美光FY25Q1财报一览：HBM营收环比翻倍，难挡消费电子超预期疲软

Eric有话说 · 公众号 · · 2024-12-20 19:30

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存储巨头美光拉开半导体四季报帷幕。美光本季度按财年时间是FY25Q1，按实际时间对应2024年9/10/11月。

美光FY25Q1财报：

营收 8 7.1 亿美元，同比增长 84 % ，环比增长 12 % ，创历史新高（此前营收巅峰是FY18Q4的 84 亿美元）营收连续5个季度同比增长；预计FY25Q2营收 79 亿美元，同比增长 36 % ，环比下滑 9% ；
GAAP毛利率 38.4 % ，环比提升3.1个百分点；预计FY25Q2毛利率37.5%，环比下滑0.9个百分点（毛利率巅峰是FY18Q4的 61% ）；
GAAP经营利润 21.7 亿美元，环比增长 43% ，经营利润率 25% （经营利润巅峰是FY18Q4的 4 3 亿美元）；
经营现金流 32.44 亿美元，环比下滑 5% （经营现金流巅峰是FY18Q4的 52 亿美元）； 自由现金流连续3个季度为正 ；
GAAP净利润 18.7 亿美元，连续4个季度为正，NonGAAP净利润 20.37 亿美元，连续4个季度为正；预计FY25Q2 GAAP净利润 14.14 亿美元，NonGAAP净利润 16.04 亿美元（净利润巅峰是FY18Q4的 43 亿美元）；
本季度未回购；

分业务：

DRAM营收64亿美元 ，同比增长87%， 连续5个季度增长 ，环比增长20%，营收占比73%；DRAM bit出货量环比增长低两位数，ASP环比增长高个位数；

NAND营收22.41亿美元 ，同比增长82%， 连续5个季度增长 ，营收占比26%；NAND bit出货量环比下滑低个位数，ASP环比下滑低个位数；

预计下季度DRAM bit出货环比小幅下滑 ， NAND bit出货环比大幅下滑 ，未来数据中心仍是主要增长点（本季度CNBU/SBU经营利润环比增长89%/60%），消费电子相关需求超预期疲软（本季度MBU/EBU经营利润环比下滑36%/90%），客户将去库存至2025年春季， FQ2出货量不及预期，预计FY25H2出货恢复增长；

分市场：

本季度数据中心营收同比增长400%，营收占比首次超50% ；预计2024年服务器出货同比增长low teens% （上调），AI服务器大幅增长，2025年增速类似；公司主要数据中心产品包括 HBM 、 高密度D5/LP5 以及 数据中心SSD 这三大类， 预计FY25每大类产品贡献营收数十亿美元（不变） ；数据中心第一大客户贡献公司整季营收13% ；数据中心相关的先进制程DRAM/HBM供不应求贯穿2025年；

本季度HBM 营收环比翻倍 （上季度数亿美元， SK海力士Q3 HBM营收约26亿美元） ， HBM良率和产能爬坡超预期， 毛利率高于DRAM （DRAM毛利率高于公司平均水平） ； 预计FY25 HBM营收 将达数十亿美元 ；预计HBM TAM从2023年接近 40亿美元 增长至2024年 160亿美元、2025年超 300亿美元（上调50亿美元） ，2028年将达到 640亿美元，2030年将超 1000亿美元；

HBM3E 8H进入英伟达B200、GB200供应链；12月HBM开始向第二个HBM大客户出货，预计FQ2将向第三个HBM客户出货；预计2025下半年公司HBM市场份额将会与公司DRAM市场份额相匹配 （20%+） ；2024/2025年HBM量/价都已锁定；HBM4较HBM3E性能50%+，公司HBM4产品的先进逻辑制程部分将与台积电合作，预计HBM4将在2026年大规模出货；

