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存储器“风云再起”,AI成为新引擎

财经早餐  · 公众号  ·  · 2024-03-11 06:25

正文

2024年3月4日晚间,长电科技发了公告,花费6.24亿美元收购晟碟半导体(上海)有限公司80%的股权。

长电科技这个举动是为了扩大公司在存储及运算电子领域的市场份额。而出售方母公司Western Digital Corporation (“西部数据”)则是全球领先的存储器厂商。

为什么芯片封测龙头想要收购存储器厂商的股权,如此看好存储器市场呢?

今天我们就来聊聊当前炙手可热的存储器市场!

何为存储器?

存储器的发展可以追溯到早期的计算机系统,使用的是体积庞大的真空管和继电器作为存储介质。

随着技术的进步,磁芯存储器、磁盘存储器和固态存储器相继问世,存储容量不断扩大,速度不断提高,体积不断缩小,从而推动了计算机技术的快速发展。

存储器芯片是利用半导体介质贮存电荷,存储数据和指令等的记忆部件,存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放。与传统的磁性存储器相比,半导体存储器具有存取速度快、存储容量大、体积小等优点。

那么存储在芯片运算过程中的主要作用又是什么?存储可以暂存运算过程中的中间值或参数。

常见的半导体存储器包括动态随机存取存储器(DRAM)、闪存存储器(NAND Flash、NOR Flash)、静态随机存取存储器(SRAM)等。

来源:华创证券研报

根据WSTS(世界半导体贸易统计组织)统计,存储芯片已成为半导体第二大细分市场,占比28%左右,不愧是厉害的存储芯片!2024年预计存储芯片市场规模将达到1300亿美元。在全球存储市场中,NAND闪存芯片规模约占40%左右,2021年到2027年的复合增长率为8%。

来源:华经产业研究院

本轮涨价的逻辑是什么?

从周期角度来看,中信证券研报指出,行业正进入上行周期,短期内,在2024年第一季度,主流存储价格涨幅有望延续,利基存储价格相对稳定;预计全年主流存储价格延续上涨趋势,后续带动利基存储价格上行。

截止2024年1月末,256Gb TLC/512 Gb TLC wafer 合约价格分别上涨至 1.74/3.30美元,十分夸张的是,环比 2023 年 12 月末涨幅为 6.1%/6.5%。

展望2024全年,集邦咨询认为DRAM和NAND价格有望连续四季看涨,预测2024Q1-Q4,DRAM季涨幅中值分别为15.5%/5.5%/10.5%/10.5%、NAND季涨幅中值分别为20.5%/5.5%/10.5%/2.5%。由此看来,DRAM和NAND Flash在2024年将会连续4个季度持续涨价!

来源:Trendforce官网

我们再来观察NAND Flash 晶圆,可以发现,继三星减产扩大50%后,其他原厂相继采取保守策略,部分制程及容量减产已超半年,供给端出现结构性紧张,于是晶圆价格开始上涨。内存芯片价格回升的一大推动力是全行业的供应减少,从而导致库存下降。

探究其上涨的原因?

1、2022年开始,存储产业进入下行周期,随着三星、海力士、美光等龙头减产,供给大幅减少,云端 AI、AI 手机/PC 等有望拉动 HBM、LPDDR5 等需求,存储产业有望进入上行周期。

由于需求增长,随着数字化转型的加速和各类应用对数据存储需求的增加,存储器的市场需求可能会上升,从而推动价格上涨。

2、供应短缺,存储器生产过程复杂,需要高精度的设备和技术,如果生产环节出现问题或产能受限,可能导致供应短缺,进而影响价格。

3、原材料成本上升、技术进步和市场垄断也可能对价格产生较大影响。

下游需求大爆发

随着OpenAI推出ChatGPT,人工智能的浪潮席卷而来,全球互联网和云服务巨头纷纷加入了大模型的竞争,AI算力需求不断攀升。

从总体发展趋势来看,各国密集出台大模型相关政策,数据、算力、算法更新迭代步伐加快,共同驱动AI大模型性能提升,高质量的数据、算法、算力将引领新一轮发展热潮。

全球对资料处理、大数据分析与AI应用的需求快速增长。

我们来回顾存储市场的发展历史,可以发现下游创新是推动行业规模不断扩张的主要驱动力,同时,大型计算机、台式机及个人笔记本电脑、液晶电视、智能手机与可穿戴设备、云计算等行业创新驱动存储器的市场规模不断扩张。

未来,AI、车用等说不定将成为下一波驱动存储器产业荣景的最大动能,预计存储器产业至少在未来1.5年将维持多头的好光景。

存算一体,未来大趋势

以近存计算、存算一体为代表的新一代计算架构,有望为 AI 提供高性价比算力。

存算一体可以释放资源流动性,所以成为数据驱动AI坚实的技术基础,帮助人工智能应用更为灵活。

所以存算联动将是人工智能应用部署非常重要的发展方向。

安信证券指出,SRAM、RRAM 是存算一体介质的主流研究方向。存算一体的成熟存储器有几种,比如 NOR FLASH、SRAM、DRAM、RRAM、MRAM 等 NVRAM。

每种成熟存储器都有着各自的特点。FLASH成本低,可靠性高,但制程有瓶颈;SRAM速度快,能效比高,在存内逻辑技术发展后有高能效和高精度的特点;DRAM容量大,成本低,但速度慢,需要不断刷新电力;RRAM在神经网络计算中有优势,是下一代存算一体介质的主流方向之一。

除了SRAM之外,RRAM也是未来发展最快的新型存储器之一,它结构简单,速度高,但材料不稳定,工艺还需 2-5年才能成熟。厉害了我的存储器!







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