声子输运调控对于多种技术应用至关重要，例如电子设备中的热管理、热电能量转换以及热绝缘。然而，到目前为止，实现声子输运调控的可行方法仍然有限，尤其是在实现可逆调控方面。在此研究中，
通过调节偏置电压来改变声子热导率，从而在单层MoSe₂-WSe₂异质结中实现了声子输运的可逆调控。
在正向偏置下测量的热导率显著低于反向截止时观察到的热导率，且这种效应随着温度的降低而变得更加显著。通过理论建模，并结合器件模拟和第一性原理计算，正向偏置下热导率的降低可以归因于更高的载流子浓度和电子温度。研究结果提供了一种电驱动的声子输运调控方法，为先进半导体技术中的动态和可逆热设计开辟了可能性。
样品制备
研究团队采用大气压化学气相沉积（AP-CVD）方法制备了单层MoSe₂-WSe₂横向异质结构样品。具体步骤如下：
- 异质结构生长：通过AP-CVD方法在衬底上生长单层MoSe₂-WSe₂异质结构，形成具有界面掺杂的高质量异质结。
- 纯材料对比：为了对比分析，还分别通过化学气相沉积（CVD）技术制备了单层纯MoSe₂和单层纯WSe₂样品。
- 传感器制备：在异质结构样品上通过物理气相沉积（PVD）方法沉积了两个厚度为100 nm的金（Au）传感器，传感器设计为H型，用于测量样品的热导率。
- 样品支撑与保护：
- 在纯MoSe₂和纯WSe₂样品上旋涂370 nm厚的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）薄膜，以提供机械支撑并防止样品损坏。
- 在MoSe₂-WSe₂异质结构下方沉积300 nm厚的二氧化硅（SiO₂）层，以提供必要的支撑。
- 所有样品的硅衬底被深度刻蚀超过2.5 μm，确保传感器悬空，避免硅衬底的热泄漏。
1. 实现声子输运的电场可逆调控
- 创新点：研究团队首次通过电场调控实现了二维异质结构（MoSe₂-WSe₂）中声子输运的可逆操纵。以往的研究中，声子输运的调控方法大多不可逆，而本文通过改变偏置电压的方向和大小，实现了对声子输运的动态、可逆调控。
2. 提出基于电场的声子-电子散射调控机制
- 创新点：研究团队通过理论模拟和实验验证，揭示了电场调控声子输运的机制——即通过改变载流子浓度和电子温度来增强声子-电子散射，从而降低热导率。
3. 异质结构中的界面热阻调控
- 创新点：研究团队在实验中考虑了异质结构界面热阻的影响，并通过模拟和实验相结合的方法，分析了界面热阻随温度的变化规律。他们发现界面热阻随温度升高而降低，这一现象在二维异质结构中尚未被充分研究。
4. 二维异质结构的动态热设计可能性
