会议时间：2017年8月10日-12日
会议地点：青海·西宁
主办单位：
中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会
中国电子学会电子材料学分会
承办单位：
广东省科学院
广东省半导体产业技术研究院
第三代半导体产业技术创新战略联盟
协办单位：
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
近年来，宽禁带半导体已成为全球高技术领域竞争战略制高点之一，国际半导体及材料领域研究和发展的热点，基于宽禁带半导体材料半导体照明已经形成巨大规模的产业，并在电子功率器件领域继续深入发展。为推动我国宽禁带半导体领域的发展，加强交流与协同创新，由中国电子学会电子材料学分会发起并主办、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所承办的第一届全国宽禁带半导体学术会议于2015年10月31日-11月2日在苏州成功举行，参会规模近500人。
2014年5月在扬州召开的13届全国MOCVD会议期间，会议主办方中国有色金属学会时任主要领导深刻感受到宽禁带半导体材料与器件蓬勃发展态势，并意识到后续广阔发展前景，决定推动依托中国有色金属学会成立一个专业委员会，以搭建一个能持续稳定推动我国宽禁带半导体发展的平台。经过20个月的筹备,最后报中国科协备案，成立了全国性宽禁带半导体学术组织-中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会,并于2015年12月11日在广东省东莞市隆重举行成立仪式暨首届宽禁带半导体学术研讨会，来自国内宽禁带半导体学术界和产业界的专家学者进行了两天的学术交流。
2016年在延吉召开的14届全国MOCVD 会议期间，“宽禁带半导体专业委员会”与“电子材料学分会”联合开会讨论决定：全国宽禁带半导体学术会议自第二届开始将由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会和中国电子学会电子材料学分会共同举办；第二届全国宽禁带半导体学术会议定于2017年8月10日-8月12日在青海西宁市举行。
第二届全国宽禁带半导体学术会议将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研的相互合作和交流。深信这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步和产业发展起到有力的推动作用。
1. 大会名誉主席：曹健林 甘子钊 郑有炓
2. 大会主席：张国义 吴 玲
3. 大会副主席：杨辉 申德振
4. 大会顾问委员会（按姓氏首字母排序）：曹国英、曹镛、陈其针、褚君浩、黄如、黄维、侯洵、郝跃、何杰、贾明星、李树深、刘明、潘庆、屠海令、吴德馨、王曦、王立军、王圩、王占国、夏建白、许宁生、周炳琨、周克崧
5. 大会程序委员会
主 席: 沈波 副主席：江风益 陆海
6. 大会组织委员会
主 席: 刘扬 副主席：陈志涛 张书明
1、材料生长（氮化物半导体、氧化物半导体、SiC、金刚石等）
2、材料物性和表征方法（光、电、磁、热性质、缺陷物理等）
3、光电子器件及其应用（LED、LD、光电探测器等）
4、电子器件及其应用（射频电子器件、功率电子器件等）
5、新型宽禁带材料与器件（超宽禁带半导体、二维宽禁带半导体、有机宽禁带半导体等）
1. 一般代表（A类票）：
2800元（含论文集、日程等会议资料及会议期间相关服务）
2. 学生代表（B类票）：
2300元（与一般代表相同会议待遇，但须提交相关证件）
2017年7月10日前注册交费优惠：一般代表2700元，学生代表2100元
1．通过银行汇款：
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账号：336356029261
名称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
2．现场缴费（接受现金和刷卡）
1. 会议官网：
2. 会议酒店：青海西宁万达嘉华酒店
组委会提供会议协议酒店，以满足参会代表的不同需求。会议召开期间，正值旅游旺季，房源紧张，请您合理安排好时间，自行与酒店提前联系预定，并声明是参加“第二届全国宽禁带半导体专业委员会”的代表，住宿费用自理。
备注：各酒店享有会议特别折扣的客房数量有限，请尽早预订。享有会议折扣房价的客房售完时，一些酒店可能还保留部分原价客房以供预订。
3. 会议联系人：
论文征集：赵维 龚政
T：020-61086425-8004
M：18840341159
E：[email protected]
参会咨询：刘辉
T：010-82381880
E：[email protected]
商务合作：
张威威
M：13681329411
E：[email protected]
贾欣龙
M：18310277858
E：[email protected]
许蓟鸿
M：13466648667
E：[email protected]
大会热烈欢迎半导体专业领域的专家、学者及相关行业的企事业单位参会交流。
报名参会请复制链接到浏览器或点击“阅读原文”查看：
http://www.wbschina.cn/wbs/guide.asp?id=78
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