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GlobalFoundries正式宣布7nm FinFET工艺

半导体行业观察 · 公众号 · 半导体 · 2016-09-17 10:45

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代工厂GlobalFoundries今天官方宣布了7nm FinFET半导体工艺规划，面向数据中心、网络、高级移动处理器、深度学习等领域。GF目前的主力性能工艺是14nm FinFET，但此前就披露下一步将跳过行业流行的10nm而直奔7nm，因为GF认为10nm和之前的20nm一样只是过渡工艺，7nm才是下一个高性能节点。

AMD也已经和GF首次签署了为期五年的晶圆供应协议，将共同进军7nm。

GF表示，7nm FinFET工艺将使用行业标准的FinFET晶体管架构和光刻技术，因此可在很大程度上重新利用现有14nm FinFET工艺的工具和资源，大大加速投产进度，同时还会兼容EUV极紫外光刻技术，为未来发展做好储备。

GF 14nm FinFET工艺目前正在美国纽约州的Fab 8工厂内量产，并将为7nm FinFET工艺的开发和生产，继续投资几十亿美元。

GF宣称，7nm FinFET工艺相比有目前的16/14nm FinFET，电路集成密度可以增加超过1倍，性能则可以提升30％。

AMD自然将是GF 7nm FinFET工艺的主要客户，据称新处理器代号“Starship”，最多48核心96线程，热设计功耗180W。

AMD CEO苏姿丰博士也特别表示：“GF 7nm FinFET等顶级技术是我们计算、图形产品长期路线图的重要组成部分，可支撑下一代计算体验。我们期待与GF继续紧密合作，延续其在14nm上的坚定执行力和技术基础，从而在未来几年内实现高性能低功耗的7nm技术。”

作为GF的技术来源之一，IBM也对其勇敢进军7nm表达了大力支持。

GF 7nm已经开始内部测试，预计2017年下半年开始接受客户产品设计，2018年初投入试产。

另消息称，Intel 7nm已经推迟到2022年。

除了高性能的7nm FinFET，GF日前还宣布了下一代低功耗工艺12nm FD-SOI(12FDX)，将继承22FDX，面向移动计算、5G互连、人工智能、自动驾驶等领域，计划2019年量产。

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