而在此前,在中芯国际2019年一季度财报信息披露中,梁孟松博士就曾经披露12nm已经进入客户导入阶段,并表示更新一代FinFET工艺研发进度喜人,相关研发进程非常顺利。
在12nm制程工艺后的新一代FinFET工艺研发?究竟是10nm,还是更高级别,当下国际顶尖的7nm芯片先进制程工艺?从研发进度来看,中芯国际越过20nm等级,直接由28nm过渡到14nm,也不能排除从12nm直接跃进到7nm的可能。
而另一件事情似乎可以佐证这种由12nm直接跃进到7nm的猜想。根据中国产业经济信息网披露,2018年年中,中芯国际耗资1.2亿美元,向荷兰ASML公司订购了亿台EUV极紫外光刻机,而这种设备通常用来7nm级别先进制程工艺的研发使用。
其实,无论新一代FinFET工艺研发级别是10nm,还是7nm,都是国内芯片代工生产技术的突破,而翘首期盼的国产7nm越来越近,或已是为期不远。
自2000年中芯国际成立,到现如今14nm制程工艺的量产化,12nm制程工艺进入到客户导入阶段,不到20年的时间,中芯国际从0到1,又不断提升技术水平,可谓成绩斐然。
值得注意的是,中芯国际14nm工艺的研发成功与企业近年来持续引进人才密切相关。
2017年,有着丰富芯片制程工艺研发经验的梁孟松加入中芯国际;2018年8月9日,梁孟松研发团队宣布14nm工艺取得重大突破。这距离梁孟松加入中心国际也不过是298天,换言之,不到300天的时间,中芯国际技术工艺完成了代差性的跨越。
同期,台积电时期曾在梁孟松团队任职的周梅生出任企业技术研发执行副总裁一职。在梁孟松、周梅生等人的努力下,短时间内实现了由28nm制程工艺向14nm制程工艺的跨越。