韩国成立半导体希望基金，狙击中国存储？

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日前，据台湾经济日报报道，在韩国政府主导下，三星电子和 SK 海力士统筹成立了一个总规模达 2000 亿韩元（约 11.8 亿人民币）的基半导体希望基金，投资一些具发展潜力的半导体相关企业。

业内人士分析，韩国的半导体希望基金金额规模虽然不大，但这个意义是非常大，因为是由韩国两大企业领衔。同时由于资金有限，这个基金的方向应该不是在于建设新厂，扩充产能，更多是聚焦在新技术的开发，尤其是存储新技术方面的投入。

报导引述南韩企划财务部副部长周亨焕谈话指出，期许“半导体希望基金”，能成为促进南韩系统半导体企业发展的催化剂。

众所周知的是，过去几年内中国正在大举发展半导体，尤其是最近一年，密集的推出相关的存储产业园布局和建设，直指三星和 SK 海力士的大本营，韩国半导体的腹地。

在这个时候做这样的决定，韩国政府这是紧张了？

中国进攻存储，触动了韩国的神经

从 2014 年建立国家集成电路产业投资基金，再到去年公布“中国制造 2025 ”，中国政府已经把建设自主可控的集成电路产业链提上了重要的地位。而在这两年的对外收购兼并，对内投资建设推动下，中国半导体获得了飞速发展。

据媒体报道，中国大陆 IC 产业产值从 2010 年 210.3 亿美元逐年成长至 2015 年 579.7 亿美元， 2010~2015 年复合成长率达 19.1% 。 Digitimes Research 预估，虽然智能手机出货量成长趋缓，加上全球经济前景不确定性仍高，但在大陆 IC 内需市场仍能稳定成长，加上半导体产业政策支持推动下， 2016 年大陆 IC 产业产值将达 666.4 亿美元，年成长 15% 。

在 IC 设计、制造、封装、测试多个领域齐头并进的时候，中国半导体将触角伸向了存储领域，相信这是引致这次韩国成立半导体基金的主要诱因。

从去年的全球半导体市场看，半导体存储器的销售额为 772 亿美元，在半导体市场中占比为 23% 。相比之下，微处理器、逻辑 IC 和模拟电路的市场占比则分别为 19% 、 28% 和 13% 。由此可见，存储的地位举足轻重。

尤其是中国，作为一个制造大国和电子设备消费大国，对于存储的渴求是前所未有的。

但对比明显的是，中国存储产业几近一片空白，除了兆易创新等几家公司在特殊领域有一些存储器产品，其他通用领域近乎于无，所以 90% 以上依赖进口。据市场研究机构数据， 2015 年中国 DRAM 采购金额约为 120 亿美元， NAND Flash 采购金额为 66.7 亿美元，各占全球 DRAM 和 NAND 供货量的 21.6% 和 29.1% ，在未来几年需求将会暴增，为了控制成本，保证安全，中国于是开始打造自主存储产业链，从而掀起了轰轰烈烈的存储产业建设热潮。

目前主要集中在合肥、晋江和武汉等地方布局。

据了解，合肥当地的存储业务由合肥市政府与尔必达前社长坂本幸雄所建立的兆基科技合作推进，瞄准的是 DRAM ；

晋江方面则是由晋江当地的晋华集成电路公司主导，联合联华电子，在当地打造 DRAM 产品线；

武汉则由紫光收购武汉新芯建立的长江存储主导，而未来聚焦的是 NAND FLASH ，尤其是新近新近兴起的 3D NAND Flash 。

中国的目标是到 2020 年存储芯片自给率达到 40% ，这将会触犯三星和 SK 海力士为首的韩国半导体业者的利益。

从韩国半导体的发展状况我们可以得知，他们目前的数百家半导体及其相关企业主要分为元件、设计、设备和材料几类，当中以存储型半导体占比最大，据市场数据显示，韩国的存储型半导体占其半导体产值 80% 以上的市场。而三星和 SK 海力士则分居存储器市场第一二名的位置。

