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传三星封测技术落后：7、8 纳米无法自产，台积电受惠？

EETOP · 公众号 · 硬件 · 2017-06-08 17:42

正文

来源：MoneyDJ新闻

芯片制程微缩至 10 纳米以下，据传三星电子缺乏相关封测技术，考虑把次世代 Exynos 芯片的后端制程外包。若真是如此，将提高三星晶圆代工成本。

韩媒 etnews 8 日报导，业界消息透露，最近三星系统 LSI 部门找上美国和中国的 OSAT（委外半导体封装测试业者），请他们开发 7、8 纳米的封装技术。据传美厂手上高通订单忙不完，未立即回覆。陆厂则表达了接单意愿。

倘若三星真的把封测制程外包，将是该公司开始生产 Exynos 芯片以来首例。三星仍在考虑要自行研发或外包，预料在本月或下个月做出最后决定。

10 纳米以下的芯片封装不能采取传统的加热回焊（reflow），必须改用热压法（thermo compression），三星没有热压法封装的经验，也缺乏设备，外包厂则有相关技术。有鉴于 10 纳米以下芯片生产在即，迫于时间压力，可能会选择外包。相关人士表示，要是三星决定外包，会提高生产成本，不利三星。

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