Nat Commun：高效稳定的近红外InAs量子点发光二极管

知光谷 · 公众号 · · 2025-03-13 07:50

正文

可见光量子点发光二极管（QD-LEDs）已经满足了商业显示需求。然而，近红外（NIR）量子点发光二极管由于近红外量子点的质量较差以及适合近红外电致发光的器件结构限制，远远落后于可见光量子点发光二极管。

本文河南大学曾再平、申怀彬和西湖大学冀波涛等人提出了一种使用氟化锌平衡ZnSe壳层在不同量子点晶面上生长的策略，制备了具有接近100%量子产率的高度规则的InAs/InP/ZnSe/ZnS量子点。此外，我们开发了一种原位光交联混合空穴传输材料的方法，用于精确调节能级。交联的空穴传输层增强了空穴向发光层的传输，实现了量子点发光二极管中载流子动力学的平衡。

所制备的近红外量子点发光二极管在905 nm处表现出20.5%的峰值外量子效率（EQE），最大辐射亮度为581.4 W sr − 1 m

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