Small：准2D Ni0.28TaSeS单晶的非常规磁性和磁输运性质

点击蓝字

关注我们

成果介绍

范德华磁性材料在下一代自旋电子学中具有广阔的应用前景。在非磁性的vdW材料中插入磁性组件可以引入磁性，提高各种输运性能。

有鉴于此，近日， 中国科学技术大学向斌教授和陆亚林教授（共同通讯作者）等通过将Ni原子插层到非磁性的2H-TaSeS基体中，报道了Ni _0.28 TaSeS晶体中的非常规磁性和磁输运现象 。磁性表征揭示了Ni _0.28 TaSeS的倾斜磁性结构，导致沿c轴的反铁磁(AFM)序和ab平面的铁磁(FM)矩。自旋-翻转(SF)行为的存在也可归因于倾斜的磁性结构。温度相关的电阻率表现为金属性质，随磁跃迁而急剧下降。磁输运测量显示出与传统磁性材料不同的正磁阻(MR)平台。当材料处于磁有序态时，场相关的霍尔信号表现出非线性场相关性。这些非常规的磁输运行为归因于Ni _0.28 TaSeS中场诱导形成的复杂自旋织构。此外，本文进一步研究了磁阻的角度依赖性，并观察到反常的四倍各向异性磁阻(AMR)效应。这项工作启发了利用磁性原子插层准2D材料的自旋电子器件的未来研究。

图文导读

图1. Ni _0.28 TaSeS的晶体结构和形貌。

图2. Ni _0.28 TaSeS单晶的XPS。

图3. Ni _0.28 TaSeS的磁性和电阻率。

图4. Ni _0.28 TaSeS纳米片的纵向电阻率和场相关MR。

图5. Ni _0.28 TaSeS纳米片的霍尔电阻率和角度相关的磁导率。

文献信息

Unconventional Magnetic and Magneto-Transport Properties in Quasi-2D Ni _0.28 TaSeS Single Crystal

（ Small , 2024, DOI:10.1002/smll.202403002）

文献链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/smll.202403002

上 海 昂 维 科 技 有 限 公 司 现 提 供 二 维 材 料