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Nano Lett.:利用无间隙模板光刻技术制备可转移光学增强纳米结构

低维 昂维  · 公众号  ·  · 2024-08-05 23:45

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成果介绍

光谱学技术是表征2D量子材料的核心。然而,原子薄样品体积的减小通常会导致横截面太低,传统的光学方法无法产生可测量的信号。

有鉴于此,近日, 美国麻省理工学院Riccardo Comin等开发了一种基于模板光刻技术的方案,用于制造可转移的光学增强纳米结构,用于拉曼光谱和光致发光光谱 。利用这种新的纳米制造技术,本文设计和制造了等离激元纳米结构,以适应少层材料与光的相互作用。本文证明了2D半导体超薄片和磁体的拉曼强度有数量级的增加,以及WSe 2 /MoS 2 异质结中猝灭激子的选择性Purcell增强。本文提供的证据表明,该方法对空气敏感的材料特别有效,因为转移可以原位进行。该制造技术可以推广,使功能光子器件具有高度的灵活性。

图文导读

图1. 制造步骤的示意图与相应的SEM/FIB图像。

图2. 由于转移的等离激元阵列引起的拉曼增强。

图3. 由于转移的等离激元阵列对猝灭激子PL的Purcell增强。

图4. 用于SERS的纳米盘阵列的电磁模拟和Purcell增强。

文献信息

Transferable Optical Enhancement Nanostructures by Gapless Stencil Lithography

Nano Lett. , 2024, DOI:10.1021/acs.nanolett.4c02148)

文献链接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c02148








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