美国正制定规则，拟限制对中国出口GAAFET技术！

芯片大师 · 公众号 · · 2019-12-18 18:00

正文

导读： 特朗普政府正在敲定一套“狭隘”的规则，以进一步限制向中国出口先进技术。

来源：路透社

据路透社12月17日报道，美国商务部（Commerce Department）目前即将完成一批禁止向中国等竞争对手出口尖端技术的“ 狭隘规则 ”，内容涉及量子计算、半导体、AI、机器人和3D打印技术等。

根据披露的信息，其中一项涉及半导体的 “栅极环绕场效应晶体管”（GAAFET，Gate-All-Around Field Effect transistor） 技术，该项法规处于等候其他机构审批状态。

图：晶体管结构的迭代

GAAFET结构被视为继FinFET后引领半导体制程 进入3nm的关键技术 。2017年，IBM利用GAAFET实现了5nm芯片制程。在2018年5月，三星宣布将利用 改良自GAAFET的专利结构MBCFET ，实现5nm、4nm、3nm制造工艺。

根据三星此前发布的工艺路线图，将使用极紫外（E UV ）曝光技术制造 4个7nm至4nm的FinFET工艺，然后使用EUV制造3nm GAA和MBCFET。同7nm FinFET相比，使用GAA及衍生结构的 芯片面积最高减少45%，功耗降低50%，性能提升35% 。

图：GAAFET的结构

可以说正是GAAFET的出现，使得摩尔定律下制造更小、更强的芯片成为可能，将在台积电、三星和英特尔的先进制程开发中发挥重要作用。在该规则正式出台之前，其威力尚不明朗，但 中国晶圆代工行业追赶先进制程的步伐势必受到负面影响 。

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