来源：半导体行业观察
东芝和三星在 3D NAND 上的早期开拓性工作带来了两大主要的互相竞争的 3D NAND 技术。
东芝开发了一种叫做 Bit Cost Scalable（BiCS）的工艺。BiCS 工艺采用了一种先栅极方法（gate-first approach），这是通过交替沉积氧化物（SiO）层和多晶硅（pSi）层实现的。然后在这个层堆叠中形成一个通道孔，并填充氧化物-氮化物-氧化物（ONO）和 pSi。然后沉积光刻胶，通过一个连续的蚀刻流程，光刻胶修整并蚀刻出一个阶梯，形成互连。最后再蚀刻出一个槽并填充氧化物。如图 1 所示。
图 1：BiCS 工艺
三星则开发了一种 Terabit Cell Array Transistor （TCAT）工艺。TCAT 是一种后栅极方法（ gate-last approach），其沉积的是交替的氧化物和氮化物层。然后形成一个穿过这些层的通道并填充 ONO 和 pSi。然后与 BiCS 工艺类似形成阶梯。最后，蚀刻一个穿过这些层的槽并去除其中的氮化物，然后沉积氧化铝（AlO）、氮化钛（TiN）和钨（W）又对其进行回蚀（etch back），最后用坞填充这个槽。如图 2 所示。
图 2： TCAT 工艺
这两种工艺都能得到电荷陷阱存储单元（charge trap memory cell）。
从前面的讨论和图中可以看出，这两种工艺的基本不同在于 BiCS 使用了 pSi 字线的先栅极方法，而 TCAT 则使用 W 字线的后栅极方法。
长时间以来，业内都有传言说东芝做不出有效的 BiCS，而东芝的生产部分基本上就是复制的 TCAT 工艺，尽管东芝还是称之为 BiCS。
英特尔-美光走了一条类似于 BiCS 的路，只不过他们构建的是浮栅极（floating gates）。
很多人看了下面美光给出的图后都评论说 3D NAND 的资金成本比 2D NAND 高 3 到 5 倍。但这幅图表达的不是这个意思！这幅图想表达的是从 2D NAND 节点转换到 3D NAND 节点的成本是从 2D NAND 节点转换到一个新的 2D NAND 节点的成本的 3 到 5 倍。
图 3：美光 2D NAND 到 3D NAND 的转换成本
图 4： 2D NAND 和 3D NAND 的转换成本
从图 4 中我们可以看到，在特定的工艺转换上有类似于图 3 的 3 到 5 倍的转换成本。
但是，如果我们模拟构建一家新建 2D NAND 晶圆厂的成本与一家新建 3D NAND 晶圆厂的成本，我们则会看到完全不同的景象，3D 的资金成本甚至比 2D 的资金成本还稍微低一点！如图 5 所示。
图5：新建晶圆厂成本
与资金成本类似，我们相信在晶圆成本上也有些模糊不清的地方。图 6 比较了三星的 Line 12 晶圆厂的 2D 16nm 晶圆成本与三星的西安晶圆厂的 3D 64 层晶圆成本。
图 6：升级后设施的 2D NAND 和 3D NAND 晶圆成本对比
Line 12 在 2003 年上线，经过了多次升级，使得现在设备配置中关键部分的成本已经达到了最低。而西安晶圆厂则在 2014 年上线，所有设备的成本都还在下降过程中。如果我们将新建的 2D 和 3D NAND 晶圆厂的晶圆成本从不同的图片融合到一起，就得到了图 7.
图 7：新建的 2D NAND 和 3D NAND 晶圆厂的晶圆成本
用一个 NAND 的位（bit）总数除以管芯尺寸（die size），我们可以计算出 bits/mm² 指标。在今年的 ISSCC 上，三星在 session 11 发表了论文《A 512Gb 3b/cell 64-Stacked WL 3D V-NAND Flash Memory》。根据这篇论文，我们可以比较从 64 层 3D NAND 到 2D NAND 的各种工艺的位密度。下面的表格给出了三星的值（所有器件都是 3 bits/cell）。
表 1：三星 NAND 的位密度
从表 1 中我们可以看到 3D NAND 的位密度高于 2D NAND，64 层的 3D NAND 更是超过了 16nm 的 2D NAND 的三倍！
目前 3D NAND 的产量还不及 2D NAND，因此每个晶圆上优良位的数量还未达到 3D 位密度优势应有的水平。
图 8：2D NAND 和 3D NAND 的位成本对比
从这张图中我们可以看到，相对于 2D-16nm，3D-32 层工艺降低了 30% 的位成本，并有望在 3D-64 层工艺上再进一步降低 30%。我认为这种行业领先的成本降低是源于旧晶圆厂有一些折旧的资产、CMOS-Under 所带来的高位密度和高产量。
东芝最近表示 3D-64 层工艺是一个“甜蜜点（sweat spot）”，并且最终将实现比 2D NAND 更低的成本。我认为这是由东芝的未折旧的晶圆厂资源和相对更低的产量这些因素共同决定的。
三星还未在成本方面给出任何公开说明，但我相信它们在 3D-48 层的左右大致持平。我已经听说它们的产量非常不错。
随着 3D NAND 扩展到 64 层及以上，所有主要制造商的位成本都将低于 2D NAND 的位成本。3D 位产量现在正在超越 2D 位产量，而且随着层数的进一步扩展，3D NAND 应该还能继续将摩尔定律很好地延展和延续到下一个十年。
