专栏名称: PCEC 可持续发展服务
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技术贴 | 熔断器保护的晶闸管限压组件举例

PCEC 可持续发展服务  · 公众号  ·  · 2025-02-21 08:30

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PCEC

技术贴





如图1所示可控硅组件限压电路,过压保护电路为熔断器F1 (额定电压250 V,额定电流1 A) 保护的晶闸管Q1 (600 V 4 A ,VGT:0.8 V) 、稳压二极管D1 (5.1 V,5 W,5%) 、电阻R1 (39 Ω,1%,3 W)

图1.可控硅组件限压

则高输出电压为:

U o :5.1 V*1.05+0.8 V=6.155 V。
元件额定值“2/3”如下:
Q1:6.155 V<600 V×2/3、1.7×2 A<4 A×2/3。
R1: I =0.8 V/(39 Ω*0.99)=21 mA,
21 mA*21 mA*39 Ω*1.01<3 W×2/3。
D1:21 mA*5.1 V*1.05<5 W×2/3。
对于熔断器保护的晶闸管瞬态效应也是重要的考核点,熔断器的时间·电流特性应保证不超过被保护元件的瞬态额定值。

图片来源:PCEC

并且晶闸管这样的半导体元件限压时所产生的瞬态能量企业也应予以重视,需要在国家授权的防爆质检中心进行试验验证,如图2所示,序号1代表允许的参考电压,序号2代表能量 (焦耳) :电流*阴影部分的积分面积 (伏安秒)

图2.电压积分的瞬态能量




参考文献

GB/T 3836.4—2021 爆炸性环境 第4部分:由本质安全型“i”保护的设备[S].

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检测检验中心 袁港

专业领域:

防爆产品的检验研究

联系方式:

16602666343

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