内阻即包括电子电阻和离子阻抗
一、电子电阻
包括构造材料的电阻。
通过测量
OCV
和极低电阻的峰值电流可以得到内部电子电阻的近似值。安培计的电阻应极低,以使电路总电阻不超过
0.01
Ω
,并且不超过电阻的
10%
。内部电子电阻可表达为
Rin = OCV/I
式中,
Rin
为内部阻抗,
Ω;
OCV
为开路电压;
I
峰值电流,
A;
用压降法可获得更为精确的结果。在这种方法中,先加载一个小的初始负载,然后再加一个与实际输出的负载。计算如下
Rin =
(
V1-V2
)
RL/V2
式中,
Rin
为内阻
V1=
初始稳定电压,
V
V2=
应用负载电压,
V0
RL=
应用负载
应用负载的作用时间应保持在
5-50ms
,以避免极化。这种方法测量因子电阻造成的压降,但不考虑极化造成的压降。
二、离子阻抗
极化效应可以用脉冲
-
时间曲线表示。总电阻
Rt
用欧姆定律表达为
Rt=dR=dv/di,
也等于
(V1-V2)/(I1-I2),
式中,
V1,I1
为脉冲前电压和电流;
V2,I2
为脉冲结束前电压和电流;
dV3
为表现出总的压降。
电流组件的内阻表达为
Dv1,
极化效应为
dV2,
因为有些能量被脉冲放出,电池内阻表达式应该用
Dv4
。测量
Dv4
非常困难,因些脉冲时间
dt
要最小化以减小极化压降
Dv2,
极化时间通常在
5-50ms
。为获得精确且有重现性的结果,推荐持续时间恒定,并使用可保持读数的电压测量仪。
因此
Dv2
比
Dv1
稍大,可以从公式
Rt=Rir+Rp
看出极化阻抗
Rp
比电池内阻
Rir
稍大。
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