HJT 电池片的降本路线

内容来源: 晶格光伏

HJT 降本主要体现在 N 型硅片、银浆、靶材、设备、规模五大方面 。根据国晟能源，2023Q4 HJT 电池成本为 0.516 元/W，高于TOPCon 0.16 元/W；而 2024Q2 HJT 电池成本已降至 0.418 元/W，高于 TOPCon 0.07 元/W。随着 0BB、钢板印刷以及 30%银包铜的导入，预计 2024Q4 HJT 电池成本可进一步降至 0.365 元/W；随着设备降价与降铟技术的导入以及规模效应的发挥，预计 2025 年 HJT 电池存在 0.2 元/W 的降本空间（以 2023Q4 HJT 电池 0.516 元/W 的成本为基础，假设 2025 年银价达到 10000 元/KG），实现综合成本比 TOPCon 低 0.04 元/W。

硅片：薄片化是硅片降本的主要趋势，系 HJT 低温工艺&板式设备特殊的降本项。

HJT 目前硅片厚度显著薄于 TOPCon 且有更大的硅片减薄潜力：TOPCon 实现 125μm 量产，同步在做 125μm 以下验证；目前 HJT 行业普遍采用 110μm 厚度的硅片进行生产，而 100μm 厚度的硅片量产良率已无问题，但由于硅片价格倒挂，业界对薄片化的动力不足，否则还有望进一步节省 0.02 元/W 的成本。目前高测可实现 90μm 硅片的稳定量产，在研发端推进至 60μm，已于 2023 年 5 月推出 60μm 的半片切割产品，后续 60μm 的量产路径清晰

银浆：银浆降本主要包括银包铜、0BB、电镀铜 。

银包铜 ：50%银包铜已批量应用，30%银包铜正快速导入。从当前 HJT 电池的成本结构来看，SMBB+细栅 50%银包铜的电池成本约 0.38 元/W，其中硅片成本约 0.12 元/W，占比 31%，与 TOPCon 基本无差异；非硅成本约 0.26 元/W，其中浆料和靶材占电池总生产成本的 39%，占非硅成本的 55%。目前 50%银包铜已相对成熟，对应 HJT 电池效率与纯银电池效率基本持平；30%银包铜+0BB 降本效果明显。光势能预计 24 年底在 0BB+30%银包铜技术的导入下，浆料成本占比将快速降至 16%。

目前东方日升浆料成本 4.8 分/W，年底有望降至 4.4 分/W 。从目前东方日升 HJT 电池满产产线的生产数据来看，电池非硅成本约为 0.21 元/W，其中低银含浆料成本 4.8 分/W（对应纯银耗量 6mg/W），靶材成本约 3 分/W。24 年底有望在更低银含量浆料与全开口网版应用下进一步降低至 4.4 分/W。

0BB 是 SMBB 的升级，通过取消主栅进一步降低银耗 。由于 HJT 电池采用的是低温银浆，而低温银浆的导电性能弱于高温银浆，因此需要提高银的含量来提高导电性，所以 HJT 银浆耗量更大。以华晟为例，华晟二期量产端为 210 尺寸 15BB，后续 20BB即将导入量产，目前 15BB 单片银耗为 250mg，单 W 银耗为 23mg，对应单 W 银浆成本为 0.15 元；未来 20BB 单片银耗为 210mg，单 W 银耗为 19mg，对应单 W 银浆成本为0.12 元，0BB 取消了主栅故能大幅降低银耗，对 0BB 而言 HJT 应用最迫切。

靶材：靶材降本的核心是降铟，铟价格昂贵，迈为推广降铟三部曲 。①设备降铟：从 PVD 设备出发，先从 20mg/W 降到13.5mg/W，旧设备亦可升级；②铟回收：随着异质结产业的规模不断扩大，可将 5.2mg/w 之外的部分，尽可能进行回收，届时，电池真正消耗的铟金属仅 4.3mg/w；③材料替代：随着铟价处于不同水平，可以采用其他材料不同程度地替代 ITO 新型改进 TCO 材料已开发成功，具备优秀的耐候性，能够抵御电镀过程中的酸碱侵蚀，PVD 设备提前预留叠层膜工艺相关要求。

根据欧莱新材的光伏靶材降本规划，目前降铟量 25%的一代靶材已经量产，虽然能够降低 PVD 环节的 17%的生产成本，但会带来 0.03-0.05%的效率损失。相比之下， 采用 PED 靶材能够翻倍提高靶材的迁移率并翻倍降低铟用量，最终还能带来 0.1+%的效率提升 。

设备 ： HJT 设备产能从 1GW 进一步放大至 1.2GW，利于下游客户&设备商降本 。从设备投资额来看，HJT 设备目前约 3.5-4 亿元/GW，我们认为设备降本依靠单线产能放大&零部件国产化，有望降低至 3-3.5 亿元/GW。①HJT 单线设备产能逐步放大：2018 年 HJT 设备单线产能仅为 100MW，2020 年提升至 400MW，2023 年提升至600MW，目前最新已提升至 1.2GW 级别，在 1GW 的设备基础上增加了几个腔体提高产能，且能够匹配 VHF 电源（更高功率），解决了大载版、大电源和均匀性方面的问题。