随机存储器（RAM）一种用于高密度存储的电路（参见下图）称为随机访问存储器或RAM。“随机”是指计算机能直接找到在电路内存储的任何信息。与串型存储器不同，RAM设计允许芯片寻找精确信息，无论它是在计算机存储器中的哪个位置。这一特性允许更快地检索数据，也使RAM成为计算机的重要存储电路。
动态随机存储器（DRAM）：DRAM一词基于两种主要的设计：动态和静态〈参见下图)。动态存储器称为DRAM或动态RAM，在计算机存储器中大量使用。存储单元设计的基础仅仅是一个晶体管和一个小电容器（参见下图）。通过在电容器里加入电荷来存储信息。遗憾的是，电荷会很快漏掉。要解决这个问题，存储的信息必须连续地重复输入电路。这个功能的术语称为刷新(refresh)。电路每秒要刷新上千次。动态RAM在电源丢失和中断、刷新出现故障时极易受影响。
DRAM设计的目标是为了高密度和紧凑的空间器件的小单元的设计，为提高速度，器件组成要小而薄。这些需求将DRAM设计和工艺推向最高的技术水平。通过先进的、现代的设备和工艺应用于DRAM电路中，所有的优势都能获得。这种现实情况使它们成为工业中领先的电路。
静态随机存储器〔SRAM）：静态随机存储器（SRAM）是基于不需要刷新功能的单元设计的。一旦信息输入芯片，只要电源保持打开状态它将一直保留。这一性能由一个包含几个晶体管和电容的单元来完成（参见下图）。信息按照晶体管交替开、关的条件进行存储。信息在SRAM单元上的读和写速度比RAM的设计要快，这是因为晶体管的开关比电容器的充放电快得多。对于短暂和速度较小程度的影响因素是空间损失较大的单元设计，它使静态存储器的密度比DRAM要小。
存储器的容量由能够存储的位的数量进行测量，一个1KB的RAM有1024个位的信息的容量；1024是2的幂。1个64KBRAM实际上有65536信息位的容量。由于采用现有技术，更大的兆位级存储位器（和更高）将会大量生产。RAM容量增长的每一步都给晶圆工艺和良品率的提高造成了巨大的压力。以1977年IBM生产的64RAM作为半导体经营情况为例，芯片不久就出现在批发市场上，每个电路价格超过1美元。到1985年前，竞争和良品率的提高已经使它的价格降到每个电路不到1美元。
铁电物质存储器（FERAM和DRAM）：铁电材料在电容器中的使用使存储器比普通的SiCMOS技术的电容器速度更快它面临的挑战是把这一非硅技术同标准硅工艺集成为一体。
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