Yi Hou
,
Christoph J Bravec
等人发现,使用
Ta
掺杂的
WO
x
/
共聚物组成的
HTM
界面传输层(
PDCBT/Ta-WO
x
)可以形成
quasi-ohmic
接触,有效降低界面势垒,阻止
Au
迁移,结合使用
C
60
单层自组装膜(
C
60
-SAM
)作为电子传输层可以,使得新型的钙钛矿太阳能电池效率可达
21.2%
,并且可以稳定运行超过
1000
小时。
首先将
C
60
-SAM
通过磷酸根基团铆钉于
ITO
作为
ETM
(或者使用
C
60
-SAM/SnO
x
/PC60BM (PC60BM = [6,6]-phenyl-C
60
-butyricacid methyl ester)
,然后将钙钛矿
FA
0.83
MA
0.17
Pb
1.1
Br
0.50
I
2.80
生长其上,最后沉积
Ta-WO
x
掺杂的
PDCBT
作为
HTM
。该工艺所有过程均在
140℃
以下进行。
相比于
Fig 1a
中的
PDCBT/Au,WO
x
/PDCBT
等
HTM
的
S
型
j-V
曲线,
PDCBT/Ta-WO
x
和 PDCBT/MoOx
的非
S
型曲线意味着其界面传输能垒更低,并且含有
Ta-WO
x
的
HTM
的
Fill factor
超过了
75%
。
Ta
掺杂使得
WO
x
由原来的浅绿色变为深棕色
, electroluminescence (EL)
显示
Ta
掺杂后的
WO
x
比单纯的
WO
x
有更高的空穴注入效率。
此外,
ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS
,
Fig 2)
显示
Ta-WOx
的功函相比
WOx
降低了
0.2 eV
,与
PDCBT
组成界面可使得其功函进一步降低
0.5 eV
到
-4.3 eV
。而
WO
x
与
PDCBT
组成界面后只降低了
0.2eV.
在空穴传输层单极
j-V
测试中(
Fig 2E
),相比于
ITO/PEDOT:PSS/PDCBT/Au [PEDOT:PSS=poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate], ITO/PEDOT:PSS/PDCBT/Ta-WOx/Au
的对数型曲线说明
Ta-WO
x
与
PEDOT:PSS
的界面属于
quasi-ohmic
接触。通过
Time-of-flight secondary ion mass
spectrometry (TOF-SIMS)
可以发现
Ta-WO
x
的引入可以大幅抑制
Au
的迁移,并且进一步阻止电流泄露(
Fig 2F
)。
Fig3 A
显示,相比于其他多种
HTM
,
PDCBT/Ta-WOx HTMs
有着更好的能级匹配,甚至优于未经
Li
等离子掺杂的
spiro-MeOTAD
。而将
Ta-WO
x
覆盖于
spiro-MeOTAD
所组成的钙钛矿太阳能电池效率可达
12.9%
,位列非掺杂型的
spiro-MeOTAD
基钙钛矿太阳能电池最佳的效率。
以
FA
0.83
MA
0.17
Pb
1.1
Br
0.50
I
2.80
未基础组成的
C
60
-SAM/perovskite/PDCBT/Ta-WO
x
其效率可达
19.0%
。在
ETM
中进一步将
SnO
x
/PC60BM
覆盖于
C
60
-SAM
之上可使得效率提升至
21.2%
,碘蒸气处理也发现具有更深能级的
PDCBT
具有更高的稳定性,结合
Ta-WO
x
可以使得该钙钛矿电池可以稳定超过
1000
小时。