供给端： 缺货传导至8寸晶圆，挤占原有产能。12寸晶圆由于存储等需求上升，造成供不应求，像CIS、PMIC、NorFlash和指纹识别IC等产品开始转移到8寸晶圆，挤占了特色工艺如功率器件、MEMS、模拟芯片等的产能。同时8寸晶圆设备停产，限制产能释放。8寸晶圆生产的设备已经停产，目前厂商购买的8寸设备主要来自二手市场，数量极少且价格昂贵，设备的停产钳制着8寸晶圆产能的释放。
需求端： 汽车电子化东风至，功率器件迎数倍成长空间。新能源汽车区别于传统汽车最核心的技术是：“电机驱动”、“电池”、“电子控制”，汽车电子化全面地带动对功率器件的需求。根据英飞凌的统计，一辆传统燃料汽车使用动力传统系统功率半导体器件为17美元，而一辆纯电动汽车/混合动力汽车上功率半导体器件价值为265美元，增加了近15倍。未来随着新能源汽车的普及，功率器件将迎来发展的好机遇。
MOSFET缺货严重，看好未来三年景气度。 需求端：LED照明市场扩大，带来MOSFET需求旺盛。智能手机的快充普及带来六级能效/同步整流的MOSFET需求增加。同时随着未来物联网的普及，将会带来巨大功率器件市场。供给端：指纹识别IC和双摄挤压8寸线产能，挤压8寸厂生产MOSFET的产能。随着新能源汽车的发展，国际大厂纷纷转向利润高的市场，砍掉中低压MOSFET产能。
IGBT为新能源汽车的核心，工控、动车也具潜力。 目前在新能源汽车中，最有提升空间的当属电机驱动部分，电机的技术水平直接影响整车的性能和成本，而电机驱动部分最核心的元件当属IGBT，其成本占到政策成本的7-10%。并且在充电桩、工业控制、白色家电、轨道交通等领域，也需要IGBT进行变频、整流。
第三代化合物半导体性能更加优秀，是未来功率器件的发展方向。 在功率器件的发展中，传统的硅基功率器件已经达到了其材料的极限状态，难以满足当前工业、汽车等领域对于高频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境以及轻便小型化的新需求。以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料以其优异的性能，是未来的发展方向。SiC主要使用在高压电路中，而GaN更适合在低压高频领域，第三代半导体的应用，有望成为功率半导体增长新的推动力之一。
国内企业加速突破，国产化替代可期。 国内功率器件市场基本上由国外企业垄断，国内企业目前在中低端市场已经开始突破，但是在高端产品上还是落后国际大厂1-2代。但随着不断研发和政策支持，以士兰微、扬杰科技、华微电子为首的国内企业，有望实现突破。而海外龙头面对着产品同质+成本竞争，不得不开始重新调整自己的经营模式。一方面通过做减法，剥离自己没有优势或盈利能力不强的产品，另一方面通过并购、强强联合等，调整和完善自身产品线，以获取更大的优势。国外企业退出低端市场，给国内企业也带来了一些机遇。
