西安三星电子闪存芯片项目二期第二阶段投资启动

12月10日，西安三星电子闪存芯片项目二期第二阶段80亿美元投资正式启动。

据悉，三星电子一期投资108亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目。 二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片。 其中，第一阶段投资约70亿美元，明年3月竣工投产； 第二阶段投资80亿美元，2021年下半年竣工。

二期项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元，解决上千人就业，并带动一批配套电子信息企业落户，使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。

2012年，西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目，成为了三星海外投资历史上投资规模最大的项目，项目一期于2014年5月竣工投产，项目二期于2018年3月正式开工建设，其中第一阶段投资70亿美元。

陕西省委常委、西安市委书记王浩表示，三星电子决定启动二期项目第二阶段投资，有利于西安市做大电子信息产业、加快建设先进制造业强市步伐，也有利于三星电子巩固产业优势地位。 随着西安市营商环境不断改善，近期还有施耐德电气、世邦魏理仕、第一太平戴维斯等世界500强企业在西安扩大投资或落户。