【国信电子胡剑团队】东微半导继续推荐：22年归母净利润同比增长93.57%，各类新产品陆续放量

剑道电子 · 公众号 · · 2023-04-23 20:06

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公司22年归母净利润同比增长93.57%

22年公司实现营收11.16亿元(YoY+42.74%)，归母净利润2.84亿元(YoY+93.57%)，扣非归母净利润2.68亿元(YoY+90.59%)，毛利率33.96%(YoY+5.24pct)。4Q22单季度实现营收3.26亿元(YoY+46.38%，QoQ+0.8%)，归母净利润0.84亿元(YoY+55.77%，QoQ+1.29%)，扣非归母净利润0.77亿元(YoY+49.57%，QoQ-3.10%)；毛利率34.54%(YoY+5.56pct，QoQ+0.46pct)。

Si2C MOSFET已通过客户的验证并开始小批量供货，TGBT同比增长685.21%

22年公司主力产品高压超级结MOSFET实现营收9.14亿元(YoY+60.77%，占82%)，中低压屏蔽栅MOSFET营收1.56亿元（占14%)，TGBT营收4461.27万元YoY +685.21%，占4%)；超级硅MOSFET产品营收204.29万元，SiC器件（含Si2C MOSFET）首次实现营业收入；其中，新产品硅方碳Si2C MOSFET可在新能源汽车车载充电机、储能逆变器、通信电源、服务器电源等多种应用实现对 SiC MOSFET的替换且成本大幅降低。

22年公司汽车及工业收入占比约80%，客户覆盖各行业头部厂商

其中直流充电桩收入同比增长6%(占15%)、各类工业及通信电源收入同比增长63%(占15%)；光伏逆变器收入同比增长400%(占20%)，车载充电机收入同比增长500%(占比超21%)。公司高压超级结MOSFET及中低压SGT MOSFET在新能源汽车及直流充电桩领域已批量出货比亚迪、凯斯库、哈曼、联合电子等公司，多次获弗迪动力“优秀供应商”称号，充电桩实现主要厂商全覆盖；通信电源及基站电源覆盖客户A、维谛技术、中兴通讯等头部客户；TGBT系列产品在光储车桩等多个领域批量供货。

展望23-25年，TGBT、硅方碳及超级硅等产品将陆续加速放量，国内外客户陆续铺开

在产品端，TGBT产品规格已增至160款，其中E系列和L系列产品对有一定技术难度的高速IGBT和超低Vcesat IGBT领域实现了替代。650V 60mohm Si2C MOSFET器件反向恢复时间达到了37纳秒与SiC MOSFET接近，在服务器及车载充电机中可以实现对SiC MOSFET的替换，同时大幅降低器件成本；随着22年客户验证陆续完成，预计23年有望进入加速放量阶段。

投资建议

我们看好器件设计与工艺实现的技术能力、超结MOS的龙头地位及多类新产品成长潜力，预计公司23-25年归母净利润4.05/5.28/6.71亿元(YoY+42.5%/30.1%/27.3%)，对应PE 35.6/27.3/21.5倍，维持“买入”评级。

风险提示

需求不及预期；新品研发导入不及预期等。

附表：财务预测与估值

国信电子团队

胡剑： 电子行业首席分析师，复旦大学电子系学士，复旦大学世界经济系硕士，法国EDHEC商学院交换生。2021年8月加入国信研究所，之前任华泰研究所消费电子行业首席，2018年第一财经最佳分析师电子行业第3名，2019年证券时报金翼奖分析师电子行业第2名，2019年II China科技行业入围，2019年新浪财经金麒麟新锐分析师电子行业第1名，2020年II China科技行业第2名。（执业资格编号：S0980521080001）

胡慧： 电子行业高级分析师，上海财经大学会计学士，北京大学物理博士，CPA、CFA，发表多篇SCI论文，并获得1项国家发明专利，2021年8月加入国信研究所，之前任华金研究所电子组长，主要覆盖半导体板块。（执业资格编号：S0980521080002）

周靖翔： 美国犹他大学计算机工程硕士学位，电子工程学士学位，应用数学学士学位。2021年10月加入国信研究所，拥有5年半导体行业研发经验，曾先后就职于中芯国际和华为海思，参与多项国内领先半导体工艺开发及全球领先SoC芯片开发项目。（执业资格编号：S0980522100001 ）

李梓澎： 武汉大学金融学士，中国人民大学金融硕士。2021年10月加入国信研究所，曾就职于华泰证券研究所，主要覆盖消费电子、面板板块。（执业资格编号：S0980522090001）

叶子： 北京师范大学化学学士，香港中文大学材料科学与工程博士，香港中文大学物理系博士后，武汉大学物理科学及技术学院兼职研究员，南方科技大学深港微电子学院访问学者，主要从事半导体物理与薄膜沉积技术、光伏器件及光电化学电池研究。2020年成为国信证券博士后，2022年加入国信证券经济研究所，主要覆盖功率器件、碳化硅等半导体板块。（执业资格编号：S0980522100003）

杨宇凯： 北京航空航天大学学士，北京航空材料研究院硕士。2022年8月加入国信研究所，拥有1年半航空材料研发经验和近3年半导体行业研发经验，曾先后就职于北京航空材料研究院和中微半导体设备有限公司担任研发工程师，深度参与了多家国内外晶圆大厂半导体制造项目，主要覆盖半导体板块。（执业资格证：S0980122080334）

詹浏洋： 清华大学电子工程系工学学士、硕士，清华大学经管学院经济学学士(第二学位)，中级经济师(金融专业)。曾参与国家高技术研究发展计划(863计划)科研项目，发表SCI论文1篇，并赴国外参加相关学术会议报告。2022年6月加入国信研究所，之前任华润置地投资管理主管。（执业资格编号：S0980122060008）

李书颖： 香港中文大学（深圳）统计学学士，悉尼大学金融硕士，2022年8月加入国信研究所。（执业资格证：S0980122080309）

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