1.邓中翰建议尽快组建人工智能技术国家实验室;
2.中芯国际在CSTIC上悉数追赶国际先进水平的布局;
3.机构看好自主芯片产业链;
4.微电子所硅光子平台开发取得进展;
5.我国在硅纳米线阵列宽光谱发光研究中取得新进展;
6.紫光股份有限公司重大事项停牌进展公告
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1.邓中翰建议尽快组建人工智能技术国家实验室;
全国人大代表邓中翰建议：
北京晨报讯（记者 张璐）全国人大代表、中国工程院院士、 “星光中国芯工程”总指挥邓中翰建议，尽快组建人工智能技术国家实验室，吸引国内该领域的优秀专家，通过跨学科、高强度的协作，实现人工智能技术的创新发展。
邓中翰称，人工智能已经成为这个时代最为激动人心、最值得期待的高新技术。总体而言，我国在人工智能、集成电路领域与美国等发达国家还存在着差距，政府工作报告将其列为重点划分的战略性新兴产业可谓是一场及时雨。
他建议在我国成立以人工智能技术为主攻方向的、具备一定规模的国家实验室。“我国有国家重点实验室，但还没有国家实验室。美国自‘二战’以来已经组建了十几家国家实验室，其中美国第一家国家实验室劳伦斯·伯克利国家实验室，培养了多位诺贝尔奖获得者。”
邓中翰说，人工智能技术不仅具有高端性，也具有市场性。“在新的领域里既要军民融合，又要结合市场的发展”。他说，“我们要学习美国成立国家实验室的办法，规模一定要做大。现在很多工程中心或者是国家重点实验室，规模太小了，难以在未来占据科技创新的制高点。”他认为，国家实验室运行模式上要以科学家组建团队。
他建议，国家加大对科技型企业的金融支持力度，扶持重点企业在境内外上市融资，并为包括集成电路、人工智能等领域的高科技公司开辟境内上市的绿色通道。他说，就我国芯片企业而言，当下普遍面临着融资渠道缺乏、研发投入能力有限、持续创新能力较弱等制约，迫切需要在国家层面统筹协调，资金投资与政策支持。
同时，加强高新技术的知识产权转化和保护，注重将先进的技术转化为自主的标准。设立国家重大项目知识产权风险管理体系，引导建立知识产权战略联盟。
2.中芯国际在CSTIC上悉数追赶国际先进水平的布局;
作为中国最大、工艺最先进的晶圆厂，中芯国际的一举一动都会受到大家的关注。在由SEMI主办的2017’中国国际半导体技术大会（CSTIC 2017）上，中芯国际CEO邱慈云博士给我们带来了最新的介绍。
根据邱慈云博士介绍，从2000年以来，全球半导体市场都在稳步增长，当中尤其以中国半导体的成长态势最为显著，在世界市场上所占的份额也日益提升。
他指出，在2000年的时候，中国半导体市场只占全球份额的7%；而到了2010年，这个数字则变成了30%；在刚过去的2016年，全球半导体市场总额高达3530亿美元，而中国半导体市场占了当中的45%。邱慈云博士指出，从现在到2020年，中国半导体市场将保持5.4%的年复合增长率，到了2020年，中国半导体市场占领全球的份额将会高达47%，而届时全球的总额也会增加到4340亿美元。
虽然中国半导体市场成长迅猛，但中国半导体还需要面对多方面的挑战。邱慈云指出。当中包括了增加的国际竞争、成长容量、人力增长、有经验的人才和完善的生态系统这几个方面。
在这种环境下，中芯国际作为中国晶圆代工长的领头羊，在工艺制程上面紧追国际的先进从业者。从130nm发展到现在的7nm和5nm，晶圆厂玩家逐渐减少，到了现在规划中的7nm，也只有两家IDM（三星和英特尔）和三家晶圆厂在投入研发，当中就有一个是中芯国际（另外两个是TSMC和格芯）。
为了跟上国际先进巨头的步伐，中芯国际在研发商投入了巨额的资金。根据邱慈云博士介绍，在过去六年内，中芯国际投入了近二十亿美金到研发中去，而在设备方面的投入更是巨大。这种投入也给中芯国际带来不错的成长。
从邱慈云博士的介绍中我们可以看出，在过去八年内，中芯国际的营收都在稳步增长，到去年，更是达到了29.14亿美元。
除了投入研发和设备外，中芯国际还与国内外厂商一起，打造中国的集成电路生态环境。
与此同时，中芯国际还在扩充产能，以满足日益增长的芯片制造需求。
值得一提的是，在2016年，中芯分别在上海、天津和深圳规划了三个晶圆厂。期货中上海的为12寸晶圆厂，主要工艺聚焦在45nm/40NM到28nm，建成后产能达到20 KPM；而天津的则是一个8英寸晶圆厂，其主要生产工艺就是0.35μm到0.15μm，差能也高达45K WPM；至于深圳场，这同样也是一个8英寸晶圆厂，工艺则覆盖了0.35μm到90nm。
除了兴建晶圆厂以外，中芯国际还携手长电，建立中芯长电半导体，架起中国半导体供应链的桥梁。这个合资公司具有12英寸凸块加工（Bumping）及配套晶圆芯片测试 （CP Testing）能力。
