(1)Ta 金属玻璃纳米线中的结构不均匀性:
施加脉冲电流后,Ta金属玻璃纳米线中心部位直径略微减小以及部分晶化现象,表明纳米线中存在结构不均匀性,某些位点能量更高,可在电脉冲作用下优先晶化/致密化。
图1. Ta金属玻璃纳米线中的结构不均匀性。(a-d)电脉冲作用下Ta 金属玻璃纳米线的TEM 明场像照片;(e-h)对应的TEM 暗场像照片,在150 次脉冲后出现了明显的衬度差异(白色箭头所示);(i-l)对应的SAED 图像,晶化首次发生在100 次脉冲后(白色圆圈),并在后续脉冲过程中进一步发展。
(2)Ta 金属玻璃纳米线的电致塑性现象:
分别对两个外形基本相同的Ta 金属玻璃纳米线进行纯拉伸实验和力电耦合实验。在纯拉伸条件下,纳米线表现为明显的脆性变形,塑性变形集中在剪切带附近,整个纳米线最终沿单个剪切带发生断裂(图2a-e);力电耦合作用下的纳米线则展现出明显的塑性变形能力,最终发生颈缩,没有剪切带产生(图2f-j)。图2m展示了两个纳米线的应变随加载时间变化曲线,力电耦合样品在脉冲瞬间存在应变突跃(红色箭头位置)。
图2. Ta金属玻璃纳米线分别在纯拉伸和力电耦合条件下的变形行为。(a-e)Ta 纳米线的纯拉伸变形;(f-j)Ta 纳米线在力电耦合条件下的变形行为;(k-l)纯拉伸和力电耦合条件下的样品SAED图,说明无晶化发生。(m)两个纳米线的应变随加载时间变化图。
(3)电脉冲作用下Ta 金属玻璃纳米线的结构弛豫:
在纯拉伸条件下,FSDF 峰位(𝑞)随着持续的拉伸加载逐渐减小,说明纳米线中平均原子体积在拉伸后变大。力电耦合作用下,q值的变化呈现下降-上升重复出现的特征,即在脉冲间隔值下降,在脉冲瞬间值上升。这是因为纳米线在脉冲间隔发生应力引起的结构膨胀,脉冲后纳米线发生弛豫,结构更加致密。
图3. 纯拉伸和力电耦合条件下原位SAED 实验。(a-b)纯拉伸条件下Ta 金属玻璃纳米线的脆性断裂,断口为剪切带;(c-d)力电耦合条件下Ta 金属玻璃纳米线的韧性断裂,断口呈颈缩特征;(e-f)和(g-h)纯拉伸和力电耦合条件下的SAED图。(i)纯拉伸(蓝色折线)和力电耦合(红色折线)条件下FSDP 位置(𝑞)随时间变化图。
(4)脉冲电流下纳米线的结构演变:
对Ta金属玻璃纳米线进行了纯电脉冲条件下的原位SAED实验,以排除拉伸应力的干扰。随着电脉冲次数的增加,整体峰位逐渐向右迁移(值增加),为典型的弛豫过程(图4d)。FSDP的半高宽在电脉冲过程中逐渐下降,说明电脉冲可以降低非晶结构的无序度(图4e)。图4c插图表明脉冲后低值部分的衍射强度明显下降,而高值部分的衍射强度明显上升,说明电脉冲可与密度较低的流变单元作用,使其转变为密度较高的弹性基底。
图4. Ta金属玻璃纳米线结构演变的SAED 分析。(a-b)脉冲前后的SAED图;(c)FSDP 在电脉冲作用下的演变行为。插图为初始状态(浅蓝色)和二十次脉冲后(深蓝色)FSDP 的对比图;(d-e)电脉冲过程中FSDP 的峰位(𝑞)和半高宽(𝒘)的演变。
(5)金属玻璃电致塑性机制:
力-电耦合下的拉伸过程中(任意两个脉冲间隔时间),外加的轴向拉应力首先会使非晶发生弹性变形,增加自由体积,促进流变单元的产生和增殖。随着应力的持续施加,流变单元会在中间区域扩展并自组织形成一个应力集中区域(图5b中椭圆区域)。在电脉冲瞬间,通过电子-原子相互作用,流变单元发生湮灭,纳米线产生结构弛豫,导致应力集中区域流变单元的再分布,阻碍剪切带的产生。
图5. 脉冲电流作用下Ta 金属玻璃纳米线的电致塑性机制。(a-c)拉伸应力作用下流变单元的产生(b)和电脉冲作用下流变单元的湮灭(c);(d)脉冲电流下的结构弛豫。