本季度数据中心SSD营收再创季度新高，市场份额也再创新高，公司数据中心PCIeGen5 SSD进入GB200 NVL72推荐配置；预计下季度数据中心SSD增速将趋于平缓，客户库存较高；长期趋势SSD会取代HDD市场，可能在2027年以后发生；
预计2024年PC出货同比持平 （下调） ，低于此前预期， 2025年全年PC出货同比增长中个位数，主要集中在下半年，因Win10明年10月到期；
本季度MBU产品 经营利润率27% ， 连续2个季度转正 ； 预计2024年智能手机出货同比增长中个位数 （上调）， 2025年同比增长低个位数 ；DRAM content本季度继续增长，8G DRAM及以上手机出货占比超60%；
由于汽车行业库存调整，市场从高端车型转向性价比车型，导致汽车DRAM/NAND需求增速放缓，进而影响汽车业务营收；工业需求回暖需要等到2025年晚些时候；

会议纪要重点：

预计2024年DRAM bit需求增长 high-teens% （不变） ，NAND bit需求增长 low -teens% （下调） ，2025年DRAM bit需求增长 mid-teens% （不变） ，NAND bit需求增长 low -teens% （下调） ； 预计2025年DRAM供需水平健康 ， NAND供过于求 ， 后续将削减capex ， 放缓节点迭代 ；
预计除HBM外， DRAM前道成本FY25下滑 mid-high single% （不变） ， NAND前道成本下滑 low-teens% （下调） ；
HBM3E所用的1-beta DRAM、G8（232层）/G9 NAND持续爬坡；1-gamma EUV DRAM 2025年量产on track；
预计下季度capex 30亿美元，FY25 capex 140亿美元， 占营收high-30s% （上调） ，大部分与HBM相关；获得美国芯片法案61亿美元补贴用于Idaho/New York DRAM Fab；在与美国商务部洽谈2.75亿美元用于Virginia Fab的补贴；与新加坡政府达成建设HBM先进封装工厂计划，预计2027年投产；
美光释放一个比较重磅的消息：2024年中国大陆DRAM产能（长鑫）占全球中个位数， NAND产能（长存）占全球高个位数；粗略按产能计算，长鑫市占率大概能排到全球第四，长存市占率能排到全球第六的样子；
本季度DIO 149天，环比下降9天，预计下季度DIO环比增长，但后续逐步下降，到FY25Q4会降到120天以下；
FY25中国大陆和香港直接或间接营收敞口共计约mid-teens% ，大陆市场竞争主要来自消费电子低端领域比如LP4/DDR4，公司主要聚焦高端市场；预计FY25剩下三个季度LP4和DDR4相关全球营收敞口约10%，未来占比持续下滑；

总的来说，美光这份财报不及预期，主要因消费电子超预期疲软。

上季度财报曾提到FY25 HBM数十亿美元营收指引范围问题，本季度按美光给出250+亿美元TAM，结合20%市占率目标，差不多是50亿美元。由于FY25 HBM出货量与价格已经锁定，影响美光FY25业绩的主要变量是PC与手机市场（大摩也拿PC、手机市场需求疲软来唱衰SK海力士）。

崔彤，公众号：Eric有话说美光FY24Q4财报一览：HBM如期放量，DRAM/NAND明年供需指引乐观

本季度美光将2025年HBM TAM抬升到300亿美元，结合20%市占率目标的话是60亿美元，上调了10亿美元左右，可能跟良率提升有关。之前也提到， 由于FY25 HBM出货量与价格已经锁定，影响美光FY25业绩的主要变量是PC与手机市场。 这次PC和手机市场的超预期疲软确实对美光FY25业绩蒙上一层阴影，按照官方capex指引，简单测算FY25营收约370亿美元上下，同比增长40%-50%。

经过昨天大跌后，目前美光PB估值回归到2.1x，处于历史估值区间向上一个标准差，而全球HBM一哥SK海力士目前PB 1.9x （24Q3），HBM暂时掉队的三星电子目前PB 0.9x （24Q3）。

此前财报一览（时间由近及远）：

《美光FY24Q4财报一览：HBM如期放量，DRAM/NAND明年供需指引乐观》

《美光FY24Q3财报一览：手机贡献大量利润，HBM下半年放量》

《美光FY24Q2财报一览：AI助力存储开启上行周期》

《美光FY24Q1财报一览：价格上涨将带动毛利率持续走高》

《美光FY23Q4财报一览：笔电需求回暖，2024Q2毛利率转正》

《存储周期底部确立，但美光明年才能毛利率转正》

《美光指引超预期，数据中心下半年稳了》