HBM需求火爆

纪要研报中心 · 公众号 · · 2024-04-25 18:05

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SK海力士今日宣布，扩建含 HBM 在内的DRAM产能，计划投资约5.3万亿韩元(约280亿人民币)建设M15X晶圆厂，长期总投资将超20万亿韩元(约1056亿人民币)。

存储周期转向供不应求，龙头积极扩产&调升稼动率

此前周期下行，海力士暂停M15X建设。而因库存去化与HBM对产能的挤占（HBM 3E相比DDR5消耗3倍晶圆），行业逐渐转向供不应求。DRAM指数自21年年中跌价64%后，目前已底部上涨33%。NAND指数自21年年中跌价63%后，目前已底部上涨95%。

海力士重启建厂，且M15X的总资本开支从此前的15增至20万亿；三星近期亦将平均稼动率调升至90%+。两大原厂积极扩产&调升稼动率，或预示对本轮复苏与HBM需求的强劲信心。

扩产正当时，HBM为重中之重

公司表示新增DRAM产能，重点是HBM。目前三大原厂24年的HBM产能已经售罄，25年产能基本被预定完。

由于HBM涉及TSV、多层堆叠等技术，对电镀机、键合机、环氧塑封料、前驱体等设备材料需求巨大，扩产望拉动相关需求。

海力士Q1财报要点

Q1营收超预期，毛利率环比提升19pct

Q1营收12.43万亿韩元，YoY+144%，QoQ+10%，略超预期；

其中，DRAM 出货环比下降15%（mid teen%），ASP环比+20%；NAND出货环比持平，ASP环比+30%。

毛利率39%，环比提升19pct，自23Q2以来各季度分别环比提升17pct/19pct/19pct。

AI需求强劲，24下半年传统市场需求回升

PC：上半年较弱，下半年预计受益企业需求迎来复苏；W10和AI PC驱动换机需求和容量提升；

手机：除具AI功能的新机外，需求较疲软，随着具备AI app的新品发布，将刺激下半年换机，带来容量和用量提升。

服务器：受益训练和推理需求，自17-18年服务器巨额建设后，当下迎来更换需求；AI服务器更多采用高密度eSSD，对高性能/密度/节能存储需求激增。

分产品展望

DRAM：预计Q2出货环比增长15%（mid teen%），HBM3E出货增长；

NAND：Q2出货持平，受益强劲需求带动，eSSD出货增长；为其他产品保留库存，直到看到更明确的最终需求复苏。

新品进展

HBM：3月开始大规模量产1b nm HBM3E，与台积电签署HBM4开发及下一代封装技术合作备忘录；

DDR5：128GB+模块的强劲销售促进了DDR5销售；1b nm 32Gb DDR5发布，为支持高密度服务器DRAM需求

NAND：Q1 高性能16通道SSD销售额增长；在24年内推出PCle Gen5 cSSD，用于Al PC；

资本开支

为扩大包括HBM在内的下一代DRAM的产能，公司资本开支预计高于前期规划；投资5.3万亿韩元(约279.84亿人民币)建设M15X晶圆厂），计划于4月底开工建设，目标2025年11月竣工并尽早量产。

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