据韩媒 Money Today 报导，市调机构 IHS 资料显示， 2015 年三星 DRAM 营收为 204.34 亿美元，较 2014 年 186.61 亿美元成长 9.5% ，首次突破 200 亿美元。虽然全球 DRAM 市场规模由 462.46 亿美元萎缩至 450.93 亿美元，但三星营收却逆势成长。从整年度的市占率来看，三星占 45.3% 创下历史新高；而排名第二的 SK 海力士（ SK Hynix ）为 27.7% ，营收 124.89 亿美元，较 2014 年 126.66 亿美元减少，但市占率微幅增加。

值得一提的是三星电子自 1992 年开发出 64Mb DRAM 之后，连续 24 年蝉联 DRAM 半导体全球市占率第一， NAND Flash 方面也自 2002 年起就维持第一名到现在。

从八月份的一个数据我们得知，这两家企业占了 DRAM 全球市场份额的 75% ，而在 2015 年，两者的 NAND FLASH 全球市场份额也高达 45% ，按今年 7 月的数据，光三星一家，其 2016 年第一季度的 NAND FLASH 市场份额就高达 42.6% 。这个比例有点惊人。

2015 年主要原厂 NAND Flash 的市场份额

根据 Digitimes 的数据显示， 2015 年，韩国半导体的半导体出口金额自 2014 年 626 亿美元增加 3 亿美元至 629 亿美元，连续 2 年创新高。其中存储器的的出口金额虽然从 2014 年 340 亿美元相对高点略减至 338 亿美元，但是其在韩国半导体出口中所占的份额则高达 50% 以上，可见存储器对韩国的重要性。

另外，我们从以往的数据可以看到，韩国的三星和 SK 海力士在中国是仅次于 Intel 的第二、第三位供应商。由此可以看出，韩国理应对中国建设存储产业紧张，进而建立了这个半导体希望基金。

中国大陆存储将面临更大压力

从上面的介绍中我们得知，存储产业主要由 DRAM 和 FLASH 两种产品组成。而在这两方面，韩国两家企业都有领先的优势，这些都不可能是一蹴而就的。

首先从成本上分析一下。

研究机构 Bernstein Research 表示，存储产业为典型资本密集与技术密集产业。先从资本谈起，光土地、厂房不含设备，可能就得耗掉 32~42 亿人民币，研究机构 Bernstein 预估，若要取得 DRAM 或 NAND Flash 其中一个市场的一席之地，至少需 15% 左右的市占，以 2014 年第四季产能来估算，一个月产出得达 20 万片（资本支出大约在 200 亿美元，约 1352 亿人民币左右）。

在追逐市占的过程中，若产能一个月增加到 20 万片的幅度，市场将出现超额供给，对于初期生产成本较高的新进者而言，价格会掉到成本以下，新进者即便前面 16~ 24 个月之间投入 200 亿美元以上的资本支出，十年内仍会落后产业先进者一个世代以上。

Bernstein 预估，新进者投入 DRAM 产业，将得承受前面十年 400 亿美元（约 2703 亿人民币）的亏损，投入 NAND 产业前面十年也要有面临 350 亿美元（约 2365 亿人民币）损失的心理准备。

因此从资金投入上看，对中国存储产业的发展就是一个大挑战。虽然有国家的支持，但这也是一笔不少的支出。

其次就是技术。

我们知道三星和 SK 海力士能够从诸多竞争对手中突围而出，除了其雄厚的资金做支持外，他们在技术上面的积累也异常重要。韩国半导体业界普遍认为，中国大陆在 DRAM 和 NAND Flash 的技术与三星电子和 SK 海力士的技术相差甚远，难以在短时间内赶上。

这不但体现在其技术、基础积累，更体现在其专利上。三星等企业已经在存储器方面布下了严密的专利网，对于中国企业来说，是一个巨大的挑战。

很多国内媒体认为， 3D NAND Flash 会是中国的突围方向。我们不妨来看一下这方面的差距。

现在各家半导体大厂的 3D NAND 技术早已如火如荼在开发中，目前进入 32 层堆叠技术，业界都认为 2017 年下半是 3D NAND 产能大量开出之时，目前看来时间点是对的，但各家半导体大场面临的考验恐怕会比预期艰巨数倍。

