报告地点:物理学院新楼五楼多功能报告厅
报告人:鲍丽宏,副研究员,中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室
报告摘要:
黑磷是一种新型层状结构的直接带隙二维半导体材料,少层黑磷场效应晶体管表现出了优异的电流开关比性能(~105)和高空穴迁移率(1000 cm2/Vs),显示了其在逻辑、开关器件应用领域的巨大潜力。针对黑磷的不稳定性、调控导电类型的难题,我们在实验上首次发现了过曝PMMA覆盖层对黑磷的保护及调控导电类型的作用,实现了黑磷的P型(空穴型)及N型(电子型)分立场效应单元器件,进而将它们集成在一起,构筑了基于黑磷的栅调制二极管、双向整流器与逻辑反相器等一系列平面逻辑器件。另外我们成功实现了具有类黑磷结构的超薄SnSe单晶在PDMS柔性衬底上的外延生长,最薄厚度到9 nm,SnSe纳米薄片呈现八边形结构。
并且首次在较大厚度范围内(> 10nm)发现了SnSe的拉曼频移与其厚度的依赖关系,最后通过在芯片上制备微型加热电极和热电偶温度计,对小尺度的SnSe单晶纳米薄片进行了热电性能测试,发现其塞贝克系数与体材相当,而且表现出了栅极调控的特性。
参考文献:
[1] G. C. Wang, L. H. Bao, H. -J. Gao et al. Nano Lett. 16 (2016) 6870.
[2] G. C. Wang, L. H. Bao, H. –J. Gao et al. 2D Mater. 4 (2017) 025056.
[3] T. F. Pei, L. H. Bao, H. –J. Gao et al. Adv. Electron. Mater 2 (2016) 1600292.