总投资120亿元，士兰集宏8英寸碳化硅项目封顶

（来源：今日海沧）

士兰集宏项目总投资120亿元，分两期建设，总建筑面积达23.45万㎡，一期投资70亿元，预计2025年四季度初步通线、2026年一季度试生产，达产后年产能42万片8英寸SiC芯片；二期投产后总产能将提升至72万片/年，成为全球规模领先的8英寸SiC功率器件产线。该项目以SiC MOSFET为核心产品，主要服务于新能源汽车主驱逆变器、光伏逆变器、智能电网等高需求领域。

据悉，该项目以“厦门速度”推进，从谈判签约到开工仅用55天，钢结构首吊于1月21日完成，主厂房核心区22榀钢桁架梁半月内全部就位。

据悉，士兰集宏项目达产后可满足国内40%以上的车规级SiC芯片需求，并带动上下游产业链集聚厦门，加速第三代半导体材料、设备国产化进程。

此外，士兰微已实现第Ⅳ代SiC MOSFET芯片量产，其主驱模块已获国内知名车企批量采购，技术实力进一步巩固。

据士兰微电子董事会秘书、副总裁陈越介绍，士兰集宏力争到2028年底最终形成，年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。届时，项目可以较好地满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩、Ai服务器电源、大型白电智能功率模块等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，同时促进国内8英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。

据悉，项目全面达产后，预计年产值超120亿元，助力厦门打造第三代半导体产业集群，并为中国在全球功率半导体竞争中抢占高地。