士兰微+清纯宣布联手：目标8吋、沟槽SiC MOS

1月9日，清纯半导体与士兰微电子在杭州举行2024年终总结会，双方高层及研发、运营、产线人员参会。会议全面回顾了过去一年在研发、代工、量产和产业协同上的合作情况，并规划了2025年的合作方向。

面向2025年，双方将深化碳化硅领域合作，共同开发新一代碳化硅器件，如沟槽型SiC MOSFET，并推动第二代SiC MOSFET的量产。士兰微电子将为清纯半导体提供充足的产能保障，其建设的8吋碳化硅量产线将为清纯半导体提供独家代工服务。

士兰微电子子公司士兰集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线正在建设中，预计2025年一季度封顶，四季度末初步通线，2026年一季度试生产。

清纯半导体与士兰微电子的合作基于共同的愿景和战略目标，清纯半导体在碳化硅领域拥有完整产业链布局，士兰微电子则在碳化硅器件代工方面经验丰富。双方的合作始于2023年4月，当时清纯半导体完成数亿元A+轮融资，士兰微及其战略基金参与领投。此次融资标志着双方战略合作的全面实施，旨在快速推动SiC器件技术迭代，提高国产替代水平。