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1.三星超大容量SAS固态硬盘投入量产 高达30.72TB
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.Diodes 公司推出提供 USB 3.1/3.2 及 Thunderbolt 3 接口保护功能的超小型TVS
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.安森美半导体推出全新低能耗 USB-C 系列产品
三星超大容量SAS固态硬盘投入量产 高达30.72TB
2月20日，三星电子在官网宣布，该公司旗下的超大容量SAS固态硬盘已经进入量产状态，该硬盘的型号为PM1643，其容量高达30.72 TB。
三星方面表示，这款硬盘是为下一代企业存储系统而研发。它采用了三星最新的V-NAND技术，将32个1TB的NAND Flash存储器结合在一起；而每一个NAND Flash存储器都采用了16个V-NAND芯片堆层。由此，这款硬盘可以存储5700部5GB的高清电影，而它的尺寸只有2.5英寸那么大。
除了容量上的提升，PM1643的传输表现也有重大提升，几乎是三星上一代超大容量SAS固态硬盘的两倍。基于12Gb/s SAS接口，PM1643磁盘的随机读取速度和写入速度分别达到了400000 IOPS和50000 IOPS，连续读取速度达到2100MB/s和1700 MB/s；随机读取性能是传统2.5英寸SATA SSD的4倍，而连续读取性能是前者的3倍。
为了实现上述成果，三星在控制器、DRAM打包和协同软件的设计方面进行了努力。
其中，PM1643采用了一个高效的控制器架构，它将9个上一代大容量固态硬盘所采用的控制器打包成一个；另外，它还采用了Through Silicon Via(TSV)技术，能够互联多个8Gb DDR4芯片，创建共计10个4GB TSV DRAM封装，共计达到40GB的DRAM。这是TSV-DRAM技术第一次被应用于固态硬盘。当然在软件方面，这款固态硬盘也提供了数据恢复、断电保护等功能。
三星在今年1月份就已经开始了这款30.72TB SSD的初始量产，并将会在今年晚些时候将产品线扩展到15.36TB、7.68TB、3.84TB、1.92TB、960GB、800GB等版本。
Diodes 公司推出提供 USB 3.1/3.2 及 Thunderbolt 3 接口保护功能的超小型TVS
Diodes 公司今日推出史上最先进的数据传输线瞬态电压抑制器 (TVS) DESD3V3Z1BCSF-7。该产品适用于搭载差分讯号线路、频率 5 Ghz 以上的先进系统单芯片，可为 I/O 端口提供优异的 TVS/ESD 保护，是 USB 3.1/3.2、Thunderbolt™ 3、PCI Express® 3.0/4.0、HDMI 2.0a 及 DisplayPort™ 1.4 等高速接口不可或缺的组件。
现代化的 SoC 通常透过先进 CMOS 制程节点制造，更能承受 I/O 端口的瞬态电压和静电放电。传统 TVS 装置的输入信道电容往往过高，容易降低高速讯号质量，因为讯号会在接收系统的边界与 SoC I/O 端口的接头之间移动。DESD3V3Z1BCSF-7 采用 Diodes 公司自有先进制程，实现超低输入通道电容 (典型值 0.175pF)、低动态阻抗、低触发/保持/箝位电压，并采用超低电容的先进封装。精心的设计造就极低的插入损耗，符合 USB 3.1/3.2 和 Thunderbolt 3 等高速接口的讯号完整性要求。
「随着 USB Type-C 等先进接口日益普及，就愈有必要保护 Ghz 等级带宽的先进 SoC 端口。为确保这些 SoC 和 USB Type-C 端口可靠运作，现在最需要的就是极小型的 TVS，它们能提供高水平的保护，而不影响高速讯号的完整性。」Diodes 公司事业部总监 Timothy Chen 博士如此表示。
除了超低输出电容，DESD3V3Z1BCSF-7 亦提供优异的 ESD 保护，符合 IEC61000-4-2 最高±8kV 的空气与接触放电要求。本产品领先业界，实现箝位电压 (IPP = 3A 的典型值 VCL = 4.5V)、击穿电压 (最大 VBR = 9V)、反向隔绝电压 (最大 VRWM = 3.3V)的最佳组合，而在 8/20μs 的短路波形上的峰值脉冲功耗 (PPP) 为 25W。
DESD3V3Z1BCSF-7 采用超小型芯片级 X2-DSN0603-2 封装，尺寸仅 0.6mm x 0.3mm，高度仅 0.3mm。
2018年2月22日 - 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON) 宣布推出全新 USB-C（Type-C）系列器件，完全符合最新修定1.3规格，让设计工程师轻松集成到 USB-C 系统。新器件包括两个控制器和一个开关，专门针对智能手机、平板电脑和笔记本电脑等应用，以及工业和汽车领域的用例。
FUSB303 端口控制器可将当前系统和新系统转换到 USB-C 接口，支持需要源（SRC）、汇（SNK）或双角色端口（DRP）模式的应用。这款全新器件提供自动检测功能，只需更少的处理器交互和固件支持，且提供灵活性和自定义选项。
移动和超便携应用将得益于 FUSB303 卓越且领先同类的低功耗性能。在待机模式下，该控制器的功耗小于10微安（μA），采用了超薄（1.6 x 1.6 x 0.375 mm）QFN-12 封装，比标准 CSP 封装更轻薄，用于日益空间受限的设计中。
安森美半导体的 FSUSB242 是一款符合 USB-C 规格的端口保护开关，提供高压和电涌保护。按照标准要求，端口保护开关允许将两个 USB 源多路复用到公共 DP / DM 引脚，同时保持信号的完整性。该器件具有高压保护功能，并提供符合 IEC 64000-4-5 规格之高达±20伏的电涌保护，无需使用外部瞬态电压抑制器（TVS）。
FSUSB242 适用于移动应用，因它能耗低，其 WLCSP-9 封装节省了电路板的空间，且无需外部 TVS。
FUSB302BV 是一款 USB-C 控制器，是专门设计用于汽车系统中供电（PD）方案。尽管其它方案仅适用于消费电子类应用，该器件通过了 AEC-Q100 认证，且可以进行检测（包括连接侦测和方向检测），所以成为更高效和灵活的产品之一。
有别于其他解决方案，FUSB302BV 通过 I2C 接口进行通信，且没有集成一个微处理器。这确保了该器件符合汽车领域对于更低能耗和低自热水平的要求。
安森美半导体产品营销经理 Julie Stultz 表示：“我们 USB-C 产品此次的扩充包括了几款领先市场的器件，使工程师能够轻松快速地集成完全符合1.3规格的方案。这三款产品都成功地结合高性能与低能耗，与安森美半导体提供高能效方案的使命一致。超小的尺寸使其成为移动和超便携应用的理想选择，而通过 AEC-Q100 认证的 FUSB302BV 也体现我们在汽车 USB 方案领域跨出了重大一步。“
安森美半导体提供完整的 USB-C 产品组合以满足设计需求。想要了解更多详情，请访问安森美半导体的 USB-C 方案。
