关注┃半导体专利之争升级：英诺赛科反诉英飞凌

来源：知产财经

近日，英诺赛科公司发布公告称，公司及公司全资附属公司英诺赛科（苏州）半导体有限公司（统称原告）已向中国江苏省苏州市中级人民法院起诉英飞凌科技（中国）有限公司（被告一）、英飞凌科技（无锡）有限公司（被告二）及苏州芯沃科电子科技有限公司（被告三），就202311774650.7号专利提交起诉状《(2024)苏05民初1430号》及就202211387983.X号专利提交起诉状《(2024)苏05民初1431号》。

英诺苏州为202311774650.7号及202211387983.X号专利的专利权人，公司已就涉案专利获得英诺苏州许可。涉案专利分别涉及一种氮化镓(GaN)功率器件及其制备方法，以及一种氮化物基半导体器件及其制造方法。

据了解，英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑成立，其前身是西门子集团的半导体部门。英诺赛科成立于2015年，是一家从事第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。

根据起诉状，被告二是被告一的全资控股子公司，并为英飞凌中文网站的备案主体。该网站向中国的潜在客户展示、宣传及许诺销售多种型号的氮化镓(GaN)半导体器件；被告一是涉案侵权产品的进口商和总经销商；被告三是被告一、被告二于中国的增值分销商。

经技术比对，原告认为涉案侵权产品落入涉案专利的保护范围，三被告未经原告允许实施了许诺销售、销售、进口涉案侵权产品的行为，构成对涉案专利的侵害，依法应当承担相应的法律责任，包括停止侵权行为及承担赔偿责任。

知产财经曾报道，2024年3月，英飞凌科技公司（Infineon）在美国加利福尼亚州中区法院就半导体相关专利起诉英诺赛科专利侵权。英飞凌表示，其正在寻求针对一项与氮化镓（GaN）技术相关的美国专利侵权的禁令救济，并称该专利涵盖了GaN功率半导体的核心方面，涉及英飞凌专有GaN器件的可靠性和性能。

2024年6月，继在美国对英诺赛科提起氮化镓(GaN)技术专利侵权诉讼后，英飞凌也向德国慕尼黑地方法院提起了相应的诉讼。慕尼黑地方法院随后于6月12日颁布了初步禁令，要求英诺赛科不得在纽伦堡举办的PCIM Europe 2024（全球电子行业知名展会）上展示其被诉产品。