9月2日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
长江存储一贯重视核心技术的自主研发和创新，Xtacking®技术的研发成功和64层3D NAND闪存的批量生产标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。
据介绍，长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品（特指截止目前业界已上市的64/72层3D NAND 闪存）中最高的存储密度。
Xtacking®可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的制造工艺。
当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking®技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。
相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking®可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。
作为集成器件制造商(IDM—Integrated Device Manufacturer)，长江存储致力于为全球客户提供完整的存储解决方案及服务，并计划推出集成64层3D NAND闪存的固态硬盘、UFS等产品，以满足数据中心，以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求。
来源：
半导体行业观察/JSSIA整理
