光催化
CH
4
氧化为
C
1
含氧化合物
(CH
3
OOH
、
CH
3
OH
、
HCHO
等
)
已成为研究热点,可以使用经济的
O
2
氧化剂在常温下活化
CH
4
。当前
CH
4
体系的光催化选择性氧化主要采用间歇式气液固反应器,需要加压操作以提高
CH
4
在水介质中的溶解度。这些体系在间歇循环过程中会逐渐发生产物降解,从而降低选择性。为了提高选择性,通常通过增加水量和水的连续流动来解决,但这会给后续的净化和分离带来问题。如果在大气压下实现
CH
4
的气固光催化选择性氧化,类似于
CH
4
的光催化氧化偶联,则有望通过连续的产物解吸来解决这些限制。
ZnO
被广泛用作半导体催化剂,用于光催化将
CH
4
转化为
HCHO
。晶格氧可以参与反应,生成
*OCH
3
物质并进一步脱氢生成
HCHO
,消耗的晶格氧再由解离的
O
2
进行补充。因此,操控金属氧化物的晶格氧迁移率可以有效提高
HCHO
选择性。热活化虽然可以显著提高晶格氧的活性,但也会导致
CH
4
的过度氧化。单原子(
SAs
)可以调控催化剂表面的微环境,有效抑制目标产物的过度氧化。因此,金属
SAs
修饰的
ZnO
可能是一种理想的光催化剂,在热的辅助下实现高
HCHO
产率和选择性。
浙江大学吴忠标教授、刘越教授等研究人员
合理设计了
Ag SAs
修饰的
ZnO
(
Ag
1
-ZnO
),用于常压流动反应器中气固光热催化选择性氧化
CH
4
为
HCHO
。
Ag SAs
积累光生空穴并激活
H
2
O
生成
*OH
物种,促进
CH
4
的
C-H
键断裂。此外,
Ag SAs
改变了
ZnO
的局部电子分布,有利于
*HCHO
的生成和解吸,生成气相
HCHO
。此外,热量的辅助促进了光生电子和空穴的分离,提高了表面晶格氧的迁移率,从而促进了
HCHO
的形成。最终,
Ag
1
-ZnO
催化剂的
HCHO
生成率为
117.8
±
1.7
μ
mol h
–
1
,选择性为
71.2
±
0.8%
。反应流出物经水相吸收
12
小时后,
HCHO
浓度达到
514.2 ± 33.7 µmol mL
-1
(1.54
±
0.10 wt.%)
。吸收捕集过程还带来了一个附加效益,即溶液中共生
CH
3
OH (28.1±1.1 µmol mL
−
1
)
可有效抑制
HCHO
的聚合。这项工作为在温和操作条件下直接将
CH
4
转化为
HCHO
的实际工业应用建立了一种环境友好且节能的策略。
相关研究成果2025年3月15日以“
Photothermal direct methane conversion to formaldehyde at the gas-solid interface under ambient pressure
”为题发表在
Nature Communications
上。
连续流气