合资公司落地江阴高新区，可利用当地独特的区位优势和成熟的产业环境，快速建立起凸块加工、晶圆芯片测试为主的中段生产线，并利用长电科技就近配套的倒装（Flip-Chip）先进后段封装生产线，为40纳米、28纳米及以下先进工艺的终端芯片服务，加上中芯国际正在建设的12英寸前段先进工艺技术芯片加工生产线，将打造国内首条完整的12英寸先进集成电路制造本土产业链。这样的产业链将缩短芯片从前段到中段及后段工艺之间的运输周期，有效衔接各个加工环节，更重要的是它贴近中国这一全球最大的移动终端市场，从而帮助芯片设计公司明显地缩短市场反应时间，更好地服务于快速更新换代的移动终端市场。
热门的CMOS图像传感器，也是中芯国际关注的重点产品。中芯甚至还与TSES联手打造了一条12英寸的彩色滤光片和微镜生产线。这条中芯国际打造IC制造产业链，实现差异化发展战略的重要步骤。结合中芯国际已有的12英寸CIS晶圆生产线，以及国内已具备的后段封装生产能力，中芯打造出了国内首条连接12英寸CIS生产前段、中段和后段的完整产业链，为客户提供具有竞争力的差异化产品和完善、便捷的一站式服务。正如邱慈云博士所说，中芯现在提供了丰富的服务。
SEMI China
3.机构看好自主芯片产业链;
中国证券网讯（记者 屈红燕）申万集成电路指数13日创出今年以来新高，兆易创新、长电科技等个股大涨，机构对自主芯片产业链龙头个股关注度明显提升。
受消费电子和汽车电子等产业的推动，芯片产业景气度上升，今年以来芯片价格普遍涨幅在一成以上，产业链进入景气状态，引发了机构关注。天风证券表示，目前半导体行业整体景气度较高，费城半导体指数反映的是美国半导体行业上市公司股价走势，也是半导体行业景气度的关键指标，费城半导体指数从去年10月开始至今已上涨340个点。部分买方机构认为，硅片、存储器芯片和晶圆代工等半导体产品持续涨价，半导体产业进入景气向上周期，涨价潮可能持续到今年年底。
芯片行业具有重要的战略意义，芯片被广泛运用于家电、手机、汽车电子等产业，被誉为工业4.0的粮食，我国每年进口芯片的外汇花费超过石油，近期大热的人工智能、无人驾驶等产业未来比拼的也是芯片运算能力。部分买方机构认为，我国芯片市场需求巨大，自给率低下，而芯片具有重要的战略意义，我国自主芯片行业未来必须具备突破能力，而随着芯片产能从欧美转移到亚洲，我国半导体产业环境逐渐成熟，我国企业与国际大公司之间的差距在缩小，龙头公司面临良好的战略机遇。
最近A股芯片板块个股动作频频，产业链上的相关个股也被催化。兆易创新13日复牌涨停，公司拟作价65亿元并购北京矽成，北京矽成是全球领先的SRAM和DRAM芯片设计厂商，兆易创新是A股存储器和MCU芯片双龙头，长期受益于国家芯片国产化战略，收购矽成将显著提升公司竞争力。长电科技近日增发过会，本次增发完成后，公司间接持有星科金鹏100%股权，中芯国际将成为长电科技第一大股东，未来国内半导体封装龙头与制造龙头将在客户共享、技术延伸方面有更加紧密合作，强强联合做强中国芯。
4.微电子所硅光子平台开发取得进展;
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员闫江团队在硅光子平台开发方面取得新进展，完成硅基波导集成的锗探测器（图1）和硅基调制器（图2）的流片并取得优良结果。
硅光子技术是集成电路后摩尔时代的发展方向之一，旨在利用基于CMOS工艺的大规模集成电路技术在硅基衬底上进行光子器件和芯片的开发，最终实现光电单片集成。硅光子技术的优势在于充分利用成熟的CMOS基础设施和经验，根据市场需要，实现低成本大规模量产。但光子器件和芯片的材料选择和工艺流程与集成电路存在一定的差异，需要进行相关工艺的开发。近年来，欧美等国在硅光子领域已有大量投入和经验积累，并逐渐形成产业优势。我国虽在分立器件的设计和制作方面成果显著，但国内尚无完善的硅光子工艺平台，国内设计的高端硅光子芯片基本都要在国外流片，导致成本高、周期长、难以进行工艺定制等问题，很大程度上制约了我国硅光子技术的发展。
微电子所集成电路先导工艺研发中心拥有一条完整的8英寸CMOS工艺线，2011年建成以来出色完成了多项国家重大科技专项课题。2015年，该中心结合微电子技术和光电子技术融合的发展趋势，果断组织团队，依托先导中心CMOS工艺线进行硅光子工艺技术的开发。硅光子团队成立以来开展了大量细致的研发工作，并与中科院半导体研究所、中电38所和武汉邮电科学院紧密合作，联合成立了硅光子平台开发小组，发挥各单位优势，确立了硅光子平台PDK方案，设计了硅光子无源和有源器件库版图，进行了多次工艺流片实验。经过近两年的努力，成功开发了系列硅光子流片工艺模块和初版PDK，其中标准单元库主要包括单模波导、Y-分支、光交叉器、耦合光栅等无源器件，而最近有源工艺的成功开发，将向标准单元库中添加加热电极、调制器和Ge光电探测器等有源器件。
