(
1
)
Ta
金属玻璃纳米线中的结构不均匀性:
施加
脉冲电流后,
Ta
金属玻璃纳米线中心部位直径略微减小以及部分晶化现象,表明纳米线中存在结构不均匀性,某些位点能量更高,可在电脉冲作用下优先晶化
/
致密化。
图
1. Ta
金属玻璃纳米线中的结构不均匀性。
(
a-d
)电脉冲作用下
Ta
金属玻璃纳米线的
TEM
明场像照片;(
e-h
)对应的
TEM
暗场像照片,在
150
次脉冲后出现了明显的衬度差异(白色箭头所示);(
i-l
)对应的
SAED
图像,晶化首次发生在
100
次脉冲后(白色圆圈),并在后续脉冲过程中进一步发展。
(
2
)
Ta
金属玻璃纳米线的电致塑性现象:
分别对两个外形基本相同的
Ta
金属玻璃纳米线进行纯拉伸实验和力电耦合实验。在纯拉伸条件下,纳米线表现为明显的脆性变形,塑性变形集中在剪切带附近,整个纳米线最终沿单个剪切带发生断裂(图
2a-e
);力电耦合作用下的纳米线则展现出明显的塑性变形能力,最终发生颈缩,没有剪切带产生(图
2f-j
)。图
2m
展示了两个纳米线的应变随加载时间变化曲线,力电耦合样品在脉冲瞬间存在应变突跃(红色箭头位置)。
图
2. Ta
金属玻璃纳米线分别在纯拉伸和力电耦合条件下的变形行为。
(
a-e
)
Ta
纳米线的纯拉伸变形;(
f-j
)
Ta
纳米线在力电耦合条件下的变形行为;(
k-l
)纯拉伸和力电耦合条件下的样品
SAED
图,说明无晶化发生。(
m
)两个纳米线的应变随加载时间变化图。
(
3
)电脉冲作用下
Ta
金属玻璃纳米线的结构弛豫:
在纯拉伸条件下,
FSDF
峰位(
𝑞
)随着持续的拉伸加载逐渐减小,说明纳米线中平均原子体积在拉伸后变大。力电耦合作用下,q
值的变化呈现下降
-
上升重复出现的特征,即在脉冲间隔
值下降,在脉冲瞬间
值上升。这是因为纳米线在脉冲间隔发生应力引起的结构膨胀,脉冲后纳米线发生弛豫,结构更加致密。
图
3.
纯拉伸和力电耦合条件下原位
SAED
实验。
(
a-b
)纯拉伸条件下
Ta
金属玻璃纳米线的脆性断裂,断口为剪切带;(
c-d
)力电耦合条件下
Ta
金属玻璃纳米线的韧性断裂,断口呈颈缩特征;(
e-f
)和(
g-h
)纯拉伸和力电耦合条件下的
SAED
图。(
i
)纯拉伸(蓝色折线)和力电耦合(红色折线)条件下
FSDP
位置
(
𝑞
)
随时间变化图。
(
4
)脉冲电流下纳米线的结构演变
:
对
Ta
金属玻璃纳米线进行了纯电脉冲条件下的原位
SAED
实验,以排除拉伸应力的干扰。随着电脉冲次数的增加,整体峰位逐渐向右迁移(
值增加),为典型的弛豫过程(图
4d
)。
FSDP
的半高宽在电脉冲过程中逐渐下降,说明电脉冲可以降低非晶结构的无序度(图
4e
)。图
4c
插图表明脉冲后低
值部分的衍射强度明显下降,而高
值部分的衍射强度明显上升,说明电脉冲可与密度较低的流变单元作用,使其转变为密度较高的弹性基底。
图
4. Ta
金属玻璃纳米线结构演变的
SAED
分析。
(
a-b
)脉冲前后的
SAED
图;(
c
)
FSDP
在电脉冲作用下的演变行为。插图为初始状态(浅蓝色)和二十次脉冲后(深蓝色)
FSDP
的对比图;(
d-e
)电脉冲过程中
FSDP
的峰位(
𝑞
)和半高宽(
𝒘
)的演变。
(
5
)金属玻璃电致塑性机制:
力
-
电耦合下的拉伸过程中(任意两个脉冲间隔时间),外加的轴向拉应力首先会使非晶发生弹性变形,增加自由体积,促进流变单元的产生和增殖。随着应力的持续施加,流变单元会在中间区域扩展并自组织形成一个应力集中区域(图
5b
中椭圆区域)。在电脉冲瞬间,通过电子
-
原子相互作用,流变单元发生湮灭,纳米线产生结构弛豫,导致应力集中区域流变单元的再分布,阻碍剪切带的产生。
图
5.
脉冲电流作用下
Ta
金属玻璃纳米线的电致塑性机制。
(
a-c
)拉伸应力作用下流变单元的产生(
b
)和电脉冲作用下流变单元的湮灭(
c
);(
d
)脉冲电流下的结构弛豫。