展望2018年,DRAM方面,目前业内最受瞩目的两大待建的DRAM厂分别是海力士无锡以及三星平泽,其中海力士无锡的规划产能为100K/M,预计2019年5月才能投产;而三星平泽过去是NAND厂区,现扩建DRAM产线,预期从2018年8月开始投产,2018年年底产能约为50K,虽然略有产能扩张,但对于DRAM的供需影响不大。根据CINNO Research的预测,2018年DRAM产业的产出年增率将不超过20%,而需求端在智能手机以及服务器的带动下将可维持20-23%的成长,整体来看2018年DRAM产能依旧吃紧。
NAND方面,由于国际大厂均重点发展3D NAND,其良率提升进展最能影响供给端情况。2017年Q3,三星的3D NAND良率提升取得突破,使得其在手机存储、PC-SSD和Enterprise-SSD均有较大的份额增长,2017年Q3单季出货量较Q2成长15%以上,平均销售单价环比增长近5%;而东芝则是受益于苹果拉货的影响,单季营收成长近18%;美光与英特尔则良率改善较慢。进入2018年,我们预计各大厂会陆续在良率方面取得突破,从而打破供不应求的态势。但从需求角度来看,根据Gartner的预测,2018年和2019年下游市场对NAND的需求量增速将分别达到43.8%和43.1%。所以我们预计,2018年的NAND市场的单价将面临回落,但整体增长动能不变。
2. 产业集中度提升,扩产谨慎是本次存储大涨价的根本原因
让我们把时间拉长,从历史上的供需关系以及资本支出角度来看存储器产业,并以此为契机,探讨一下半导体产业景气周期。
2010年,正值金融危机的尾声,电子产业处于复苏阶段,市场的需求在不断涌现,但是由于DRAM行业在此前产能扩张力度极大,使得全行业呈现DRAM产能严重过剩的局面,各大厂商也纷纷收紧投资力度。
2011年,三星半导体在DRAM方面的CAPEX降到了低点,仅维持在20亿美元左右。2012年,台湾茂德退市,日本尔必达更是宣告破产。DRAM产业一片萧条。在这样的一个DRAM历史罕见的寒冬季节中,DRAM厂商整合力度加大,集中度有了显著改善。同时各大DRAM厂谨慎经营,无大规模资产投入,供应过剩的局面也悄然扭转。