全球首个第六代HBM！4nm、性能大爆发

全球首个第六代HBM！三星完成HBM4内存逻辑芯片设计：4nm工艺、性能大爆发

快科技 1 月 5 日消息，据韩国朝鲜日报报导，三星 DS 部门存储业务部最近完成了 HBM4 内存的逻辑芯片设计。Foundry 业务部方面也已经根据该设计，采用 4nm 试产。待完成逻辑芯片最终性能验证后，三星将提供 HBM4 样品验证。

逻辑芯片即 Logic die（又名 Base die），对 HBM 堆叠发挥大脑作用，负责控制上方多层 DRAM 芯片。

报导引用韩国市场人士说法，运行时发热是 HBM 的最大敌人，而在堆栈整体中逻辑芯片更是发热大户，采先进制程有助改善 HBM4 能效与性能表现。

除自家 4nm 制造逻辑芯片外，HBM4 还导入 10nm 制程生产 DRAM。

HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，主要应用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）和图形处理（GPU）等领域。

HBM 的优点在于打破了内存带宽及功耗瓶颈。其核心优势在于采用了 3D 堆叠技术，将多个 DRAM 芯片垂直堆叠在一起，通过硅通孔（TSV）技术实现芯片间的高速信号传输，大大缩短了数据传输的距离和延迟，从而能够以极高的带宽为处理器提供数据支持。

HBM 特性尤其适合搭配 GPU 进行密集数据的处理运算。英伟达新一代 AI 芯片，均搭载 HBM 内存。

HBM 产品问世至今，HBM 技术已经发展至第六代，分别为 HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，HBM3e（HBM3 的扩展版本）以及 HBM4。

HBM1 作为最早的版本，带来了 128GB/s 的带宽，开启了高带宽内存的应用。随后，HBM2、HBM3 等相继问世，每一代都在带宽、容量和能效等关键指标上实现了显著突破。

从业界数据来看，HBM4 标准支持 2048 位接口和 6.4GT/s 的数据传输速率。相比 HBM3E，HBM4 的单个堆栈带宽已达到 1.6TB/s，极大地提升了内存系统的数据吞吐能力，能够更高效地满足人工智能、深度学习、大数据处理和高性能计算等领域对内存性能日益苛刻的需求。

HBM 供应商在各代产品中往往会推出不同堆栈层数的产品，如 HBM3e 的 8hi（8 层）及 12hi（12 层），而 HBM4 世代则规划了 12hi 及 16hi。

去年 11 月，三星电子存储部门执行副总裁 Jaejune Kim 在第三季度财报公布后召开的电话会议上表示，今年三季度 HBM 总销售额环比增长超过 70%，HBM3E 8 层和 12 层堆叠产品均已量产并开始销售，HBM3E 的销售占比已上升至 HBM 总销售额的 10% 左右，预计第四季度 HBM3E 将占 HBM 销售额的 50% 左右。

三星的 HBM4 开发工作正在按计划进行，目标是在 2025 年下半年开始量产。