过去平面 NAND Flash 芯片朝两方面前进，一是陆续有 SLC 、 MLC 、 TLC 型 NAND Flash 芯片的演进来提高储存容量并降低成本；二是制程技术不断往前，目前已经进入 18/16/15 纳米制程，但无法否认的是，技术前进的同时，其 NAND Flash 的氧化层越薄，芯片可靠性是递减的，因此需要用额外的方式来增强效能，这又使得成本提升，因此，平面 NAND Flash 技术已无法满足市场需求，开始进入 3D NAND 时代。

进入 3D NAND 技术后，制程技术的演进成为其次，堆叠层数才是重点，层数越高会使储存容量越大。不过，当堆叠层数越高时，各层对准的技术就很困难，定位技术必须做的好，因为堆越高会越难对准。

三星曾对外表示，不久将来会看到 100 层堆叠的技术出现。根据业界进度， 2017 年 3D NAND 技术会到 80 层， 2020 年到 100 层，至于 3D NAND 技术的堆叠极限在哪里里，各界也有不同的看法，有人甚至认为可堆到 200 层，但以目前技术挑战而言，真的堆叠到 200 层，恐怕对准的精准度是很大考验，可能良率也不见得太好，即使是 2020 年到 100 层，恐怕难度都很高。

三星在 3D NAND 技术世代上仍是龙头厂，是全球第一家量产 3D NAND 技术的半导体厂，技术演进也最扎实。三星在 2013 年推出 24 层叠的 3D NAND 芯片，之后 32 层堆叠、 48 层堆叠的芯片陆续问世。

三星计划今年第 4 季转进第四代 64 层堆叠技术的 3D NAND 芯片，估计每片晶圆的储存容量再提高 30% ，意味成本持续下降，三星也对外指出， 100 层堆叠以上的技术不是梦。

而在 DRAM 方面，同样以三星为例。

BusinessKorea 31 日报导，半导体产业透露，三星内存部门今年初量产 18 纳米制程 DRAM ，准备在明年下半生产 15 、 16 纳米 DRAM 。同时，该公司将拉高 18 纳米 DRAM 占整体 DRAM 的生产比重，目标明年下半提高至 30~40% 。相关人士说，明年三星 10 纳米等级 DRAM ，将占整体 DRAM 生产的一半。

DRAMExchange 估计，当前三星 DRAM 生产以 20 纳米为主、占 82% ， 18 纳米仅占 12% 。

三星制程微缩进展比原先预期更为快速，内存部门主管 Chung Eun-seung 2015 年初暗示， 2020 年将量产 10 纳米等级 DRAM ，如今看来，应该 2019 年初就能达成目标。

本身三星的 SK 海力士的发展是由韩国政府在背后的支持而发展起来的，在中国在效仿韩日，想打造自己的存储产业的时候，甚至用九倍年薪从韩国挖人，积累技术储备的时候，上任以来一直在打击三星的朴槿惠政府这时候走出来支持三星和 SK 海力士，无疑释放出了一个明显的信号，政府支持三星和 SK 海力士对抗来自中国的威胁，虽然十几亿人民币的基金跟中国上千亿的基金规模没得比，但是由于其本身的技术积累，对于中国存储来说，韩国政府的这个做法，也会让其感到不安。

难道当年韩国打击台湾 DRAM 发展的故事又将重演？

在 2008 年金融海啸发生以后，当年台湾 DRAM 技术的主要来源无能力投入更多的资金进行研发之时，三星李健熙逮到机会，执行三星最常用的逆势投资法，在台日两地停止投资后，反而增加资本支出、强化研发支出，加速推进制程技术及价格战，这也造成后来尔必达及台湾 DRAM 厂纷纷宣布破产下市。

中国大陆在各个方面技术还不如台湾的情况下，这下在面临的挑战无疑是更加巨大了。

虽然面临的挑战依然巨大，但对于中国半导体产业来说，存储的重要性是毋庸置疑的，因此多艰难也要砥砺前行。中国大陆或可继承台湾未竟之事业，打造真正的中国存储。

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