此次有源器件流片的成功，加上先导中心2016年上半年开发成功的硅光子无源工艺及器件（图3），使微电子所硅光子平台具有为业界提供基于180nm 工艺的硅光子流片服务的能力，成为国内首个基于8英寸CMOS工艺线向用户提供完整硅光子MPW和定制流片服务的平台，将为我国硅光子研究和应用开发提供有力支撑。
图1.30Gb/s波导集成锗探测器眼图
图2.30Gb/s MZI调制器眼图
图3. 硅光子无源器件 中国科学院网站
5.我国在硅纳米线阵列宽光谱发光研究中取得新进展;
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI材料与器件课题组在硅纳米线阵列宽光谱发光方面取得新进展。课题组研究人员将SOI与表面等离子体技术相结合，研究了硅纳米线阵列的发光性能，并且与复旦大学合作借助时域有限差分法（FDTD）理论计算了硅纳米线发光峰位与纳米腔共振模式的对应关系，为实现硅基光电集成奠定了实验与理论基础，有助于推动硅基光源的大规模应用。相关研究成果以Multiband Hot Photoluminescence from Nanocavity－EmbeddedSilicon Nanowire Arrays with Tunable Wavelength 为题于近期发表在《纳米快报》（Nano Lett．， 2017， 17 （3）， pp1552－1558）上。
Si作为微电子工业领域最重要的基石，在集成电路发展中起到了至关重要的作用。但是随着器件尺寸越来越小，过高的互连和集成度带来了信号延迟和器件过热的问题，给以大规模集成电路为代表的微电子工业的持续发展带来了很大的挑战，而硅基光电子集成则是解决这一难题的理想途径。然而将两种截然不同的技术（电子学与光子学）集成在同一片硅片上，最大的挑战是光源的问题。对于发光器件，目前大量的研究集中在GaAs，InGaAs等直接带隙半导体。但是目前为止实现III－V族等直接带隙半导体材料与硅基集成还存在巨大的阻碍。然而，硅由于其间接带隙结构使得其发光效率极低，无法实现光的有效发射。SOI课题组母志强、狄增峰、王曦等研究人员将SOI技术与表面等离子激元技术相结合，通过将硅纳米线加工成类梯形结构，实现了类梯形结构纳米共振腔增强的硅纳米线阵列的发光增强。通过对比实验与FDTD计算结果，发现了纳米线阵列的发光峰位与纳米腔共振模式的一一对应关系。并且通过制备尺寸渐变的硅纳米线阵列，实现了硅纳米线阵列发光峰位在可见以及近红外区域的连续可调。这不仅为硅基光源开辟了一条新的途径，而且将有力推动硅基光电集成的发展。
该工作得到国家自然科学基金委创新研究群体、优秀青年基金、中科院高迁移率材料创新研究团队等相关研究计划的支持。中国科学院
6.紫光股份有限公司重大事项停牌进展公告
股票简称：紫光股份(56.890, 0.00, 0.00%) 股票代码：000938 公告编号：2017－004
紫光股份有限公司
重大事项停牌进展公告
本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整，没有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。
紫光股份有限公司（以下简称"公司"）正在筹划重大事项，经公司向深圳证券交易所申请，公司股票（股票简称：紫光股份，证券代码：000938）已于2017年3月7日（星期二）开市起停牌。公司于 2017年3月7日披露了《关于筹划重大事项的停牌公告》（公告编号：2017-003）。
鉴于该事项仍存在重大不确定性，为保证公平信息披露，维护广大投资者利益，避免造成公司股价异常波动，公司股票自2017年3月14日（星期二）开市起继续停牌，预计在首次披露停牌公告之日起10个交易日内根据相关事项的实际情况确定复牌或继续申请停牌。
公司股票停牌期间，公司将根据有关规定及时履行信息披露义务。公司指定的信息披露媒体为《中国证券报》、《证券时报》、《上海证券报》和巨潮资讯网 （www.cninfo.com.cn），公司所有信息均以在上述指定媒体刊登的公告为准。敬请广大投资者关注后续公告并注意投资风险。
特此公告。
紫光股份有限公司
董 事 会
2017年3月14日证券时报
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