专栏名称: 申万宏源电子研究
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申万宏源电子|每日资讯公告

申万宏源电子研究  · 公众号  ·  · 2019-12-03 20:51

正文

每日资讯

1、长鑫存储19nmDDR4内存已生产

继9月宣布量产自主设计的19纳米工艺的8Gb DDR4后,长鑫存储再传来消息,将于2020年第一季度上市19纳米工艺的4GB和8GB DDR4内存芯片,并且使用同样的技术在2020年下半制造LPDDR4X内存。此外,长鑫存储最新外传的DRAM技术路线图也显示,其不仅制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图,还计划再建两个晶圆厂来提高产能


2、百美元5G芯片大战

11月26日联发科发布全球首款支持双模双载波聚合的5G集成基带芯片“天玑1000”,不仅凭借Arm四核Cortex-A77与最新的Mali-G77 GPU与麒麟990 5G拉开了差距,同时也是首款全球集成WiFi6与5G的单芯片,一举“打下”当前5G手机芯片的高端市场。考虑到目前海思及三星电子(Samsung Electroncis)新一代5G芯片解决方案仍优先自用,业内人士分析,短期客户大概只能先在高通(Qualcomm)、联发科之间做二选一的选择,初估2020年上半全球5G芯片市场大战都将在百美元以上进行厮杀


3、联电宣布22纳米特殊技术成熟

联华电子2日表示,在使用USB 2.0测试载具并成功通过硅验证之后,正式宣布更先进的22纳米制程技术就绪。联电表示,相较于一般的USB 2.0 PHY IP,使用联电制程的测试载具所使用面积是全球最小,已展现联电技术的成熟,且新的芯片设计若要采用22纳米制程,并无需更改现有的28纳米设计架构,客户将可放心地的直接从28纳米制程转移到22纳米。


4、国巨鼓励员工过年加班拼产能

被动组件大厂国巨拚产能鼓励员工过年加班,法人指中国通路商MLCC价格上扬,12月能见度佳,激励国巨盘中急拉大涨,华新科和禾伸堂走势坚挺,其他被动组件族群强势。 国巨盘中急拉,最高来到368元,大涨8.87%,创2月下旬以来波段高点。华新科午盘走坚,最高来到181.5元,涨4.9%,是1个月来相对高点。禾伸堂最高来到104元,涨4.6%。


每日公告

公告 1 002236 大华股份

截至2019年11月30日,公司通过股份回购专用证券账户以集中竞价方式回购公司股份13,182,480股,占公司总股本3,007,991,230股的比例为0.4382%


公告2 300679 电连技术

截至2019年11月30日,公司累计通过集中竞价交易方式首次回购股份数量为114,600股,占公司目前总股本的比例0.0408%


公告3 300102 乾照光电

自2019年6月5日至2019年11月30日期间,公司 (含分、子公司)累计收到各类与资产相关的政府补助资金共计125,611,233.28元


公告4 601138 工业富联

公司本次限售股上市流通数量为230,042,000股,占公司总股本的1.1586%


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