中国大陆存储器产业崛起，韩国产业如临大敌

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南韩两大半导体厂 Samsung 与 SKHynix 共组半导体希望基金，资金规模约 2000 亿韩元（约 55 亿元新台币），显示南韩亟欲凸显且扩大其在全球记忆体市场的竞争力与影响力。

不过半导体希望基金规模不大，预期重点不在建置新厂、扩张产能，而是锁定技术研发，特别是 DRAM 、 NANDFlash 、行动记忆体、新兴记忆体等产品的研发。

南韩半导体国家队的成军，主要是反映大陆记忆体即将崛起的压力。记忆体行业已成为大陆官方投资的重要方向，企图实现从无到有的局面。大陆记忆体产业奠定在当地需求快速增长的基础，以 NAND Flash 来说，由于行动装置需求的快速增长及伺服器、资料中心的大量建置，大陆市场 NAND Flash 消耗量占全球的比重将于 2017 年达 3 成以上， 2020 年将超过 4 成。

预料大陆记忆体市场当前发展的 4 大主力，将由长江存储（负责 3D NANDFlash 、 DRAM 生产）、武汉新芯（负责 NOR Flash 、逻辑代工）担纲重任，而福建晋华存储器项目、合肥市存储器项目也将有所发挥。

在国家积体电路大基金的牵线下， 2016 年 7 月紫光集团宣布收购武汉新芯 50% 以上股权，成立长江存储技术公司，此举将可避免重复投资，实现各方优势资源共享；而 2016 年底长江存储将兴建首座 12 寸厂，在 Spansion 技术授权下，最快 2017 年底生产自制 32 层堆叠 3D NAND 晶片，大陆终将顺利挤进 NAND Flash 领域。

而长江存储技术公司在 DRAM 领域的布局，则端视未来 Mciron 再整并完华亚科之后，是否与紫光建立策略联盟，双方将针对 DRAM 技术及产能进行合作；另外武汉新芯未来将专职 NOR Flash 和逻辑代工业务，旗下 12 寸厂月产能约 3 万片，其中有超过 2 万片是生产 NOR Flash 晶片。

福建晋华存储器项目则是由晋华投资 370 亿元人民币建设存储晶片晶圆厂，并由联电提供技术方案，预计 2018 年 9 月形成月产 6 万片 12 寸先进制程内存晶圆的生产规模。而合肥市存储器项目，将由合肥市政府出资 460 亿元人民币，兆基科技提供技术方案，第一步是设计物联网科技所需的低耗电 DRAM 晶片，最快 2017 年下半年开始投产。

大陆记忆体是集成电路 4 大产品类型中自给率最低的部分，预期大陆记忆体市场的进口替代空间庞大，而未来对岸记忆体势力的崛起，势必将改写全球记忆体版图的分布，让目前掌握绝大市占率的韩厂备感威胁。

破局韩国，中国企业可以从敌人身上学到什么？

存储芯片占整个半导体产业产值的 22% 、晶圆产能和资本支出的近 1/3 。而我国庞大的存储器需求市场几乎完全依赖进口，已成为我国半导体产业受外部制约最严重的基础产品之一，布局储存器已成为我国半导体发展大战略中势在必行的一步。

但是我们必须承认一点，韩国目前在存储产业是绝对领先地位。

据 TrendForce 的数据， 2015 年四季度三星、 SK 海力士和美光分别以 46.4% 、 27.9% 、 18.9% 的市场份额位居前三强，共同占有全球 DRAM 市场份额超过九成的市场份额，而韩国企业三星和 SK 海力士更以近四分三的市场份额占据绝对优势的市场份额。而早期曾经是 DRAM 市场一强的中国台湾企业南亚科、华邦、力晶占有的市场份额仅剩下 5.6|% 的市场份额。

在工艺上韩国企业同样占有优势，三星目前工艺领先，其早已转入 20nm 工艺，目前其在这一工艺上良率优于其他竞争对手，在总体产能比重中逐渐上升，其计划今年中引入 18nm 工艺，进一步降低其生产成本。

SK 海力士去年 8 月其号称全球最大的半导体工厂“ M14 ”竣工，成为去年新增产能最多的 DRAM 企业，去年四季度引入 21nm 工艺，这将有望进一步提升其在 DRAM 市场的份额。

美光在去年四季度开始采用 20nm 工艺生产 DRAM 不过目前良率不如三星，预计今年会采用 16nm 工艺生产 DRAM 。最让美光受鼓舞的是， Intel 这个半导体巨头回归 DRAM 市场（其早年是 DRAM 市场一强，后来被日本企业击败于是退出了这个市场）选择与美光合资，这将有助于美光增强其与韩国企业的竞争实力。

我们的本土存储产业在国家意志强力推进的大背景下，所处环境与韩国 80 年代有许多“同”与“不同”，因此从研究韩国模式成在何因出发，探索中国机遇途归何处。

公司层面：

以三星电子为代表的韩国存储器资金推动 + “政企合作”模式实现对美日企业赶超韩国内存半导体产业利用“政企合作”模式，通过在资金、技术和人才方面的有效运营实现了对美日先进企业从落后、同时到领先的跨越式发展。“政企合作”模式的突出特点为：在资金上，立法减税，政府托底，政府、财团投入不计成本；在技术上，政府统筹、企业合作，从引进、消化到创新不择手段；在人才上，拼搏进取、储才立业，形成业务增长长期动力。

行业层面：

韩国模式是针对存储器半导体产业特点的一次精准打击存储器半导体产业特点鲜明，韩国模式取得成功正是对其特点的对症下药：

首先， DRAM 产业资金投入密集、产品通用性强，韩国模式能够保证资金投入，敢于快速投产形成规模优势；

其次， DRAM 产业行业周期性显著，韩国模式利用行业严冬期“逆周期投资”，既能穿越行业周期，又能缩小技术差距；

最后， DRAM 产业技术革新快速，产品寿命周期短，不断快速开发新世代产品成为必然，唯有大企业有能力持续投入创新，韩国模式通过政府政策对大企业定向导流资金，参与强者之争。

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