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RamBus来剧透DDR5和HBM3了:用7nm工艺,频率\/带宽翻倍

超能网  · 公众号  ·  · 2017-12-08 18:00

正文

其实大家应该都清楚现在所用的DDR4内存与HBM2线程的继任人是DDR5和HBM3,此前这两样东西的规格启动还在讨论之中没有一个定论,而现在一个意外的来源告诉了大家这两样东西的标准规格,他就是大家口中的专利流氓RamBus。

RamBus今年产品销售额只有2800万美元,然而还有2500多项专利给他带来了大概2.12亿美元的专利许可收入,人家是有这个能力创造新技术的,德国媒体ComputerBase报道称RamBus的规划中有DDR5内存和HBM3显存的具体规格。

DDR5内存的频率大致会在4800~6400MHz,现在的DDR4内存主流频率是2400MHz~3200MHz,频率直接翻了一倍,预取位宽也从8bit翻倍到16bit,内存库提升到16-32个,至于电压可能会降至1.1V甚至更低。

而HBM3显存位宽会和前两代一样保持1024-bit,不过频率直接翻倍到4Gbps,带宽直接翻倍,另外随着堆栈层数的上升容量也应该会随之翻倍。

然而这两样东西应该都不会这么快出现,因为RamBus的规划中他们俩都会使用7nm工艺,而现在半导体行业还在向10nm工艺进发,大概要等到2020年7nm工艺才可投入实用,而等到它可以大规模生产估计还得等更多的时间,大家手头上的DDR4内存不会这么快过时的。