没可能写死了。
4.华勤代工的首款三星手机下线：骁龙439，百元机定位
据韩报道，由华勤代工的三星首款智能手机Galaxy A01已经发布，主打中低端市场。据了解，这款手机采用了高通骁龙439八核处理器，搭配6GB或8GB RAM，以及128GB ROM，可通过microSD卡将存储空间扩展至512GB。
报道称，这款手机售价折合人民币700多元，属于性价比极高的百元机。预计该手机将于明年3月在印度上市。
