3.1. 硅光模块内部结构(以Intel 100G产品为例)
Intel的100G CWDM4模块采用1271,1291,1311,1331nm波长,最长传输距离可达10km,采用QSFP28封装,有0-70℃和15-55℃两种温度规格。
Intel的CWDM4的TX和RX芯片是分开的,TX是由4个III-V/Si混合集成激光器、4个MZ光调制器及调制器驱动芯片、基于EDG技术的MUX、光纤耦合部分组成,RX由4个Ge/Si探测器、TIA、PLC基DeMUX、光纤耦合部分组成。
TX和RX的时钟和数据恢复采用MACOM的4通道25G CDR芯片。TX和RX光纤阵列多余的尾纤,通过盘纤进行整理固定。
图:Intel 100G CWDM4硅光模块的内部细节
3.2. 硅光模块-硅光芯片
硅光技术在光开关、光波导、硅基探测器(Ge探测器)及光调制器(SiGe调制器)等已实现了突破。
目前的硅光技术仍主要体现成两种基本形态,除采用大规模集成电路技术(CMOS)工艺集成单片硅光引擎方案外,市面上更常见的方案为混合集成方案,主要是光芯片仍使用传统的三五族材料,采用分立贴装或晶圆键合等不同方式将三五族的激光器与硅上集成的调制器、耦合光路等加工在一起。
图:硅光技术工艺可加工的结构
3.3. 硅光模块-硅光芯片中两种常见的调制方式
电光调制器完成从电信号到光信号的转换功能,是光互连、光计算和光通讯系统的关键器件之一。在硅基电光调制器中,应用最广的调制机制是等离子色散效应:外加电场作用改变硅波导中的载流子浓度,从而改变波导折射率和吸收系数。
调制器常用光学结构有马赫-增德尔干涉仪(MZI)型和微环谐振腔(MRR)型。
图:电光调制器的示意图
3.4. 硅光模块-CW光源
连续波激光器又称CW激光器,指拥有稳定工作状态,可发出连续激光的激光器。CW激光器具有相干性好、可靠性高、波长可调谐、使用寿命长等优势,在航空航天、医疗卫生、汽车制造、机械加工、电子产品等领域应用较多。
硅光方案中,CW激光器芯片作为外置光源,硅基芯片承担速率调制功能。CW大功率激光器芯片,要求同时具备大功率、高耦合效率、宽工作温度的性能指标,对激光器芯片要求更高。目前绝大多数硅光模块的应用场景用外置光源封装的方法已经能够满足要求。
目前大部分主流客户需要的是70mw的产品,对于大部分400G与800G硅光模块已经足够,100mW的CW光源产品除了可用于400G硅光模块外,也可用于800G及1.6T的硅光模块,400G DR4硅光模块仅需1颗100mW光源就能实现,简化光模块设计,显著降低光模块成本。
图:Marvell硅光模块内部结构
3.5. 硅光模块-CW光源的几种耦合方案
由于硅材料自身无法发光,光源是硅光技术需要解决的首要问题,目前行业主要采用传统的FSO方案、基于FSO的2.5D混合集成和3D异质集成这三种方案:对应图a、图b、图e
图a:片外的激光源通过空间光学(free space optics, 简称FSO)和光纤耦合的办法,FSO中包含透镜、隔离器等空间光学元件。
图b:通过设计优化光芯片中的器件,减少其反射,使得光路中不再需要隔离器,激光器发出的光,通过棱镜入射到光栅耦合器处,Luxtera正是采用的该方案。图c:采用光子引线技术(photonic wire bonding),在激光器芯片和硅光芯片间加工出一个三维聚合物波导,用于传输光信号。
图d:将激光器芯片flip chip或者transfer print到硅光芯片的上,然后采用边缘耦合的方式将光信号耦入到硅光芯片中。
图e:将III-V材料通过异质集成的方式加工到硅光芯片上,接着再对III-V材料进行刻蚀,形成激光器,Intel采用的是该方案。
图f:一个比较长远的方案是,直接在硅基上外延生长III-V材料,形成量子点激光器。
图:激光器附加到硅光子集成电路的6种技术