专栏名称: 薛定谔的菌
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薛定谔的菌  · 公众号  ·  · 2017-06-08 23:48

正文

LECTURES

低维功能材料电子结构与物性调控的研究

2017年6月9日(周五)下午14:30-15:10

报告地点:物理学院新楼五楼多功能报告厅


报告人:杜世萱 研究员(中国科学院物理研究所)


报告摘要:低维功能纳米材料的可控制备及其在器件中应用的研究是当今国际上最重要的研究领域之一,其核心问题是如何理解和控制低维功能纳米材料的结构、物性以及结构-物性之间的关联,为建立多层次、多组分的可控制备方法,发展功能导向的新体系和新技术提供有价值的参考。本报告主要介绍实验与理论计算相结合,开展新型低维材料的设计、可控制备、界面特性以及物性调控等方面的系统性研究工作。本报告将介绍以下几部分工作:新型二维原子晶体材料PtSe2、硅烯、锗烯等的可控生长及物性;首次在Au(111)表面上构造了具有固定偏心轴的单个分子转子,实现了大面积有序阵列的组装并对其转动行为进行了有效的调控;

首次在MnPc/Au(111)体系实现了单个自旋的可逆调控及其在超高密度信息存储中的应用;首次在原子水平实现了朗德g因子的空间分辨等。

报告人简介:杜世萱,女,1992年毕业于北京大学,2002年于北京师范大学获理学博士学位,现任中国科学院物理研究所研究员,国家杰出青年基金获得者。

英国Journal of Physics, Condensed Matter杂志编委。她利用基于密度泛函理论的第一性原理计算,开展了低维功能纳米结构的组装机制、结构与物性之间的关联及调控以及新型二维原子晶体材料的探索等方面的研究,取得了一系列具有国际前沿水平的工作。


相关研究工作被选为Physical Review Letter的“Editors' Suggestion”,被美国物理学会Physics、英国物理学会physics world和英国皇家化学会、Nature News等进行了亮点报道。杜世萱共发表SCI学术论文120余篇,其中Nature Materials1篇,Phys. Rev. Lett. 6篇,Nano Lett.8篇,J. Am. Chem. Soc. 5篇,Adv. Mater. 4篇。应邀在国际真空大会和中国物理学会年会等国际/国内重要学术会议上做分会邀请报告30余次。她的相关研究成果是“中国科学院十大重大创新成果”的主要内容之一,她是国家重点研发计划“纳米科技”重点专项首席科学家,2013年作为研究骨干获“中国科学院杰出科技成就奖”,并荣获了第十届“中国青年女科学家奖”等。



黑磷、类黑磷二维原子晶体材料的半导体器件

15:10-15:30,2017年6月9日

报告地点:物理学院新楼五楼多功能报告厅


报告人:鲍丽宏,副研究员,中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室


报告摘要:


黑磷是一种新型层状结构的直接带隙二维半导体材料,少层黑磷场效应晶体管表现出了优异的电流开关比性能(~105)和高空穴迁移率(1000 cm2/Vs),显示了其在逻辑、开关器件应用领域的巨大潜力。针对黑磷的不稳定性、调控导电类型的难题,我们在实验上首次发现了过曝PMMA覆盖层对黑磷的保护及调控导电类型的作用,实现了黑磷的P型(空穴型)及N型(电子型)分立场效应单元器件,进而将它们集成在一起,构筑了基于黑磷的栅调制二极管、双向整流器与逻辑反相器等一系列平面逻辑器件。另外我们成功实现了具有类黑磷结构的超薄SnSe单晶在PDMS柔性衬底上的外延生长,最薄厚度到9 nm,SnSe纳米薄片呈现八边形结构。


并且首次在较大厚度范围内(> 10nm)发现了SnSe的拉曼频移与其厚度的依赖关系,最后通过在芯片上制备微型加热电极和热电偶温度计,对小尺度的SnSe单晶纳米薄片进行了热电性能测试,发现其塞贝克系数与体材相当,而且表现出了栅极调控的特性。

参考文献:
[1] G. C. Wang, L. H. Bao, H. -J. Gao et al. Nano Lett. 16 (2016) 6870.
[2] G. C. Wang, L. H. Bao, H. –J. Gao et al. 2D Mater. 4 (2017) 025056.
[3] T. F. Pei, L. H. Bao, H. –J. Gao et al. Adv. Electron. Mater 2 (2016) 1600292. 


低电压电镜在二维半导体材料研究中的应用

15:30-15:50,2017年6月9日

报告地点:物理学院新楼多功能报告厅


报告人:周武,中国科学院大学物理科学学院

报告摘要:二维材料的结构缺陷和物理性质之间的内在联系是当前二维材料研究中的基本科学问题之一。球差校正电镜技术的发展已经使得低电压扫描透射电子显微镜(STEM)能够在原子分辨率及单原子分析灵敏度上对材料进行成像及能谱分析,为在原子尺度研究二维材料的缺陷物理提供了新的分析手段。
在这个报告中,我将介绍我们近几年利用低电压球差校正扫描透射电子显微学方法在二维半导体材料研究中所做的一些工作,包括利用STEM图像来定量测量二维半导体内化学掺杂浓度及掺杂原子的空间分布[1];利用电子束在二维半导体材料内可控制备新型纳米结构[2,3];以及探索在纳米尺度利用单色电子能量损失谱对二维材料在红外光区的吸收特性进行实验测量。

[1] Y. Gong et al., Nano Letters 14 (2014), p. 442
[2] J. Lin et al., Nature Nanotech. 9 (2014), p.436 
[3] K. Yin et al., 2D Materials 4 (2017), 011001

报告人简介:周武,2006年清华大学本科毕业,2010年获美国Lehigh大学材料科学博士学位,曾任美国橡树岭国家实验室研究员。现为中国科学院大学物理科学学院研究员。先后获得美国橡树岭国家实验室Eugene P. Wigner Fellowship,中组部青年千人计划,中科院百人计划,自然科学基金委优秀青年基金支持。长期从事低电压球差校正扫描透射电子显微学及功能纳米材料研究。主要研究的材料体系包括二维材料,异相催化剂,以及电池材料等。在Nature,Nature子刊,PRL等学术期刊上发表论文80余篇,引用5000余次。