2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）暨 2017 国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京顺义隆重召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟、
国家半导体照明工程研发及产业联盟、北京市顺义区人民政府主办，中关村科技园区顺义园管理委员会、北京半导体照明科技促进中心和北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛同时得到了科技部、发改委、国标委和北京市科委等主管部门的大力支持。
11月3日上午IFWS 2017之第三代半导体固态紫外器件技术分会如期举行。分会由北京大学物理学院教授、理学部副主任沈波和南京大学教授陆海共同主持了本届分会。
Hideki HIRAYAMA 日本理化学研究所量子光电设备实验室主任兼首席科学家
日本理化学研究所量子光电设备实验室主任兼首席科学家Hideki HIRAYAMA介绍了高效率AlGaN深紫外LED的研究进展。紫外LED在除菌、消毒、3D打印等领域有很大的市场潜力。Hideki HIRAYAMA介绍了UVCLED效率提升技术，分享了通过光晶体反射进一步提升光提取效率的研究成果，反射率可以超过90%。Hideki HIRAYAMA表示，高反射度的光晶体目前也被确定成为是可以进一步提高光提取效率的器件，
力争达到
UVC
40%的目标
。
Shiyu XIAO博士
日本三重大学
日本三重大学三宅秀人
教授课题组的Shiyu XIAO博士做了“高温退火溅射AlN薄膜质量改善工艺研究”的报告，分享了通过高温退火
技术开发出
稳定的氮化铝材料，并实现了工业应用。
许福军 北京大学副教授
北京大学副教授许福军做了关于纳米图案蓝宝石基板生长高质量的AlN和AlGaN量子阱的报告。结合具体的实验方案和细节，分享了氮化铝和量子阱的生长情况以及相关的研究成果。许教授表示，总结对比国际上关于氮化铝外延采用的一些主要方法，提出图形衬底方法在氮化铝晶体量控制的稳定性、可重复性方面非常有优势。许教授分享了采用纳米控制方法实现氮化铝缺陷控制的解决方案。
张 韵 中科院半导体研究所研究员
中科院半导体研究所张韵研究员
分享了纳米图案AlN/蓝宝石模板上AlGaN深紫外LED和AlGaN/AlN激光器光提取技术，并介绍了在深紫外LED的光提取增强、深紫外发光二极管溅射AlN模板、AlGaN／AlN激光纳米图案化的AlN模板等方面的研究工作。
李晓航 沙特国王科技大学助理教授
沙特国王科技大学助理教授李晓航做了基于蓝宝石和B-III-N合金的III族氮化物深紫外激光器的报告，介绍了沙特国王科技大学在宽禁带半导体领域的研究成果，主要包括材料表征和物理特性、纳米器件和光通信、宽禁带材料器件、超宽禁带材料器件等内容。李博士结合具体的应用分享了深紫外激光的研究成果。
张 伟 华中科技大学博士
华中科技大学
张伟
博士带来了“在蓝宝石和氮化硼衬底上的三族氮基深紫外激光器”
的报告，他表示，自己的团队研究通过TE / TM模式的内部应变调制，使DUV MQWs的PL强度提高了32%；采用改性聚能聚合物材料，可以大大提高了光输出功率、粘结能力，减少了DUV LED的空气空洞；采用镀铜热孔阵列的AlN陶瓷衬底可以加速散热，降低了DUV LEDs的结温，并报告了
热阻降低了34%
的4*4热孔阵列发光二极管技术。
郭 炜 中国科学院宁波材料技术与工程研究所研究员
中国科学院宁波材料技术与工程研究所研究员郭炜分享了
“含有极性反转畴的AlGaN多层量子阱结构的制备，界面调控以及发光特性研究
”的报告。报告中指出由于非中心对称的特点，III-V族氮化物含有金属极性和氮极性两个极性面。目前广泛使用的氮化物光电和电力电子器件大多是基于金属极性。然而相比如金属极性，氮极性面因为其独特的光学电学特性而受到广泛关注。基于图形化的AlN缓冲层衬底制备纳米尺度横向极性结构（LPS）AlGaN-GaN 多层量子阱（MQW），并深入探讨其形貌、结构、发光以及应力特性，发现氮极性畴发光强度高于其临近的金属极性畴。高分辨透射电镜显示了N极性畴3D生长的特性以及因量子阱厚度变化而导致的量子局部限域效应，从而有助于量子效率的提升；同时，微区拉曼光谱也证明氮极性畴和金属极性畴分别存在局部的压应力和拉伸应力，避免了薄膜裂纹的产生。在报告中简要介绍横向极性结构在肖特基二极管中的应用用于降低欧姆接触电阻，以及横向极性AlN的结构设计以及在紫外频率倍增上的应用。
