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初代10nm性能不敌14nm++,Intel Cannonlake还需等待

半导体行业观察  · 公众号  · 半导体  · 2017-04-04 12:27

正文

Intel曾表态称基于全新10nm工艺的Cannon Lake处理器将于今年末出货。但外媒最新分析认为,Intel的计划可能会被迫推迟,而消费者想要买到Cannon Lake电脑则需要等待更长的时间。


在前几天的Intel技术与制造论坛2017会议上,Intel公布了旗下工艺发展路线图,14nm工艺今年发展到了14nm++工艺,10nm则会在今年底开始出货,并推出了22nm FinFET低功耗工艺去跟其他厂商抢IoT等市场。


作为今年制程转换的关键,Intel的10nm工艺备受关注,尽管这两天有媒体爆料说10nm工艺性能提升40%以上,但实际上今年的初代10nm工艺性能还不如现在的14nm++工艺,10nm首款产品Cannonlake首先会出移动版,桌面版还未公布,但今年问世可能性不大了,要到2018年才会有10nm桌面版处理器。


初代10nm性能不敌14nm++


此前的文章中我们已经详细介绍过了Intel的10nm工艺,这一代工艺最大的亮点实际上是低功耗、高密度,Intel公布的数据称他们的10nm工艺实现了100Mtr/mm2,也就是亿平方毫米内可以塞入1亿个晶体管,是其他友商的10nm工艺密度的2.7倍。



至于说性能,10nm工艺比14nm性能提升25%或者功耗降低45%,终极改良版10nm++(中间还有个10nm+)性能还会进一步提升15%,功耗降低30%,加起来说的话就是10nm++工艺性能比14nm提升43.7%,很多媒体所谓的10nm性能大提升就是这么来的,但对比的是初代14nm工艺,现在早就被14nm++取代了。


但是大家要知道,按照路线图显示,首先出货的将是Cannon Lake低功耗处理器,主要面向超极本和2in1变形产品,其将取代现在的M/Y Kaby Lake处理器,主要竞争对手瞄准AMD Raven Ridge和高通骁龙835。而常规电压版本的移动处理器和桌面处理器要等到2018年上半年才会大规模铺开。


好消息是Intel确认还是会推出PC版Cannonlake处理器的,考虑到Intel之前公布过下半年推出第八代酷睿处理器,不过它还是14nm工艺的,所以不会是Cannonlake,而Cannonlake的PC版有可能作为第九代酷睿处理器问世,只是今年发布的可能性是没了,即便是移动版Cannonlake也要今年底(准确点来说是在12月份)才有可能出货。


换句话说,直到2018年Intel还会在继续挤14nm工艺牙膏,不过这事也不能全怪Intel懒,因为初代10nm工艺性能不如当前的14nm++工艺,制造高性能处理器还不如用旧的。真正想实现40%+的性能提升,那得等到两三年后10nm++工艺才行。


原因何在


众所周知,半导体发展到90nm之后高密度和高性能完全两个世界,甚至多数情况下是相悖的。原因在于密度大的通常栅极薄,漏电暴增,而且热密度也高,短沟道效应等等一堆副作用。


三星台积电的10nm也无法全方位击败自己的14lpp和16+,只是低功耗表现可能好,也因此zen一类的高性能芯片是不会跟进的,真用他们的10nm做超频上3.5ghz都成问题。同样的密度大的14lpe高性能不如14lpp和密度更大的16nm+,密度大的台积电20nm全方位不如密度小的三星20nm,28hpc+高性能不如28hpm,那个16ffc+的马甲12nm也是高性能不如16+的。。高密度工艺多是低功耗指向,如14lpe在性能较低时其实可以击败16+工艺,7420在低性能下就可以能耗比击败950,不过像台积电那样全方位被低密度秒杀的也很多。但现有技术下密度、成本、性能不可兼顾。ps:台积电10nm比三星10nmlpe和intel一代14nm的密度都大,有完美走当年自家20nm路线的潜质。


intel 14nm一代密度是与三星10nm接近的,但实际性能其实没有比16+强太多,这也是intel只吹密度不怎么直接说性能的原因;14nm+管线增大密度减小,出现了基本盘秒杀skylake大雕的kabylake;而14nm++的线宽进一步增大,变为三星14nmlpe的密度,性能再次大涨。intel真正强的不是密度有多高,而是强在增加密度的同时还能有性能提升,同密度下能性能领先,这与栅极高度等一系列漏电控制因素有莫大关系。


用14++而不用10nm是非常正确的决定,虽然在很多不太懂的人眼中不可理喻,因为14++实际上与i 10nm相对一代14nm的提升幅度差不多,但是14++的密度小,芯片面积大非常利于桌面端的散热,而10nm会把芯片做的很小,应该是14++同芯片的三分之一左右,非常不利于散热,但利于soc化。


想要真正的下一代工艺,认准hkmg和finfet这类关键技术,这些关键技术才能缓解密度微缩副作用,使密度微缩真正带来性能增长。


今天是《半导体行业观察》为您分享2017年第94期内容,欢迎关注。


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