东芝发布新款96层3D NAND Flash　2018年正式量产

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     东芝发布96层3D NAND Flash的量产计划，往后将提供给资料中心、PC用SSD、智能型手机等产品利用。

    全球NAND Flash大厂东芝(Toshiba)宣布已研发出采用堆叠96层制程技术的3D NAND Flash产品，容量为32GB，预计2017年下半开始试产，2018年量产。

    日刊工业新闻报导，东芝发布96层3D NAND Flash的量产计划，往后将提供给资料中心、PC用SSD、智能型手机等产品利用。目前负责制造64层产品的是四日市工厂第5制造厂，以及新第2制造厂，未来此2座工厂都会着手制造新产品。此外，2018年夏季也将增设第6制造厂。

    负责合作生产存储器的威腾电子(WD)，也在同一天发布研发96层3D NAND的消息。东芝于同日对威腾提出告诉，威腾也对东芝提出告诉。双方关系恶化，可能会对生产存储器带来影响。

    另一方面，东芝利用QLC技术试做BiCS FLASH，并确认基本性能和使用状况。使用QLC后，实现比TLC更大容量的存储器技术。东芝试做的QLC BiCS FLASH达768GB，在同一封装积层16段，累积实现1.5TB容量。预计2017年8月在美国「Flash Memory Summit 2017」展出。