导读：
3年以内晶圆代工领域的两强相争将更为激烈，Intel梦在何方？
1月3日，据韩媒Business Korea报道，基于GAAFET改进工艺，三星电子已经完成3nm制程的研发工作。
图：三星3nm制程研发成功（Business Korea）
此前，我们在文章
美国正制定规则，拟限制对中国出口GAAFET技术！
中介绍了3nm时代具有代表性的GAAFET工艺。
2017年，IBM利用GAAFET实现了5nm芯片制程。
在2018年5月，三星宣布将利用
改良自GAAFET的专利结构MBCFET
，实现5nm、4nm及3nm制造工艺，而这一步终于在2020年1月3日得以实现，这意味着三星将在代工领域继续保持对台积电的攻势。
根据三星此前发布的工艺路线图，将使用极紫外（E
UV
）曝光技术
制造
4个7nm至4nm的FinFET工艺，然后使用EUV制造3nm GAA和MBCFET。同7nm FinFET相比，使用GAA及衍生结构的
芯片面积最高减少45%，功耗降低50%，性能提升35%
。
这项技术成果的落地对三星具有里程碑意义，为此，1月2日
三星电子副董事长李在镕
专程访问了京畿道的三星半导体研究中心。
而台积电
目前正处于
3nm
制程
试产阶段
，
岛内负责
3nm量产
的厂房
已经于2019年
顺利
通过环评
。
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