通知

第十五届全国MOCVD学术会议

时间：2018年8月21-24日

地点：江西·井冈山

主办单位：

中国有色金属学会

承办单位：

南昌大学

国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）

第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)

半导体照明联合创新国家重点实验室

协办单位(拟)：

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司 等

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一、会议简介

金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术自二十世纪六十年代提出以来，取得了飞速进步，已经广泛应用于制备氮化物、砷化物、磷化物、碲化物、氧化物等重要半导体材料及其量子结构，极大地推动了光电器件和电子器件的发展及产业化，也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料与器件研究的关键技术。未来MOCVD技术的发展将会给化合物半导体科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。

作为MOCVD技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台，自1989年第一届会议举办以来，“全国MOCVD学术会议”已经成功举办了十四届，会议规模和影响力越来越大，成为全国学术界和产业界广泛参与的学术盛会。本次会议选择在红色文化闻名中外的江西井冈山举行，来自祖国大陆和港澳台地区的与会专家学者、工程技术人员和企业家将在MOCVD生长机理与外延技术、MOCVD设备（整机/部件/配件/原材料）、材料结构与物性、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件、LED智能照明与物联网、半导体激光器、光伏/光探测器、可见光通信技术等领域开展广泛交流，了解发展动态，促进相互合作。这次会议必将对我国MOCVD学术研究、技术进步及第三代半导体产业发展起到有力的推动作用。

二、组织机构

名誉主席： 曹健林（国家科学技术部原副部长）

会议主席： 江风益（南昌大学教授，副校长）

吴玲（国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长）

顾问委员会 （以姓氏笔画为序）：王占国、王立军、王圩、王启明、王曦、甘子钊、刘明、刘纪美、许宁生、苏炎坤、李树深、杨德仁、陈良惠、范希武、郑有炓、郝跃、侯洵、夏建白、黄如、黄维、褚君浩

程序委员会：

主任： 江风益（南昌大学）， 李晋闽 （中科院半导体所）， 张荣 （厦门大学）

委员 （以姓氏笔画为序）：王向武、王军喜、王国宏、王钢、王晓亮、王新强、云峰、叶志镇、冯志红、申德振、毕文刚、朱晓东、刘国旭、刘雷、刘榕、汤子康、孙祥祯、杜志游、杜国同、李秉杰、李清庭、杨志忠、杨焕文、杨辉、肖志国、何杰、沈波、张乃千、张伟、张守进、张国义、张韵、陆卫、陆海、陈弘达、陈刚毅、陈凯轩、陈堂胜、陈敬、武东星、范广涵、范健、罗毅、单崇新、赵德刚、郝茂盛、顾书林、徐现刚、徐科、徐宸科、高涛、高鸿楷、郭世平、郭浩中、郭霞、康俊勇、韩仲、曾一平、蔡树军、黎大兵、潘庆、潘毅

组织委员会：

主任： 刘军林（南昌大学）、 阮军 （CSA）

副主任： 徐龙权（南昌大学）

委员 （以姓氏笔画为序）：于彤军、王光绪、刘扬、刘斌、孙钱、李忠辉、李述体、吴琼、汪莱、张进成、张佰君、张保平、张家宏、张源涛、陈长清、陈鹏、胡晓东、涂长峰、曹峻松、程凯、熊志华、戴江南

三、会议地点

1.会场安排

江西省井冈山市

2.会议住宿

会议酒店及周边酒店，详细信息请参考大会官网。

四、主要日程

时间	上午	下午
8月21日		注册报到
8月22日	开幕式及大会报告	分会报告
8月23日	分会报告	大会报告及闭幕式
8月24日	参观考察及返程

五、大会主题

MOCVD与智能光电

六、会议征文

1.征文主题方向

★外延生长机理和生长动力学

☆外延结构与物性

★光电子材料与器件

☆电子材料与器件

★其他材料与器件

☆封装技术及封装材料

★设备研制与开发

☆ 衬底、MO源、高纯气体等基础材料

2.征文要求

(1) 符合上述内容的论文摘要；

(2) 论文摘要主题突出、内容层次分明、数据准确、论述严谨、结

论明确、采用法定计量单位；

(3) 论文摘要须以WORD文档格式，包含标题、作者及其单位地

址、正文、参考文献等在内不超过一页A4纸。相关模板可登录大会官网（网址：http://www.mocvd.org.cn）自行下载，提交截止日前以电子邮件方式（邮箱：[email protected]）提交至会议组委会秘书组；

(4) 所有论文摘要均编入会议文集，优秀论文将被推荐到发光学报

（EI）发表。

七、重要截止日期

1. 报告提交截止时间：2018年6月15日

2. 报告录用通知时间：2018年7月13日

3. 注册费优惠截止日：2018年7月13日

八、会议注册费

1. 普通代表（A类票）：

2500元（含会议文集、日程等会议资料及会议期间相关服务）

2. 学生代表（B类票）：